智能功率模塊內(nèi)部功能機(jī)制編輯IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單,、可靠,，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間,，也提高了故障下的自保護(hù)能力,。與普通的IGBT模塊相比,，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù),、過熱保護(hù),、過流保護(hù)和短路保護(hù)。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作,，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO),。各種保護(hù)功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV):IPM使用單一的+15V供電，若供電電壓低于12．5V,，且時(shí)間超過toff=10ms,，發(fā)生欠壓保護(hù)，***門極驅(qū)動(dòng)電路,，輸出故障信號(hào),。(2)過溫保護(hù)(OT):在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個(gè)溫度傳感器，當(dāng)IPM溫度傳感器測(cè)出其基板的溫度超過溫度值時(shí),，發(fā)生過溫保護(hù),，***門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào),。(3)過流保護(hù)(OC):若流過IGBT的電流值超過過流動(dòng)作電流,，且時(shí)間超過toff，則發(fā)生過流保護(hù),，***門極驅(qū)動(dòng)電路,，輸出故障信號(hào)。為避免發(fā)生過大的di/dt,，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式,。其中，VG為內(nèi)部門極驅(qū)動(dòng)電壓,，ISC為短路電流值,，IOC為過流電流值，IC為集電極電流,，IFO為故障輸出電流,。(4)短路保護(hù)(SC):若負(fù)載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)故障導(dǎo)致短路。而PPS材料具有一系列優(yōu)異的特性,，使其成為了IGBT模塊的比較好材料選擇,。微型模塊技術(shù)指導(dǎo)

    二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器,，從1930年開始,，半導(dǎo)體整流器開始投入市場(chǎng)。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊,，肖特基二極管模塊,，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率,、速度和封裝不同,。二級(jí)管一般指電流、電壓,、功率比較小的單管,，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓比較高1000多V,，但是反向恢復(fù)素很快,，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開關(guān)電源做輸出整流,，或需要頻繁開關(guān)的場(chǎng)合,，其封裝一般是塑封、玻璃封裝,、陶瓷封裝等,。二極管模塊指封裝成模塊的二極管，功率較大,，幾十,、幾百安培，主要用于整流,，在大功率設(shè)備上使用,，如電焊機(jī)等，反向恢復(fù)時(shí)間很快,，但比二極管慢,，一般在幾十個(gè)ns至幾百個(gè)ns之間,。那二極管模塊應(yīng)如何選型呢,？1、快恢復(fù)二極管模塊快恢復(fù)二極管是一種能快速?gòu)耐☉B(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件,。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開關(guān)閉合（電路接通）,，截止時(shí)相當(dāng)于開關(guān)打開（電路切斷）。特性是開關(guān)速度快,，快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形,。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊,，600V快恢復(fù)二極管模塊,，1200V快恢復(fù)二極管模塊等。貴州模塊類型IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn)在于它可以提供高效的電力控制,。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0智能功率模塊編輯鎖定討論上傳視頻智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗,、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn),。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制,、檢測(cè)和保護(hù)電路,，使用起來(lái)方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化,、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越***的應(yīng)用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機(jī)制3電路設(shè)計(jì)智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速,、低功率的IGBT芯片和推薦的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，如圖1所示,。其中,，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn),。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT),、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT),。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣,。

    閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定,。控制信號(hào)與輸出電流,、電壓是線性關(guān)系,；7、模塊內(nèi)有無(wú)保護(hù)功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護(hù),，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過流,、缺相等保護(hù)功能。8,、模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā),，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識(shí),，希望對(duì)您有所幫助,。上一個(gè)：直流控制交流可以用可控硅模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)嗎？下一個(gè)：用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法返回列表相關(guān)新聞2019-07-20晶閘管模塊串聯(lián)時(shí)對(duì)于數(shù)量有什么要求以及注意事項(xiàng)2019-03-16使用可控硅模塊的**準(zhǔn)則2018-09-15正高講晶閘管模塊值得注意的事項(xiàng)2018-08-11晶閘管模塊與IGBT模塊的不同之處2017-12-18可控硅模塊廠家告訴你：如何給可控硅模塊選擇合適的散熱器,。2017-07-29智能可控硅模塊的特點(diǎn),！電力變換器,、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器,、電力變換器,、電力控制器、電力調(diào)節(jié)器,、電力變換器,、電力控制器等。

    4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1,、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,。IGBT模塊可以提供高效的電力控制,，可以控制電流和電壓，可以提供高效的電力控制,。通用模塊類型

我們研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過特殊配方對(duì)PPS材料進(jìn)行改性,，研發(fā)出了高CTI值300V~600V的PPS料,，已應(yīng)用于IGBT模塊上。微型模塊技術(shù)指導(dǎo)

    流過IGBT的電流值超過短路動(dòng)作電流,，則立刻發(fā)生短路保護(hù),，***門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào),。跟過流保護(hù)一樣,，為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式,。為縮短過流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間,，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns,，從而有效抑制了電流和功率峰值,，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV,、OC,、OT、SC中任一故障時(shí),，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些),，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后,，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位,，門極驅(qū)動(dòng)通道開放?？梢钥闯?，器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的，如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒有排除,，IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過程,，反復(fù)動(dòng)作。過流,、短路,、過熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作,，因此*靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù),。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行,，需要輔助的**保護(hù)電路,。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率,、可靠性和安全性都有重要意義,。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問題,。微型模塊技術(shù)指導(dǎo)