下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,，測量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí),，電阻呈低阻值,，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G,、K極,，剩下的就是A極。（此處指的模擬表,，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發(fā)晶閘管,。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G,、陽極A和陰極K,。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個(gè)電極（陽極A和陰極K）,。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,，光控晶閘管亦有受光窗口,，還有兩條管腳和殼體，酷似光電二極管,。2．光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，控晶閘管可以等效成的電路,?？赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-（a1+a2）]式中，Il為光電二極管的光電流,；Ia為光控晶閘管陽極電流,，即光控晶閘管的輸出電流；a1,、a2分別為BGl,、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知,。普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件,，出現(xiàn)于70年代。河北進(jìn)口NELL尼爾可控硅模塊現(xiàn)貨

認(rèn)識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽極,，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個(gè)極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通,。它無所謂陽極和陰極,，不管觸發(fā)信號的極性如何，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的,。2．快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施。河北進(jìn)口NELL尼爾可控硅模塊現(xiàn)貨晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路。

這對晶閘管是非常危險(xiǎn)的,。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如,，交流以及開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進(jìn)行電容,、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉運(yùn)動(dòng)速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設(shè)計(jì)將會(huì)有更高的過電壓,。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,，就會(huì)產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負(fù)荷,、導(dǎo)通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時(shí),，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；抑制過電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑,。

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管,，指的是具有四層交錯(cuò)P,、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier,，SCR）,，中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導(dǎo)體控制整流器,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,，為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ?，即與一般的二極管相比,，可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用,，并體積小,、輕、功耗低,、效率高,、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)，***用于無觸點(diǎn)開關(guān),、可控整流,、逆變、調(diào)光,、調(diào)壓,、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生,。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展，其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,，特點(diǎn)為小功率,、集成化，作為信息的檢出,、傳送和處理的工具,；而另一類就是電力電子器件，特點(diǎn)為大功率,、快速化,。1955年。金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,。

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號上的額定電壓,。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值,，稱為額定通態(tài)平均電流IT，簡稱額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比,，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷,。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽極,，陰極和門極。河北進(jìn)口NELL尼爾可控硅模塊現(xiàn)貨

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器,，曾被簡稱為可控硅,。河北進(jìn)口NELL尼爾可控硅模塊現(xiàn)貨

家用電器中的調(diào)光燈,、調(diào)速風(fēng)扇,、冷暖空調(diào)器、熱水器,、電視,、冰箱、洗衣機(jī),、照相機(jī),、音響組合、聲控電路,、定時(shí)控制器,、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器,、自動(dòng)門電路,、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品,、無線電遙控電路,、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,，可控硅元件可以多用來作可控整流,、逆變、變頻,、調(diào)壓,、無觸點(diǎn)開關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來越廣，作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍,。晶閘管的功能更加,。但有時(shí)，在晶閘管的過程中會(huì)造成一定的傷害,。為了保證晶閘管的生活,，我們?nèi)绾胃玫乇Ｗo(hù)區(qū)晶閘管呢？1,、過電壓保護(hù)晶閘管對過電壓很敏感,，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),，晶閘管就會(huì)立即損壞,。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法,。過電壓產(chǎn)生的主要原因是所提供的電力或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或系統(tǒng)中積累的電磁能量來不及消散,。主要發(fā)現(xiàn)開關(guān)開閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過電壓有兩種類型,。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰。河北進(jìn)口NELL尼爾可控硅模塊現(xiàn)貨