再用短路線將G與T1（或T2）短接一下后離開,，如果結(jié)果同上,，也證明雙向可控硅中的另一部分（其中的一個單向可控硅是好的。測試到止說明雙向可控硅整個都是好的,，即在兩個方向（在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通,。方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力。如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器,，將萬用表置于R&TImes;10k檔（V電壓）,，對電解電容器充電3~5s后用來代替圖1中的短路線,，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號，然后再將萬用表置于R×10檔,，照圖2（b）連接好后進行測試,。測試時，電容C的極性可任意連接,，同樣是碰觸一下后離開,，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測試結(jié)果與“方法二’相同,，就證明雙向可控硅是好的,。雙向可控硅觸發(fā)電路雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱雙向晶閘管,，在單片機控制系統(tǒng)中,，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,，控制電路簡單,，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,，且連接在強電網(wǎng)絡(luò)中,，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制極,。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾,。雙向可控硅的規(guī)格、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

    可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱,，故稱可控硅,，它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）,。中文名可控硅開關(guān)外文名Thyristor別稱晶體閘流管性質(zhì)大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件目錄1分類2特點及應(yīng)用3鑒別硅電極4封裝形式品牌可控硅開關(guān)分類編輯按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆可控硅開關(guān)導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。[1]按引腳和極性分類可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。[1]按封裝形式分類可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。[1]按電流容量分類可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。[1]按關(guān)斷速度分類可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。

    可控硅基礎(chǔ)知識環(huán)昕微可控硅基礎(chǔ)知識,，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,，它主要由摻雜形成,；自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成,?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子,。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì),。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子,。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子,，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成,。提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子,，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì)。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后,，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少,，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別,。這樣,，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散,。于是，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴散,，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴散,。它們擴散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子,，留下了帶正電的雜質(zhì)離子,。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動，因此不參與導(dǎo)電,。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近,，形成了一個很薄的空間電荷區(qū)，就是所謂的PN結(jié),。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹,。

    1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對一電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進行的,，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“一象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“一象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。(4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負(fù)信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠,，因此在實際使用時,，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多?？煽毓杼匦跃庉嫵Ｓ玫挠凶枞菀葡鄻蛴|發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等。市場上常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列,。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號圖可控硅工作原理編輯可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié),，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示,。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,，電極引腳向下,。又因為晶閘管在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家

    但因TRIAC能雙向?qū)ㄖ?，在正?fù)半周均能觸發(fā),、可作為全波功率控制之用，因此TRIAC除具有SCR的優(yōu)點,，更方便于交流功率控制,，圖(a)為TRIAC相位控制電路，只適當(dāng)?shù)恼{(diào)整RC時間常數(shù)即可改變它的激發(fā)角,，圖(b),，(c)分別是激發(fā)角為30度時的VT1-T2及負(fù)載的電壓波形，一般TRIAC所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比SCR小,，大體上而言約在600V,，40A以下。15.可控硅特性1）靜態(tài)的伏安特性第I象限的是正向特性有阻斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)之分,。在正向阻斷狀態(tài)時,，可控硅的伏安特性是一組隨門極電流的增加而不同的曲線簇。當(dāng)IG足夠大時,，可控硅的正向轉(zhuǎn)折電壓很小,，可以看成與一般二極管一樣。第III象限的是反向特性可控硅的反向特性與一般二極管的反向特性相似。IG=0時,，器件兩端施加正向電壓,，為正向阻斷狀態(tài)，只有很小的正向漏電流流過,，正向電壓超過臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo,，則漏電流急劇增大，器件開通隨著門極電流幅值的增大,，正向轉(zhuǎn)折電壓降低導(dǎo)通后的可控硅特性和二極管的正向特性相仿可控硅本身的壓降很小,，在1V左右導(dǎo)通期間，如果門極電流為零,，并且陽極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下,，則可控硅又回到正向阻斷狀態(tài)。IH稱為維持電流,?？煽毓枭鲜┘臃聪螂妷簳r。山東哪里有英飛凌可控硅銷售廠家