除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應(yīng)立即更換,。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1,、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔,，有時需用擴大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2,、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4,、邊緣損壞,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示,。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況,；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點劃線波形）。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴散的過程,。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后,，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%）,，這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t,。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t，開通時間t定義為兩者之和,，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān),。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在,，其陽極電流在衰減時存在過渡過程,。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復(fù)電流,，經(jīng)過**大值I后,，再反方向衰減。同時,。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來越廣,，隨著行業(yè)的應(yīng)用范圍增大。

或電流）的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通,，它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷,，像一個二極管一樣導(dǎo)通,，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止,。當(dāng)晶閘管再次進(jìn)入正向阻斷狀態(tài)后,，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬,，如圖G1所示,。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),，此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL,，當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降,，BG1因此開始道通,，BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高，BG1的基極電位進(jìn)一步下降,，經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài),。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài)，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變,。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止，另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,，當(dāng)減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)，我們稱這個電流為維持電流。

三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數(shù)字控制,、數(shù)字觸發(fā)板,，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上,。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應(yīng)適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術(shù)參數(shù)3三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便,。電源用變壓器，性能穩(wěn)定可靠,。三相同步方案,定制可適應(yīng)交流5V～380V各種同步電壓,。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應(yīng)不同性質(zhì)負(fù)載，控制精度高,，動態(tài)特性好,。全數(shù)字觸發(fā)，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤,。功能,、參數(shù)設(shè)定采用按鍵操作，故障,、報警,、界面采用LED數(shù)碼管顯示，操作方便,，顯示直觀,。本控制板的所有控制參數(shù)均為數(shù)字量，無溫度漂移變化,，運行穩(wěn)定,、工作可靠。強抗干擾能力,，采用獨特措施,，惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強,，適用范圍寬,，控制板適應(yīng)任何主電路，任何性質(zhì)負(fù)載,。手動,、自動;穩(wěn)流、穩(wěn)壓;電位器控制,、儀表控制可任意選擇和切換,。三相晶閘管數(shù)控板直接觸發(fā)六個10000A以內(nèi)的晶閘管元件的設(shè)備，外接脈沖功放板,。構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管,。

若用于交直流電壓控制,、可控整流、交流調(diào)壓,、逆變電源,、開關(guān)電源保護(hù)電路等，可選用普通單向晶閘管,。若用于交流開關(guān),、交流調(diào)壓、交流電動機線性調(diào)速,、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器,、固態(tài)接觸器等電路中，應(yīng)選用雙向晶閘管,。若用于交流電動機變頻調(diào)速,、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,，可選用門極關(guān)斷晶閘管,。若用于鋸齒波發(fā)生器、長時間延時器,、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,，可選用BTG晶閘管,。若用于電磁灶,、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路,，可選用逆導(dǎo)晶閘管。若用于光電耦合器,、光探測器,、光報警器、光計數(shù)器,、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運行監(jiān)控電路,，可選用光控晶閘管。2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定,。所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量,，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍。晶閘管的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各項要求,，不能偏高或偏低，否則會影響晶閘管的正常工作,。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知,，其門極G與陰極K極之間為一個PN結(jié),。晶閘管可分為普通晶閘管、雙向晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管、晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管多種,。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷,。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍,。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,，但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍,。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作,。3,、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV,；輸出電流≥1A,；（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）,。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩,。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,，嚴(yán)禁反接,。否則將燒壞模塊控制電路。4,、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃,。（2）模塊周圍應(yīng)干燥,、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源,、無塵,、無腐蝕性液體或氣體。山西MagnaChip美格納模塊值得推薦