晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極,，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何,，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用,。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。福建優(yōu)勢Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷售價格

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管,，指的是具有四層交錯P,、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier,，SCR）,，中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導(dǎo)體控制整流器,，是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,，為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,，可以對導(dǎo)通電流進(jìn)行控制,。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小,、輕,、功耗低、效率高,、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),，***用于無觸點(diǎn)開關(guān)、可控整流,、逆變,、調(diào)光、調(diào)壓,、調(diào)速等方面,。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項**重大的突破，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生,。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個分支快速發(fā)展，其中一個分支即是以集成電路為**的微電子器件,，特點(diǎn)為小功率,、集成化，作為信息的檢出,、傳送和處理的工具,；而另一類就是電力電子器件，特點(diǎn)為大功率,、快速化,。1955年。福建優(yōu)勢Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷售價格晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2,，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,，即使此時門極電流Ig=0，晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時,，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。特性特性曲線晶閘管的陽極電壓與陽極電流的關(guān)系,，稱為晶閘管的伏安特性,，如圖所示。晶閘管的陽極與陰極間加上正向電壓時,，在晶閘管控制極開路(Ig=0)情況下,，開始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過。

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來控制車輛的速度,。但它有不能平滑起動和加速,。開關(guān)體積大,、壽命短，而且低速運(yùn)行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管,，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車速，不*克服了上述缺點(diǎn)，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車可靠性,。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管，可對電感負(fù)載關(guān)斷時產(chǎn)生的大電流,、高電壓進(jìn)行快速釋放,。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A。吸收電流達(dá)150A,，關(guān)斷時間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管,。可關(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為,，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。晶閘管晶閘管前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后,，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源,。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷,。

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安,。IH與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高，則I越小,。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,，通常I約為I的2～4倍,。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫,、門極開路的情況下,，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下,，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率,。如果di/dt過大,，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞,。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖,，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通,；②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,，對一些溫度較低的場合,，脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍,，脈沖的陡度也需要增加，一般需達(dá)1～2A/μs,；③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過晶閘管門極的電壓,、電流和功率定額。晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,，是指門極開路時,，允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓,。福建優(yōu)勢Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷售價格

整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件,。福建優(yōu)勢Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷售價格

除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。2、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換,。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1,、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔,，有時需用擴(kuò)大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2,、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4,、邊緣損壞,。福建優(yōu)勢Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷售價格