晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,；1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極,；晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何,，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極失去作用,。門(mén)極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。福建優(yōu)勢(shì)Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。晶閘管晶體閘流管（英語(yǔ)：Thyristor），簡(jiǎn)稱晶閘管,，指的是具有四層交錯(cuò)P,、N層的半導(dǎo)體裝置,。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR）,，中國(guó)大陸通常簡(jiǎn)稱可控硅,，又稱半導(dǎo)體控制整流器，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件,，為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**,。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ姡磁c一般的二極管相比,，可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用,，并體積小,、輕、功耗低,、效率高,、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)，***用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),、可控整流,、逆變、調(diào)光,、調(diào)壓,、調(diào)速等方面。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生,。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,，其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,，特點(diǎn)為小功率、集成化,，作為信息的檢出,、傳送和處理的工具；而另一類(lèi)就是電力電子器件,，特點(diǎn)為大功率,、快速化。1955年,。福建優(yōu)勢(shì)Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門(mén)極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高其電流放大系數(shù)a2,，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,，即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0，晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后,，門(mén)極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí)，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。特性特性曲線晶閘管的陽(yáng)極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系,，稱為晶閘管的伏安特性,，如圖所示。晶閘管的陽(yáng)極與陰極間加上正向電壓時(shí),，在晶閘管控制極開(kāi)路(Ig=0)情況下,，開(kāi)始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過(guò)。

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車(chē)和地鐵機(jī)車(chē)為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開(kāi)關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來(lái)控制車(chē)輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速,。開(kāi)關(guān)體積大、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車(chē)速,，不*克服了上述缺點(diǎn)，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車(chē)可靠性,。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的?yáng)極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管，可對(duì)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流,、高電壓進(jìn)行快速釋放,。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A,。吸收電流達(dá)150A,，關(guān)斷時(shí)間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。晶閘管晶閘管前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài),。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,，一般為幾十到幾百毫安,。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,，則I越小,。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流,。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō),，通常I約為I的2～4倍,。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過(guò)載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫,、門(mén)極開(kāi)路的情況下,，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下,，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率,。如果di/dt過(guò)大，在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi),，從而造成局部過(guò)熱而使晶閘管損壞,。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時(shí)正常開(kāi)通,。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通,；②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，對(duì)一些溫度較低的場(chǎng)合,，脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍,，脈沖的陡度也需要增加，一般需達(dá)1～2A/μs,；③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過(guò)晶閘管門(mén)極的電壓,、電流和功率定額。晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,，是指門(mén)極開(kāi)路時(shí),，允許加在陽(yáng)極、陰極之間的比較大反向電壓,。福建優(yōu)勢(shì)Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件,。福建優(yōu)勢(shì)Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格

除了考慮通過(guò)元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值,。2、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換,。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱,。5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置,。6,、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出,，打開(kāi)芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象分析。1,、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn),。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2,、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。福建優(yōu)勢(shì)Sirectifier矽萊克可控硅模塊銷(xiāo)售價(jià)格