采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對(duì)較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無感電容，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作。江蘇定制瑞士ABB晶閘管模塊銷售廠家

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1,、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2、關(guān)斷電荷和開通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,，延遲時(shí)間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡,。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少，則易關(guān)斷,，關(guān)斷時(shí)間也短,，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)的根本目的的是保證動(dòng),、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行且都得到充分的利用,。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護(hù)、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均壓,、觸發(fā)一致性,、反向恢復(fù)過電壓的抑制、開通關(guān)斷緩沖等一系列問題,。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件,，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標(biāo)有元件的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),。。江蘇定制瑞士ABB晶閘管模塊銷售廠家晶閘管為半控型電力電子器件,。

測(cè)量時(shí)黑表筆接陽極A,，紅表筆接陰極K，此時(shí)表針不動(dòng),，顯示阻值為無窮大(∞),。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異),，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A,、K極上的表筆不動(dòng),，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng),，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好,。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似,，也有三個(gè)電極,。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通晶閘管不同,，是把兩個(gè)晶閘管反接在一起畫成的,，如圖2所示。它的型號(hào),，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示,；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來表示的。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看,，雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,，見圖3(a)。為了便于說明問題,，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的,，如圖3(b)。這樣一來,，原來的雙向晶閘管就被分解成兩個(gè)P—N—P—N型結(jié)構(gòu)的單向晶閘管了,。

除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1,、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2,、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。晶閘管有三個(gè)腿,，有的兩個(gè)腿長(zhǎng),，一個(gè)腿短，短的那個(gè)就是門極。

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,。1957年美國(guó)通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽極,，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G，其他兩個(gè)極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通,。它無所謂陽極和陰極，不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的。2．快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,。晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣,，隨著行業(yè)的應(yīng)用范圍增大。江蘇定制瑞士ABB晶閘管模塊銷售廠家

因?yàn)樗梢韵耖l門一樣控制電流,，所以稱之為“晶體閘流管”,。江蘇定制瑞士ABB晶閘管模塊銷售廠家

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對(duì)已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）,。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程。對(duì)于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時(shí)間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%），這段時(shí)間稱為觸發(fā)延遲時(shí)間t,。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時(shí)間（對(duì)于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時(shí)間t,，開通時(shí)間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間,，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān),。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，由于外電路電感的存在,，其陽極電流在衰減時(shí)存在過渡過程,。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復(fù)電流,，經(jīng)過**大值I后,，再反方向衰減。同時(shí),。江蘇定制瑞士ABB晶閘管模塊銷售廠家