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濺射閘閥氣動閥

來源: 發(fā)布時間:2024-05-21

微泰,傳輸閥 (I-MOTION),、I型轉(zhuǎn)換閥,、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥應用于晶圓加工,,半導體加工,,可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材料:鋁或不銹鋼? 緊湊型設(shè)計? 使用維修配件工具包易于維護? 應用:半導體系統(tǒng)中小于 450mm 晶圓的傳輸和處理室隔離,,傳輸閥 (I-MOTION),、輸送閥、轉(zhuǎn)移閥規(guī)格如下:閘門密封類型:傳輸閥 (I-MOTION),、右動轉(zhuǎn)換閥,、驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸(內(nèi)徑) 32×222/46×236/50×336/56×500 ,、連接方式:焊接波紋管,、閘門密封 Viton O 形圈/硫化密封件、閥蓋密封:氟橡膠O型圈,、響應時間:≤ 2 sec,、工作壓力范圍:1×10-10 mbar to 1200 mbar、開始時的壓差:≤ 30 mbar,、開啟時壓差: ≤ 1200 mbar r,、泄漏率不銹鋼:< 1×10 -9Mbar?/秒/鋁:< 1×10 -5  mbar ?/秒、維護前可用次數(shù): ≥1,000,000次、閥體溫度≤ 200 °,、機構(gòu)溫度≤ 80 °C,、烤爐溫度≤ 200 °C、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化),、安裝位置:任意,、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron,、UMC,、AKT、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽il閥的結(jié)構(gòu)比較簡單,,一般由閥體,、閥座、閥桿,、閘板,、閥蓋、密封圈幾部分組成,。濺射閘閥氣動閥

閘閥

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,,氣動多位置閘閥,氣動多定位閘閥,,多定位插板閥,,Pneumatic Multi Position 其特點是1,全開和關(guān)閉位置使用帶有位置發(fā)射器的氣動電磁閥進行控制,;2,,所有位置控制都由控制器進行操作。1)控制類型-全開:高速閘門全開操作-全閉:高速閘門全閉操作-位置(POS.)控制:將閘門移動到設(shè)定的位置值,;2)操作時間-完全打開?完全關(guān)閉:<2秒(取決于速度控制器設(shè)置)-位置(POS,。)控制: 0%?100%工作,<MAX18秒(偏差: < ±0.5%),。微泰氣動多位置閘閥,,氣動多定位閘閥,多定位插板閥,,Pneumatic Multi Position,,有中國臺灣Micron,、UMC、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron,、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,。超大型真空閘閥英菲尼亞半導體閘閥形體簡單,結(jié)構(gòu)長度短,,制造工藝性好,,適用范圍廣。

濺射閘閥氣動閥,閘閥

微泰,,三(多)位閘閥,、三位閘閥、多位閘閥應用于? 蒸發(fā)?濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? 涂層? 蝕刻? 擴散?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上,??商娲鶹AT閘閥。其特點是*3個位置功能-閥門打開,閥門關(guān)閉,第3位置*設(shè)備可通過連接到閥門的9 Pin D-Sub來讀取閥門狀態(tài)*手動和氣動閥門組合*應用:需要壓力控制的任何其他過程*應用:需要壓力控制的地方,。三位閘閥,、多位閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:氣動、法蘭尺寸:2.5英寸~ 12英寸,、法蘭類型ISO, JIS, ASA, CF,、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM,、閥蓋密封:Viton O型圈、響應時間:≤ 2 sec,、操作壓力范圍:2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差:≤ 30 mbar,、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar,、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù):200,000次,、閥體溫度≤ 200 °,、機構(gòu)溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C,、材料:閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化),、安裝位置:任意、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar,。有中國臺灣Micron,、UMC,、AKT、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve,,加熱插板閥,,加熱閘閥,加熱器的加熱溫度為180-200度(可通過控制器設(shè)置溫度)-規(guī)格:適用雙金屬(達到200度時,,斷電后溫度下降后重新啟動),,應用于去除粉末/氣體設(shè)備。微泰,,加熱閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上,。加熱閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:手動或氣動、法蘭尺寸:1.5英寸~ 12英寸,、法蘭類型:ISO,、JIS、ASA,、CF,、連接方式:焊接波紋管、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM,、閥蓋密封:氟橡膠O型圈,、響應時間:≤ 2 sec、操作壓力范圍:1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,,8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar ,、開始時的壓差:≤ 30 mbar、閘門的差動壓力:1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar,、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒,、維護前可用次數(shù):200,000次、,、安裝位置:任意,、操作壓力(N2):4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron,、UMC,、AKT、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,。閘閥(gate valve)是一個啟閉件閘板,,閘板的運動方向與流體方向相垂直,,閘閥只能作全開和全關(guān)。

濺射閘閥氣動閥,閘閥

微泰,,大閘閥,、大型閘閥應用于? Evaporation(蒸發(fā))? Sputtering(濺射)? Diamond growth by MW-PACVD(通過MW-PACVD生長金剛石)? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷)? Coating(涂層)? Etch(蝕刻)? Diffusion(擴散)?CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上,??商娲鶹AT閘閥。微泰大閘閥,、大型閘閥其特點是*陶瓷球機構(gòu)產(chǎn)生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:用于研發(fā)和工業(yè)的隔離閥,。大閘閥、大型閘閥規(guī)格如下:驅(qū)動方式:氣動,、法蘭尺寸(內(nèi)徑):16? ~ 30?,、 法蘭型:ISO,、JIS,、ASA 、饋通:Viton O-Rin,、閥門密封:氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM,、閥蓋密封:氟橡膠O型圈、響應時間:可調(diào)節(jié),、工作壓力范圍:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、維護前可用次數(shù):10,000 ~ 100,000次,、開啟時壓差 ≤ 30 mba,、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ?/sec、閥體溫度≤ 150 °,、機構(gòu)溫度≤ 80 °C,、烤爐溫度≤ 150 °C、材料:閥體(不銹鋼304或316L)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化),、安裝位置:任意、操作壓力(N2):6~ 8 bar,。有中國臺灣Micron,、UMC、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron,、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,,上海安宇泰環(huán)??萍加邢薰尽?真空閘閥的設(shè)計具有獨特的特征,。它們具有堅固的結(jié)構(gòu),,通常使用不銹鋼或鋁等材料來抵抗真空條件。屏蔽閘閥SHIELD GATE VALVE

微泰閘閥可替代HVA閘閥,、VAT閘閥,。濺射閘閥氣動閥

微泰半導體主加工設(shè)備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,控制系統(tǒng)閘閥,,控制閘閥,、控制系統(tǒng)插板閥、控制系統(tǒng)閘閥具有可隔離的閘閥,,以滑動方式操作,,可以在高真空環(huán)境中實現(xiàn)精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用,??刂葡到y(tǒng)閘閥是自動控制到用戶指定的值,通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力,。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation(蒸發(fā)),、Sputtering(濺射)、Diamond growth by MW-PACVD(通過 MW-PACVD 生長金剛石),、PECV,、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷對卷),、Coating(涂層),、Etch(蝕刻)、Diffusion(擴散),、CVD(化學氣相沉積)等設(shè)備上,,可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥,。有中國臺灣Micron,、UMC、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron,、三星半導體和其它的設(shè)備使用業(yè)績,。該閘閥由上海安宇泰環(huán)保科技有限公司提供,。濺射閘閥氣動閥

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