首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個(gè)器件有兩個(gè)電極,，一個(gè)是金屬,，另一個(gè)是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi),。金屬極就是GATE,，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱(chēng)為gatedielectric(柵介質(zhì)),。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate,。這個(gè)MOS電容的電特性能通過(guò)把backgate接地,，gate接不同的電壓來(lái)說(shuō)明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng),。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位,，P型硅負(fù)電位,。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來(lái)，它同時(shí)把空穴排斥出表面,。這個(gè)電場(chǎng)太弱了,，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小,。當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況,。穿過(guò)GATEDIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來(lái),。同時(shí),，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況,。由于過(guò)剩的電子，硅表層看上去就像N型硅,。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱(chēng)為inversion,，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高,，越來(lái)越多的電子在表面積累,。mos管的外形和三極管，可控硅,，三端穩(wěn)壓器，IGBT類(lèi)似,。天津加工MOS管銷(xiāo)售廠家

    ,，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體,，確切的說(shuō),，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上,，加上二氧化硅和金屬,，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下,，兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的,。(多子)參與導(dǎo)電,，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同,，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷β蔒OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，又稱(chēng)為VMOSFET,，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻,，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管,。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管,。,、輸出特性對(duì)于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離,，所以柵極電流為0,。當(dāng)VGSMOS管作為開(kāi)關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài),。江西貿(mào)易MOS管工廠直銷(xiāo)為了保證MOS管的安全工作,，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。

    MOS管工作原理圖詳解MOS管是FET的一種(另一種是JFET),，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,，比較常用的是NMOS,。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造,。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管工作原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá)),，這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句,，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒(méi)有的。MOS管工作原理圖電源開(kāi)關(guān)電路詳解這是該裝置的中心,，在介紹該部分工作原理之前,，先簡(jiǎn)單解釋一下MOS的工作原理圖。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種,。本文使用的為增強(qiáng)型MOSMOS管,，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型,。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出,。

    MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi),，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極,，兩極之間不通導(dǎo),，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,，成為連接源極和漏極的溝道,。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻,。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。統(tǒng)稱(chēng)為PMOS晶體管,。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下,，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高,，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容,。PMOS因邏輯擺幅大,，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小,，所以工作速度更低,，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代,。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。mos管在電路中一般用作電子開(kāi)關(guān),。

    低壓MOS管四大重要參數(shù)：1,、電壓規(guī)格(VDSS)2、電流規(guī)格(In)3,、mos飽和導(dǎo)通電阻(RDS（ON）)4,、封裝形式低壓MOS管四大選型要點(diǎn)1、用N溝道orP溝道選擇好MOS管器件的首要一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管,。在典型的功率應(yīng)用中,，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí),，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān),。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管,，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤],。當(dāng)MOS管連接到總線(xiàn)及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開(kāi)關(guān),。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。2,、確定MOS管的額定電流該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的很大電流,。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí),。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,，MOS管處于穩(wěn)態(tài),，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件,。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的很大電流,，只需直接選擇能承受這個(gè)很大電流的器件便可,。3、選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求須考慮兩種不同的情況,，即壞情況和真實(shí)情況,。建議采用針對(duì)壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,，能確保系統(tǒng)不會(huì)失效,。MOS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管,。江西貿(mào)易MOS管工廠直銷(xiāo)

MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的，一般導(dǎo)通電阻都很小,。天津加工MOS管銷(xiāo)售廠家

    原因是導(dǎo)通電阻小,，且容易。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,，一般都用NMOS,。下面的介紹中，也多以NMOS為主,。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，大電壓等,，大電流等,，也有很多人考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,，但并不是的,，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。1,、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET）,，可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,，不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS,。原因是導(dǎo)通電阻小，*,。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。天津加工MOS管銷(xiāo)售廠家