金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時候可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽極A加上正向電壓時,，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2,。此時,，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?。晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何,，即晶閘管導(dǎo)通后,，門極失去作用。北京優(yōu)勢NELL尼爾可控硅模塊值得推薦

引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，抑制了過電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考壓敏電阻直流1mA電流流動,，它兩端的電壓值,。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),，標(biāo)稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時,，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標(biāo)稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過電壓能力強(qiáng),；平時漏電流小,，放電后不會有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制。NELL尼爾可控硅模塊銷售價格當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時,，晶閘管就會立即損壞,。

在恢復(fù)電流快速衰減時，由于外電路電感的作用,，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時間t,。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢,，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關(guān)斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t、關(guān)斷時間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時,，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù),。

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通,，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài)，而此時門極電流可以取消,。晶閘管不能被門極關(guān)斷,，像一個二極管一樣導(dǎo)通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止,。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后,，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬,，如圖G1所示,。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),，此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL,，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降,，BG1因此開始道通,，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高，BG1的基極電位進(jìn)一步下降,，經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài),。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài)，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變,。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止，另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,，當(dāng)減少到某一個值時由于電路的正反饋?zhàn)饔?，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，我們稱這個電流為維持電流,。逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時間幾微秒,，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。北京優(yōu)勢NELL尼爾可控硅模塊值得推薦

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代,。北京優(yōu)勢NELL尼爾可控硅模塊值得推薦

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管,、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管,、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的,。其中,，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形,，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中,、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管,。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR,，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,。SCR是它的縮寫,。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC),?？煽毓枰卜Q作一個晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件,。北京優(yōu)勢NELL尼爾可控硅模塊值得推薦