原因是導(dǎo)通電阻小,，且容易,。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主,。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候,，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，大電壓等,，大電流等,，也有很多人考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,，但并不是的,，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。1,、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET）,，可以被**成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型,，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,，比較常用的是NMOS,。原因是導(dǎo)通電阻小，*,。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS。下面的介紹中,，也多以NMOS為主,。MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件。浙江本地MOS管值得推薦

    當柵-源電壓VGS=0時,，即使加上漏-源電壓VDS,，總有一個PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過）,，所以這時漏極電流ID=0,。此時若在柵-源極間加上正向電壓，圖1-2-(b)所示,，即VGS＞0,，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個柵極指向P型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的,，柵極所加電壓VGS無法形成電流,，氧化物層的兩邊就形成了一個電容,，VGS等效是對這個電容充電，并形成一個電場,，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引,，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道,，當VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為2V）時，N溝道管開始導(dǎo)通,，形成漏極電流ID,，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示,?？刂茤艠O電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點,，所以也稱之為場效應(yīng)管。3,、MOS管的特性：上述MOS管的工作原理中可以看出,，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在,，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,，電壓VGS產(chǎn)生電場從而導(dǎo)致源極-漏極電流的產(chǎn)生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,。廣東常見MOS管銷售價格結(jié)型場效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,。

    JFET)：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。(2),、絕緣柵型：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型,。無論是什么溝道,，它們又分為增強型和耗盡型兩種。4,、按溝道分類可分為N溝道和P溝道管（在符號圖中可看到中間的箭頭方向不一樣）,。三、MOS管的區(qū)別低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別：高壓mos管電壓在400V~1000V左右,，低壓mos管在1~40V左右,。以上描述供參考，希望可以幫助到您聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,，如需轉(zhuǎn)載,，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片,、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有,。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認,，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失,，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當處理措施,。

    一,、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，英文名metaloxidesemiconductor,，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此,，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管,。二、MOS管的構(gòu)造,。MOS管這個器件有兩個電極,，分別是漏極D和源極S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻,、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+/P+區(qū)，并用金屬鋁引出漏極D和源極S,。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜,，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G,。這就構(gòu)成了一個N/P溝道（NPN型）增強型MOS管,。三、MOS管的特性,。MOS管具有輸入阻抗高,、噪聲低、熱穩(wěn)定性好,；制造工藝簡單,、輻射強，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路,。四,、MOS管的電壓極性和符號規(guī)則:圖一是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極,，S是源極,，G是柵極,，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,，箭頭向外表示是P溝道的MOS管,。在實際MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規(guī)則中,；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,，以區(qū)別漏極和源極。圖三是P溝道MOS管的符號,。它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴散電流和電場在垂直方向上的不同導(dǎo)電特性來工作的。

    而用開啟電壓VT表征管子的特性,。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似,。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生,，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時摻入負離子),，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下,，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS，就有電流iD,。如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬,，溝道電阻變小,，iD增大。反之vGS為負時,，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄，溝道電阻變大,，iD減小,。當vGS負向增加到某一數(shù)值時，導(dǎo)電溝道消失,，iD趨于零,，管子截止，故稱為耗盡型,。溝道消失時的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負值,，但是,，前者只能在vGS0，VP（4）電流方程：在飽和區(qū)內(nèi),，耗盡型MOS管的電流方程與結(jié)型場效應(yīng)管的電流方程相同,，即：各種場效應(yīng)管特性比較P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)。N-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差超過閾值時,，D極和S極導(dǎo)通,。廣東常見MOS管銷售價格

MOS管的輸入電阻極大，兆歐級的,，容易驅(qū)動,，但是價格比三極管要高。浙江本地MOS管值得推薦

    耐高壓的MOS管與耐低壓的MOS管區(qū)別：耐高壓的MOS管其反應(yīng)速度比耐低壓的MOS管要慢,。mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認為是對稱的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,，在輸出端輸出一個大的電流變化,。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管,，叫做場效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比,。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）,。而P溝道常見的為低壓Mos管,。浙江本地MOS管值得推薦