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    TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處,。但在這個測試中,，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響,，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試,，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下,，負(fù)偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流,。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動器的I電流。兩種情況下的電流都很低,，分別為1A和,。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流,，結(jié)果是I（負(fù)偏置柵驅(qū)動IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測試條件下，當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動情況下,，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1,。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動，電流很小,，對功耗的影響幾乎可以忽略,。廣西模塊制定普通PPS的CTI值大約在150V左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了要求,，我們研發(fā)團(tuán)隊通過特殊配方對PPS材料進(jìn)行改性.

    目前,，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動的IGBT,。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同,。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便**為理想了,。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了,。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果,。為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象,，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容,。集電極到發(fā)射極電容C,，集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。圖1IGBT器件的寄生電容這些電容對橋式變換器設(shè)計是非常重要的,，大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù)：輸出電容,，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）反向傳輸電容,，CRES＝CGC圖2半橋電路圖2給出了用于多數(shù)變換器設(shè)計中的典型半橋電路,。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動態(tài)分壓器。當(dāng)**IGBT（Q2）開通時,，低端IGBT（Q1）的發(fā)射極上的dV/dt會在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖,。對于任何IGBT。

    光耦隔離電路還連接死區(qū)電路,、互鎖電路和保護(hù)電路,，驅(qū)動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發(fā)生短路故障或過流故障時,，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路,，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅(qū)動信號,，并通過光耦隔離電路和驅(qū)動電路關(guān)斷igbt模塊。實施例2：在實施例1的基礎(chǔ)上,，本實用新型的一種實施例電路如圖2所示,，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構(gòu)成的濾波器,，其作用主要是：對輸入15v電源進(jìn)行濾波,，并且降低開關(guān)噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構(gòu)成推挽電路,，并且q1和q2由晶體管構(gòu)成,，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組,，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構(gòu)成二極管整流電路,，輸出-15v_sh電源；d8與c5構(gòu)成二極管整流電路,，輸出+15v_sh電源,；其中下管隔離電源包括:d9與c6構(gòu)成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源,；d11與c7構(gòu)成二極管整流電路,，輸出+15v_sl電源；上管死區(qū)電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成,，下管死區(qū)電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成,，保護(hù)電路包括d5,v5,d6,v6構(gòu)成。pwm_h信號為上管輸入信號,，pwm_l信號為下管輸入信號；當(dāng)pwm_l信號為高電平時,，c2通過d2快速放電,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小,，控制電路簡單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高。

    降低本征JFET的影響,，和使用元胞設(shè)計幾何圖形,，從而達(dá)到以上的目標(biāo)。對兩種1200VNPTIGBT進(jìn)行比較：一種是其他公司的需負(fù)偏置關(guān)斷的器件,，一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動IRGP30B120KD-E,。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動時,，dV/dt感生電流很大。比較寄生電容的數(shù)據(jù),，IR器件的三種電容也有減?。狠斎腚娙荩珻IES減小25％輸出電容,，COES減小35％反向傳輸電容,，CRES減小68％圖4寄生電容比較圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系，得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響,。當(dāng)V＝0V時,，負(fù)偏置柵驅(qū)動器件的C為1100pF，IRGP30B120KD-E只有350pF,，當(dāng)VCE＝30V時,，負(fù)偏置柵驅(qū)動器件的C為170pF，IRGP30B120KD-E的CRES為78pF,。很明顯,，IRGP30B120KD-E具有非常低的C，因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小,。圖5IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系圖6的電路用來比較測試兩種器件的電路性能,。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。圖6dV/dt感生開通電流的測試電路測試條件：電壓率,，dV/dt=直流電壓,，Vbus=600V外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?環(huán)境溫度,。問世迄今有十年多歷史,，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR,、GTO,、GTR,、MOSFET,、雙極型達(dá)林頓管等。四川出口模塊

IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路。云南igbt模塊

    更好的電氣性能新的機械設(shè)計也改善了電氣性能,。事實上,，***降低的熱阻允許更高的輸出電流,。得益于角形柵極可控硅的使用,，新的芯片具有更大的有效表面積,，可以流過更多的電流。由于這些變化,，在與當(dāng)前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10％以上,。衡量可控硅模塊可靠性的另一個重要參數(shù)是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩(wěn)健性,，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經(jīng)受的住而無損傷的單一正弦半波通態(tài)電流脈沖,，該脈沖持續(xù)10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應(yīng)該發(fā)生的很少［4］,。認(rèn)證所有賽米控的模塊都要經(jīng)歷質(zhì)量審批測試程序。測試的目的是在各種不同的測試條件下確定設(shè)計的極限,，以評價生產(chǎn)過程的一致性,，并對提出的工藝和設(shè)計的改變對可靠性的影響進(jìn)行評估。為此,，定義了標(biāo)準(zhǔn)測試和條件,。測試本身主要集中于芯片和封裝［5］。所有產(chǎn)品都經(jīng)**批準(zhǔn)認(rèn)可,，如UL（UnderwritersLaboratories保險商實驗室）,。應(yīng)用領(lǐng)域SEMIPACK產(chǎn)品可被用作為整流直流電源、交流電機控制和驅(qū)動的軟起動器,，或者用在電池充電器及焊接設(shè)備中,。結(jié)論多虧了第六代SEMIPACK中新的層概念，模塊更加可靠,。不用說,，更低的熱阻，改善了的電氣性能,。云南igbt模塊

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