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    圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖,。圖中：1為多晶硅層,，2為氧化層,，21為***氧化層,，22為第二氧化層，23為**氧化層,，3為光刻膠,。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚,、完整地描述,，顯然，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,，而不是全部的實(shí)施例,。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。圖4示出了本實(shí)施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,，包括半導(dǎo)體襯底和設(shè)置在半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)的兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu),，兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，溝槽柵結(jié)構(gòu)設(shè)置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,，***氧化層21設(shè)置在溝道區(qū)，第二氧化層22設(shè)置在非溝道區(qū),，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現(xiàn)有技術(shù)中的厚度，因此本實(shí)施例的結(jié)電容更小,。需要說(shuō)明的是,，本實(shí)施例減小結(jié)電容的方式是通過(guò)增加溝槽內(nèi)非溝道區(qū)第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變,，因此本實(shí)施例在減小結(jié)電容的同時(shí)并不會(huì)造成器件整體性能變差,。北京哪些是模塊量大從優(yōu)雖然IGBT聽(tīng)著**，但基本上用電的地方都有IGBT的身影,。

    作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器,，其副邊有兩個(gè)**的繞組，輸出兩路隔離電源,。與現(xiàn)有技術(shù)相比,，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型能夠有效保護(hù)igbt模塊，并且該實(shí)用新型原邊電路集成了死區(qū)電路,、互鎖電路和保護(hù)電路,，可以提高抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)電路可靠性,。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器驅(qū)動(dòng)電路示意圖,。圖2為本實(shí)用新型涉及的風(fēng)電變流器的具體驅(qū)動(dòng)電路。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚,、完整地描述，顯然,，所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍,。請(qǐng)參閱圖1-2,，實(shí)施例1：本實(shí)用新型實(shí)施例中，風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動(dòng)電路,，包括原邊電路,、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區(qū)電路,、互鎖電路,、保護(hù)電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路,，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路,，副邊電路包括±15v驅(qū)動(dòng)電源,、驅(qū)動(dòng)電路和vce-sat檢測(cè)電路。原邊電路包括上下管的死區(qū)電路,、互鎖電路和保護(hù)電路,。

    該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對(duì)器件的開(kāi)關(guān)特性需求,，可以對(duì)第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié),；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3,，保留非溝道區(qū)的光刻膠3,，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對(duì)第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示),，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示),；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示),，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示),。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒(méi)有新增光刻流程,，從而節(jié)省了光罩制作成本,。綜上,，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小,、提高了器件的開(kāi)關(guān)特性，從而使得本實(shí)用新型可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)景,。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化,、修改,、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定,。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。

    死區(qū)電路的作用是：實(shí)現(xiàn)上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)有一定的時(shí)間間隔td，例如上管驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉后,，需要等待td延時(shí)后才能開(kāi)通下管驅(qū)動(dòng)信號(hào),；互鎖電路的作用是：上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)不能同時(shí)為有效，避免產(chǎn)生上下管驅(qū)動(dòng)直通信號(hào),；保護(hù)電路的作用是：當(dāng)副邊出現(xiàn)故障信號(hào)是,，保護(hù)電路能夠同時(shí)關(guān)閉上下管驅(qū)動(dòng)信號(hào),。15v電源輸入濾波電路的作用是：對(duì)輸入15v電源進(jìn)行濾波，維持15v電源的穩(wěn)定并且降低emc干擾,。dc/dc電路的的作用是：15v電源高頻脈寬調(diào)制dc/dc,。隔離電路包括：驅(qū)動(dòng)光耦、反饋光耦和隔離變壓器,。驅(qū)動(dòng)光耦的作用是：傳遞原邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)給副邊電路,，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè)。反饋光耦的作用是：傳遞副邊故障信號(hào)給原邊電路,，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè),。隔離變壓器的作用是：輸出上下管驅(qū)動(dòng)電源，電氣隔離原邊低壓側(cè)和副邊高壓側(cè),。副邊電路包括：±15v電源,、驅(qū)動(dòng)電路、vce-sat檢測(cè)電路,?！?5v電源的作用是：輸出igbt模塊所推薦的驅(qū)動(dòng)電源。驅(qū)動(dòng)電路的作用是：副邊驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大,，推挽輸出,。vce-sat檢測(cè)電路的作用是：檢測(cè)igbt模塊退飽和或過(guò)流信號(hào)，故障信號(hào)反饋給原邊,。vce-sat檢測(cè)電路分別連接igbt模塊,、驅(qū)動(dòng)電路和光耦隔離電路?？梢钥刂齐姍C(jī),、變頻器、變壓器,、電源,、電抗器等電力電子設(shè)備。安徽模塊裝潢

當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品,，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊,。上海模塊零售價(jià)

    ○觸發(fā)板也可接入直流3V電壓和分流器75mV反饋信號(hào)進(jìn)行直流負(fù)載的恒電流和恒電壓控制。（請(qǐng)通過(guò)JP1和JP3跳線(xiàn)選擇短接S4和S6進(jìn)行直流閉環(huán)控制）,?！鹩|發(fā)板可跟據(jù)不同要求場(chǎng)合取樣。觸發(fā)板還可以與單片機(jī)及相應(yīng)檢測(cè)傳感器組成外閉環(huán)自動(dòng)控制系統(tǒng),。2．可選擇三種的輸入模式：○4-20mA輸入,。通過(guò)JP4跳線(xiàn)選擇短接S1?！?-10V輸入,。通過(guò)JP4跳線(xiàn)選擇短接S2,。○0-5V輸入,。通過(guò)JP4跳線(xiàn)選擇短接S3,。3．可外接溫控保護(hù)開(kāi)關(guān)和復(fù)位開(kāi)關(guān)：（請(qǐng)參考接線(xiàn)圖）。4．軟啟動(dòng)調(diào)節(jié)：觸發(fā)板可通過(guò)VR3可調(diào)電阻設(shè)置調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)的時(shí)間,，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為啟動(dòng)時(shí)間更長(zhǎng),。5．限流限壓保護(hù)：觸發(fā)板通過(guò)調(diào)節(jié)VR2設(shè)置限電流和限電壓門(mén)檻值，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為低,。（如使用限壓功能請(qǐng)短接JP2跳線(xiàn),，不用此功能時(shí)斷開(kāi)即可）。6．過(guò)流過(guò)壓保護(hù)：觸發(fā)板通過(guò)調(diào)節(jié)VR1設(shè)置過(guò)電流和過(guò)電壓門(mén)檻值,，順時(shí)針?lè)较蛘{(diào)節(jié)為低,。五、異常狀態(tài)排除法1,、在較小的輸入控制信號(hào)時(shí)SCR接近100%輸出：○可能觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式狀態(tài)下,，沒(méi)有接入反饋信號(hào)，導(dǎo)致觸發(fā)器積分系統(tǒng)誤判,，請(qǐng)接入閉環(huán)反饋信號(hào),。○觸發(fā)器在閉環(huán)工作模式時(shí),，負(fù)載電流過(guò)小,。○檢查反饋信號(hào)是否接正確,。2,、SCR無(wú)輸出,，無(wú)電流或電壓：○面板PW指示燈不亮,，SCR無(wú)法工作。上海模塊零售價(jià)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家集研發(fā),、制造,、銷(xiāo)售為一體的****，公司位于昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,，成立于2022-03-29,。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶(hù)優(yōu)先的原則,，為國(guó)內(nèi)IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦,。英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼目前推出了IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等多款產(chǎn)品,，已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,。我們堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新,，把握市場(chǎng)關(guān)鍵需求，以重心技術(shù)能力,，助力電子元器件發(fā)展,。我們以客戶(hù)的需求為基礎(chǔ)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)上面苦下功夫,，一份份的不懈努力和付出,，打造了英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品。我們從用戶(hù)角度,，對(duì)每一款產(chǎn)品進(jìn)行多方面分析,，對(duì)每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計(jì)、精心制作和嚴(yán)格檢驗(yàn),。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司嚴(yán)格規(guī)范IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品管理流程,，確保公司產(chǎn)品質(zhì)量的可控可靠。公司擁有銷(xiāo)售/售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),，分工明細(xì),，服務(wù)貼心，為廣大用戶(hù)提供滿(mǎn)意的服務(wù),。