在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),，由于外電路電感的作用,，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t,。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢,，晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù),。讓輸出電壓變得可調(diào),，也屬于晶閘管的一個(gè)典型應(yīng)用。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管,。其主要特點(diǎn)是,，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管,。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件,。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,，沒(méi)有必要再引出控制極，所以只有兩個(gè)電極（陽(yáng)極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時(shí),，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,，只是它對(duì)光源的波長(zhǎng)有一定的要求,，有選擇性。波長(zhǎng)在0．8——0．9um的紅外線及波長(zhǎng)在1um左右的激光,，都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開關(guān)元件，具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流,，其工作過(guò)程可以控制,，具有體積小、輕,、功耗低,、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),?；谏鲜鎏攸c(diǎn)。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和門極。

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸,，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us,。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺,，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過(guò)門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用,，要關(guān)斷必須切斷電源，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性,，必須另外配以由電感、電容及輔助開關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路,，從而使裝置體積增大,，成本增加，而且系統(tǒng)更為復(fù)雜,、可靠性降低,。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu)，開通損耗大,，工作頻率難以提高,，限制了其應(yīng)用范圍。1970年代末,，隨著可關(guān)斷晶閘管（GTO）日趨成熟,，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件,。

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量,。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍,。2,、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值，不是有效值,，所以,，盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱值，但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱值的幾倍,。因此,，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作,。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±,；紋波電壓≤30mV,；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關(guān)電源,，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）,。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V,。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路,。4,、使用環(huán)境要求（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應(yīng)干燥,、通風(fēng),、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵,、無(wú)腐蝕性液體或氣體,。其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,。

家用電器中的調(diào)光燈,、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器,、熱水器,、電視、冰箱,、洗衣機(jī),、照相機(jī)、音響組合,、聲控電路,、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈,、圣誕燈控制器,、自動(dòng)門電路、以及玩具裝置,、電動(dòng)工具產(chǎn)品,、無(wú)線電遙控電路,、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,，可控硅元件可以多用來(lái)作可控整流,、逆變,、變頻,、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來(lái)越廣,，作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍,。晶閘管的功能更加。但有時(shí),，在晶閘管的過(guò)程中會(huì)造成一定的傷害,。為了保證晶閘管的生活，我們?nèi)绾胃玫乇Ｗo(hù)區(qū)晶閘管呢,？1,、過(guò)電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,，引發(fā)電路故障,；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞,。因此,，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的主要原因是所提供的電力或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,，或系統(tǒng)中積累的電磁能量來(lái)不及消散。主要發(fā)現(xiàn)開關(guān)開閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過(guò)電壓有兩種類型,。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,。1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。遼寧貿(mào)易瑞士ABB晶閘管模塊工廠直銷

其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等,。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，抑制了過(guò)電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示,。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0,，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量,。漏電流：將標(biāo)稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低,，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,，便于用戶選擇；伏安特性是對(duì)稱的,，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣,。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,。山東本地瑞士ABB晶閘管模塊代理商