定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管,，逆導晶閘管，光控晶閘管等,。它是一種大功率開關型半導體器件,，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）,。晶閘管（Thyristor）是一種開關元件,，能在高電壓、大電流條件下工作,，并且其工作過程可以控制,、被應用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關,、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備,。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構(gòu)成的,，中間形成了三個PN結(jié)。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關斷,、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）,、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）,、門極關斷晶閘管（GTO）,、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,。整流橋的上述特性可等效成對應于輸入電壓頻率的占空比大約為30%。河北優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管,。其主要特點是，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管,。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時,，控晶閘管可以等效成的電路,。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求,，有選擇性,。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件,，具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,。它基本的用途就是可控整流,，其工作過程可以控制，具有體積小,、輕,、功耗低、效率高,、開關迅速等優(yōu)點,。基于上述特點,。河北優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離,，整流變壓器的等效容量大，體積龐大,。

在恢復電流快速衰減時,，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t,。[1]反向恢復過程結(jié)束后,，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復時間tgr,。在反向阻斷恢復時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導通,。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t,、關斷時間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時,，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標稱其額定電流的參數(shù),。

或電流）的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),。3.一旦晶閘管開始導通,，它就被鉗住在導通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消,。晶閘管不能被門極關斷,，像一個二極管一樣導通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,，它才會截止,。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通,。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬,，如圖G1所示。當晶閘管的柵極懸空時,，BG1和BG2都處于截止狀態(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL,，當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通,，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高,，BG1的基極電位進一步下降，經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài),。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài),，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止狀態(tài),，我們稱這個電流為維持電流。多組三相整流橋相互連接,，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消,。

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設計好方法選用無感電容,，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,，有時對時間短,、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關,，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當加上電壓時。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,。河北優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了，分全橋和半橋,。河北優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦

引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,，粒界層又恢復為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動,，它兩端的電壓值,。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟沖擊產(chǎn)生電流值來表示,。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),，標稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當大到某一部分電流時,，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此我們必須進行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過電壓能力強,；平時漏電流小，放電后不會有續(xù)流,，元件的標稱電壓等級多,，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的,，可用于交,、直流或正負浪涌；因此用途較廣,。過電流保護由于半導體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴格的控制,。河北優(yōu)勢美國IR整流橋模塊值得推薦