晶閘管是一種開關(guān)元件,，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門,，開關(guān)的意思，他的應用在各種電路,，以及電子設(shè)備中,。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當于一跟導線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極，陰極和控制極,，晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作,，并且其工作過程可以控制,、被應用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。晶閘管的分類：晶閘管按其關(guān)斷,、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）,、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）,、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國外,，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,。金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,。安徽貿(mào)易意大利POSEICO晶閘管模塊

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時,，光控晶閘管的輸出電流也相應增大,，同時Il的增大，使BGl,、BG2的電流放大系數(shù)a1,、a2也增大。當al與a2之和接近l時,，光控晶閘管的Ia達到**大,，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度,，稱其為導通光照度,。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導狀態(tài),。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,，它就立即成為通導狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導通,，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,，才能關(guān)閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通,，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通,。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下,，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的,。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的,，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇,，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,，即有選擇性,。波長在——，都是光控晶閘管較為理想的光源,。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時,，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量,。1,、選用可控硅的額定電流時。福建定制意大利POSEICO晶閘管模塊值得推薦這類應用一般多應用在電力試驗設(shè)備上,，通過變壓器,，調(diào)整晶閘管的導通角輸出一個可調(diào)的直流電壓。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時,，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時,，晶閘管才接通。現(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d)),，可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時,，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時,，晶閘管導通時間較早,；UG到達較晚時，晶閘管導通時間較晚,。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間，可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中,，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱為電角,。因此,，在U2的每一個正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α,，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ,。顯然，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍,。通過改變控制角度0或?qū)ń莟heta,，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現(xiàn)可控整流器。

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流,，一般為幾十到幾百毫安,。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高,，則I越小,。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導通所需的**小電流,。對同一晶閘管來說,，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復性**大正向過載電流,。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫,、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率,。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下,，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖,，使得晶閘管在需要時正常開通,。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導通,；②觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合,，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍,，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs,；③所提供的觸發(fā)脈沖應不超過晶閘管門極的電壓,、電流和功率定額。晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,，是指門極開路時,，允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓,。

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形,。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）,。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負載相當于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t,。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間（對于阻性負載相當于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t,，開通時間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān),。[1]關(guān)斷過程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在,，其陽極電流在衰減時存在過渡過程,。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復電流,，經(jīng)過**大值I后,，再反方向衰減。同時,。晶閘管為半控型電力電子器件,。安徽貿(mào)易意大利POSEICO晶閘管模塊

逆導晶閘管的關(guān)斷時間幾微秒，工作頻率達幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。安徽貿(mào)易意大利POSEICO晶閘管模塊

有三個不同電極,、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流,，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生，而且動作快,、壽命長,、可靠性好。在調(diào)速,、調(diào)光,、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,。可控硅分為單向的和雙向的,，符號也不同,。單向可控硅有三個PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個電極,，分別稱為陽極和陰極,，由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合,，陽極接合或柵極的正向電壓,，但沒有施加電壓時，它不導通,，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時,，它將被關(guān)上。一旦開啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側(cè)面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,，其傳導電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是,，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載,。安徽貿(mào)易意大利POSEICO晶閘管模塊