MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻,?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好,，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz,、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大,；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn),，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT,？在電路中,，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題,，如果從系統(tǒng)的電壓,、電流、切換功率等因素作為考慮,，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：人們常問：“是MOSFET好還是IGBT好,？”其實(shí)兩者沒有什么好壞之分，i主要的還是看其實(shí)際應(yīng)用情況,。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別,，您若還有疑問，可以詳詢冠華偉業(yè),。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司,，主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品，產(chǎn)品用于,、LED/LCD驅(qū)動(dòng)板,、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)板、快充,、,、液晶顯示器、電源,、小家電,、醫(yī)療產(chǎn)品、藍(lán)牙產(chǎn)品,、電子秤,、車載電子、網(wǎng)絡(luò)類產(chǎn)品,、民用家電,、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。西門康的IGBT,，除了電動(dòng)汽車用的650V以外,，都是工業(yè)等級(jí)的。北京定制西門康IGBT模塊銷售廠家

所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義,，但是很少有人詳細(xì)地,、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的,，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系,，在應(yīng)用的時(shí)候,，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT,、什么時(shí)候又選擇MOSFET管,。這些問題其實(shí)并非很難，你跟著我看下去,，就能窺見其區(qū)別及聯(lián)系,。為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？要搞清楚IGBT,、BJT,、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解,。BJT：雙極性晶體管,，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例）如下圖所示,。BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號(hào)如同我上篇文章（IGBT這玩意兒——從名稱入手）講的,，雙極性即意味著器件內(nèi)部有空穴和電子兩種載流子參與導(dǎo)電，BJT既然叫雙極性晶體管,，那其內(nèi)部也必然有空穴和載流子,，理解這兩種載流子的運(yùn)動(dòng)是理解BJT工作原理的關(guān)鍵。由于圖中e（發(fā)射極）的P區(qū)空穴濃度要大于b（基極）的N區(qū)空穴濃度,，因此會(huì)發(fā)生空穴的擴(kuò)散,，即空穴從P區(qū)擴(kuò)散至N區(qū)。同理,，e（發(fā)射極）的P區(qū)電子濃度要小于b（基極）的N區(qū)電子濃度,，所以電子也會(huì)發(fā)生從N區(qū)到P區(qū)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。這種運(yùn)動(dòng)終會(huì)造成在發(fā)射結(jié)上出現(xiàn)一個(gè)從N區(qū)指向P區(qū)的電場(chǎng),，即內(nèi)建電場(chǎng),。貴州本地西門康IGBT模塊多少錢MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。

當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三,、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的,。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定,、安全工作的前提,，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制,。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷,。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態(tài)交替工作,。(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷,。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜,。(2)IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮,。快速開通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開關(guān)損耗,。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開頻率不宜過大,。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊，如圖15所示,，半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51,，還包括驅(qū)動(dòng)集成塊52和檢測(cè)電阻40。具體地,，如圖16所示,，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上，驅(qū)動(dòng)集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接,，以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20工作,；si端口通過模塊引線端子521與檢測(cè)電阻40連接，用于獲取檢測(cè)電阻40上的電壓,；以及,，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測(cè)區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接，檢測(cè)電阻40的另一端還分別與電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接,，從而通過si端口獲取檢測(cè)電阻40上的測(cè)量電壓,，并根據(jù)該測(cè)量電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊,，設(shè)置有igbt芯片,，其中，igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域,、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域,；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面,，且,，第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置,；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元，以及,，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元,、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中,，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。

MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件,，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似,，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢,？接下來冠華偉業(yè)為你解惑,！何為MOS管？MOS管即MOSFET,，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同,，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,。MOS管本身自帶有寄生二極管,，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞mos管,，因?yàn)樵谶^壓對(duì)MOS管造成破壞之前,，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地,，從而避免MOS管被燒壞,。何為IGBT？IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),，絕緣柵雙極型晶體管,，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一,，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管,、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒有體二極管,，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有,，除非官方資料有特別說明，否則這個(gè)二極管都是存在的,。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的。GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大。吉林西門康IGBT模塊口碑推薦

IGBT 在開通過程中,，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,。北京定制西門康IGBT模塊銷售廠家

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí),，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容,，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。北京定制西門康IGBT模塊銷售廠家