1,、晶閘管智能模塊的應用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應用于控溫,、調(diào)光、勵磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機,、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合,，如工業(yè),、通訊、**等各類電氣控制,、電源等,，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流,、過壓,、過溫、缺相等保護功能,。2,、晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號，通過調(diào)整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié),，實現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程,。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出,，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號采用0～5V，0～10V,，4～20mA三種比較常用的控制形式,。3、模塊的控制端口與控制線模塊控制端接口有5腳,、9腳和15腳三種形式,，分別對應于5芯,、9芯、15芯的控制線,。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口,，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入,，控制線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊,。模塊控制端口插座和控制線插座上都有編號，請一一對應,，不要接反,。以上六個端口為模塊基本端口。IGBT模塊的主要功能是控制電流和電壓,，以及提供高效的電力控制,。它可以用于控制電機、變頻器,、變壓器,。浙江模塊批發(fā)

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例,，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖,。具體實施方式下面結(jié)合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應當說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法,、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的***接頭4,、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中,，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制,。所述***晶閘管單元包括：***壓塊7,、***門極壓接式組件8、***導電片9、第二導電片10,、瓷板11,。其中，所述***壓塊7設(shè)置于所述***門極壓接式組件8上,，并通過所述***門極壓接式組件8對所述***導電片9,、第二導電片10、瓷板11施加壓合作用力,，所述***導電片9,、第二導電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上,。上海電源管理模塊IGBT模塊具有節(jié)能,、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點,。

    若u參照圖2,，保護電路4包括依次相連接的電阻r1、高壓二極管d2,、電阻r2,、限幅電路和比較器，限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2,，限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2,，二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接，二極管vd2輸出端接地,，高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接,，二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接，放大濾波電路3與電阻r1相連接,。放大濾波電路將采集到的流過電阻r7的電流放大后輸入保護電路,，該電流經(jīng)電阻r1形成電壓，高壓二極管d2防止功率側(cè)的高壓對前端比較器造成干擾,，二極管vd1和二極管vd2組成限幅電路,，可防止二極管vd1和二極管vd2中間的電壓，即a點電壓u超過比較器的輸入允許范圍,，閾值電壓uref采用兩個精值電阻分壓產(chǎn)生,，若a點電壓u驅(qū)動電路5包括相連接的驅(qū)動選擇電路和功率放大模塊，比較器輸出端與驅(qū)動選擇電路輸入端相連接,，功率放大模塊輸出端與ipm模塊1的柵極端子相連接,，ipm模塊是電壓驅(qū)動型的功率模塊，其開關(guān)行為相當于向柵極注入或抽走很大的瞬時峰值電流,，控制柵極電容充放電,。功率放大模塊即功率放大器,，能將接收的信號功率放大至**大值，即將ipm模塊的開通,、關(guān)斷信號功率放大至**大值,，來驅(qū)動ipm模塊的開通與關(guān)斷。

    不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和,，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。例電動汽車,、伺服控制器、UPS,、開關(guān)電源,、斬波電源、無軌電車等,。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0智能功率模塊編輯鎖定討論上傳視頻智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,，是一種先進的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度,、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應晶體管)高輸入阻抗,、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯,、控制,、檢測和保護電路，使用起來方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間,，也**增強了系統(tǒng)的可靠性,，適應了當今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復合化和功率集成電路(PIC),，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越***的應用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機制3電路設(shè)計智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成,，如圖1所示,。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合,，由MOSFET驅(qū)動GTR,，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT),、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT),、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣,。又可以應用在急救除顫器上，使其從200V電源輸出100KW的雙向震動,。貴州模塊代理價錢

IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用硅膠,。浙江模塊批發(fā)

    4.晶閘管在導通情況下,，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷。晶體閘流管工作過程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1,、J2、J3三個PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。因此，兩個互相復合的晶體管電路,，當有足夠的門極電流Ig流入時,，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通,，晶體管飽和導通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓,，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小,，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當晶閘管在正向陽極電壓下。浙江模塊批發(fā)