陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通）,。[3]鑒別注意事項控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿。[3]若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞,。[3]可控硅開關(guān)封裝形式品牌編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220AB,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252等,。[2]可控硅的主要廠家品牌：ST,，NXP/PHILIPS,，NEC，ON/MOTOROLA,，RENESAS/MITSUBISHI,，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA,，JX,，SANREX，SANKEN,，SEMIKRON,，EUPEC，IR等,。當(dāng)這個電壓增加等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時,，左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通，這時的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl,。山西常見英飛凌可控硅供應(yīng)商

    2）5.雙向可控硅介紹（1）5.雙向可控硅介紹（2）5.雙向可控硅介紹（3）可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時,，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,。當(dāng)陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時,，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2,。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋,，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用，所以一旦可控硅導(dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的.由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化.6.目前產(chǎn)品封裝插件（TO-92,，TO-126,，TO-202，TO-220,，TO-3P,，TO-3PS，TO-251,TO-262,SOT-82,TO-202-3,TO-220F,TO-247,TO-247S,RD91,TG-C）貼片（SOT-23,，SOT-23-3L,SOT-89,，SOT-223，SOT-252,。山西常見英飛凌可控硅供應(yīng)商它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。

    1）.過壓擊穿可控硅不能承受電壓而損壞,，可控硅對過壓的承受能力幾乎沒有時間的,，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿。過壓擊穿特征：芯片中有一個光潔的小孔,。檢查可控硅兩端RC吸收回路是否有燒壞或失效的,，即可避免干擾脈沖所引起的瞬間過壓。（2）過流擊穿電流超過額定電流,，并在可控硅芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng),，使芯片溫度升高，失效且不能恢復(fù),。過流擊穿特征：電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象,，痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞。選擇可控硅耐壓2~3倍,。（3）過熱擊穿工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿,。特征：電子元器件表面有燒焦現(xiàn)象，痕跡特征是芯片出現(xiàn)坑洞,。注意環(huán)境溫度,，保持可控硅與散熱器之間的接觸面良好。11.可控硅電壓說明功率器件的耐壓與市電輸入電壓有直接關(guān)系,，通常情況下,，功率器件的耐壓是市電輸入電壓的三倍。故,，正反向耐壓計算公式為：輸入電壓×3=功率器件的額定電壓,。例如：中國的市電兩相輸入電壓為180V~240V，國標(biāo)是以220V為標(biāo)準(zhǔn)值,，功率器件在計算其耐壓時是取平均值的,，即以200V為基準(zhǔn),，則計算公司為：200V×3≈600V,，三相電輸入的280V～380V，三相電的應(yīng)用主要是電機(jī)電路,，電壓落差也很大,。故功率器件取其平均值也分幾個檔次：265V。

    晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值,，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高,，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈,，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰,。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。

    這是因為雙向可控硅在一個方向單向可控硅的工作原理圖導(dǎo)通結(jié)束時,，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施,。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,，如溫度控制、燈光控制,、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路,。二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連,，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）。單,、雙向可控硅的判別先任測兩個極,，若正、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極，余下是T2極,。性能的差別將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,，黑筆同時接通G,、A極,。一象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,，我們稱為正向電壓。山西常見英飛凌可控硅供應(yīng)商

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。山西常見英飛凌可控硅供應(yīng)商

    AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率可控硅延伸閱讀編輯1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時,，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,，來濾掉高頻噪聲,。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個大的電感性負(fù)載時,，在負(fù)載電壓和電流間有一個很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓,。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅,。山西常見英飛凌可控硅供應(yīng)商