此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側(cè)上的晶體管,。此外,，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導(dǎo)類型,、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉(zhuǎn),。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應(yīng)當(dāng)注意,，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進(jìn)行組合,。后，基于上文給出的功能指示,，所描述的實施例的實際實現(xiàn)在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi),。根據(jù)以上詳細(xì)描述，可以對實施例進(jìn)行這些和其他改變,。通常,，在所附權(quán)利要求中，所使用的術(shù)語不應(yīng)被解釋為將權(quán)利要求限制于說明書和權(quán)利要求中公開的特定實施例,，而是應(yīng)被解釋為包括權(quán)利要求所要求保護(hù)的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍,。因此，權(quán)利要求不受本公開的限制,。發(fā)光二極管芯片陣列固定在印刷電路板的一個面上,。福建常見二極管

    所述二極管結(jié)構(gòu)包括覆蓋所述襯底和所述溝槽的傳導(dǎo)層，所述傳導(dǎo)層電連接到所述襯底以及電連接到所述一傳導(dǎo)區(qū)域和所述第二傳導(dǎo)區(qū)域。在一些實施例中,，所述傳導(dǎo)層與所述襯底接觸或者與所述襯底分離小于300nm,。在另一方面，提供了一種二極管,。該二極管包括：襯底,，具有一溝槽；陰極和陽極,，耦合到所述襯底,；一傳導(dǎo)區(qū)域，位于所述溝槽中并且與所述襯底分離一距離,，所述一距離短于10nm,；以及第二傳導(dǎo)區(qū)域，位于所述溝槽中并且比所述一傳導(dǎo)區(qū)域更深地延伸,。在一些實施例中,，所述襯底包括第二溝槽，所述二極管進(jìn)一步包括：至少一個晶體管,，具有在所述一溝槽和所述第二溝槽之間延伸的至少一個溝道區(qū)域,，所述一傳導(dǎo)區(qū)域限定所述至少一個晶體管的柵極。在一些實施例中,，所述二極管包括：傳導(dǎo)層,，覆蓋所述襯底以及所述一溝槽和所述第二溝槽；以及接觸區(qū)域,，形成在所述襯底中并且將所述溝道區(qū)域電連接到所述傳導(dǎo)層,。在一些實施例中，所述一傳導(dǎo)區(qū)域和所述第二傳導(dǎo)區(qū)域是半導(dǎo)體區(qū)域,，所述溝道區(qū)域和所述一傳導(dǎo)區(qū)域摻雜有相反的導(dǎo)電類型,。在一些實施例中，所述二極管包括漏極區(qū)域,，所述漏極區(qū)域在所述溝道區(qū)域下方以及在所述一溝槽和所述第二溝槽之間延伸在一些實施例中,。浙江優(yōu)勢二極管代理商在反向電壓作用下，電阻很大,，處于截止?fàn)顟B(tài),，如同一只斷開的開關(guān)。

    導(dǎo)通電壓UD約為,。在二極管加有反向電壓,，當(dāng)電壓值較小時，電流極小,，其電流值為反向飽和電流IS,。當(dāng)反向電壓超過某個值時,，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿,，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,，從幾十伏到幾千伏[4],。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分,，正向電壓很小,，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零,，這一段稱為死區(qū),。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,，PN結(jié)內(nèi)電場被克服,，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升,。在正常使用的電流范圍內(nèi),，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓,。[4]當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值，內(nèi)電場很快被削弱,，特性電流迅速增長,，二極管正向?qū)ā＝凶鲩T坎電壓或閾值電壓,，硅管約為,，鍺管約為。硅二極管的正向?qū)▔航导s為,，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為,。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流,。由于反向電流很小,，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流,。

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大,。3、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時,，反向電流會突然增大,，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞，在撤除外加電壓后,，其性能仍可恢復(fù),，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高,。二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到,，比較常見和常用的多是晶體二極管,。二極管的單向?qū)щ娞匦裕瑤缀踉谒械碾娮与娐分?，都要用到半?dǎo)體二極管,，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導(dǎo)體器件之一,，其應(yīng)用也非常廣,。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為,，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同,。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為,，黃色發(fā)光二極管的壓降為—,，綠色發(fā)光二極管的壓降為—，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA,。二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理,。常用來觸發(fā)雙向可控硅 ,，在電路中作過壓保護(hù)等用途。

    本公開一般地涉及電子電路,，更具體地涉及二極管結(jié)構(gòu)和二極管,。背景技術(shù)：在某些應(yīng)用中，例如在功率電子應(yīng)用中,，期望二極管能夠利用二極管兩端盡可能低的電壓降來在正向電流中傳導(dǎo)高值,，例如大于1a、或者甚至大于100a,。進(jìn)一步期望二極管在反向偏置時傳導(dǎo)盡可能低的電流,。進(jìn)一步期望二極管能夠阻擋電流流動來獲得高反向電壓值,，例如大于10v、或甚至大于100v,。技術(shù)實現(xiàn)要素：一個實施例提供了克服已知二極管結(jié)構(gòu)的全部或部分的缺點(diǎn),。一個實施例提供了能夠獲得具有較大反向電壓或雪崩電壓的二極管的結(jié)構(gòu)，相對于已知的二極管,，正向電壓降和/或漏電流得到改善,。在一個方面，提供了一種二極管結(jié)構(gòu),。該二極管結(jié)構(gòu)包括：襯底,，具有溝槽；一傳導(dǎo)區(qū)域,，位于所述溝槽中并且與所述襯底分離一距離,，所述一距離短于10nm；以及第二傳導(dǎo)區(qū)域,，位于所述溝槽中并且比所述一傳導(dǎo)區(qū)域更深地延伸,。在一些實施例中，所述第二傳導(dǎo)區(qū)域與所述襯底分離第二距離,，所述第二距離大于所述一距離,。在一些實施例中，所述二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：一電介質(zhì)層,，將所述一傳導(dǎo)區(qū)域與所述襯底分離,；以及第二電介質(zhì)層，將所述第二傳導(dǎo)區(qū)域與所述襯底分離,。在一些實施例中,，所述襯底是半導(dǎo)體。在一些實施例中,。內(nèi)置控制電路發(fā)光二極管點(diǎn)陣顯示模塊,。進(jìn)口二極管值得推薦

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅,、硒,、鍺等)制成的一種電子器件 。福建常見二極管

    促使整流管加速老化,，并被過早地?fù)舸p壞,。（3）運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,，對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至第二天上午6點(diǎn)之間)不了解,，或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障，運(yùn)行人員沒有及時進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,，產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞,。（4）設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過關(guān),。由于發(fā)電機(jī)組長期處于較大的振動之中運(yùn)行，使整流管也處于這一振動的外力干擾之下,；同時由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時高時低,，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便地加速了整流管的老化,、損壞,。（5）整流管規(guī)格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤,，造成整流管擊穿損壞,。（6）整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓,、過電流安全裕量偏小,，使整流管承受不起發(fā)電機(jī)勵磁回路中發(fā)生的過電壓或過電流暫態(tài)過程峰值的襲擊而損壞。整流二極管代換編輯整流二極管損壞后,，可以用同型號的整流二極管或參數(shù)相同其它型號整流二極管代換,。通常，高耐壓值（反向電壓）的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管,，而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管,。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管。福建常見二極管