微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥,，三重防護閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群,、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。有-屏蔽閘閥：防止氣體和粉末進入閥內(nèi)的隔離閥,，-三重防護閘閥：屏蔽1和2+保護環(huán)的3重隔離系統(tǒng),，還有步進電機閘閥和鋁閘閥，屏蔽門閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?響應時間：0.2秒~3秒,；三級預防閘閥,，三重防護閘閥：產(chǎn)品范圍：4~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能；步進電機閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~10英寸?高壓/超高壓都可用?維護前可用次數(shù)：25萬次?包括屏蔽功能,；步進電機閘閥,；鋁閘閥：產(chǎn)品范圍：2.5~12英寸?高壓氣動?維護前可用次數(shù)：10萬次?響應時間：0.2秒~3秒；有中國臺灣Micron,、UMC,、AKT、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,，可替代HVA閘閥,、VAT閘閥。上海安宇泰環(huán)?？萍加邢薰?。高壓閘閥只許介質(zhì)單向流動，安裝時有方向性,。它的結構長度大于閘閥,，同時流體阻力大。手動閘閥三星半導體

微泰半導體閘閥具有諸多特點：其閥門驅(qū)動部分的所有滾子和軸承都經(jīng)過精心防護處理,，形成屏蔽和保護環(huán)（Shield Blocker 和 Protection Ring）,，通過三重預防方式有效切斷粉末（Powder）,，從而延長閥門驅(qū)動及使用壽命。該閘閥采用的三重預防驅(qū)動方式中的 Shield 功能,，能夠出色地防止氣體和粉末侵入閥體內(nèi)部,，同時具備三重保護驅(qū)動保護環(huán)，可延長 GV 壽命的 Shield 方法,，并已供應給海外半導體 T 公司,、M 公司和 I 公司的 Utility 設備。此外,，擋板與閥體之間的距離小于 1mm,，能夠強力阻擋內(nèi)部粉末和氣體的流入，屏蔽擋板采用 1.5t AL 材料制成,，充分考慮了其復原力,，并通過 Viton 粉末熱壓工藝制成。而三重保護保護環(huán)的主要功能則包括：AL 材料的重量減輕和保護環(huán)內(nèi)部照明的改善,、保護環(huán)內(nèi)部流速的增加以及三元環(huán)的應用確保了驅(qū)動性能的提升,。三防閘閥I型轉移閥閘閥的結構比較簡單，一般由閥體,、閥座,、閥桿、閘板,、閥蓋,、密封圈幾部分組成。

微泰,，屏蔽閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? 濺射? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)? Coating（涂層）? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上,。可替代VAT閘閥,。其特點是*閥體和阻斷器之間的間隙小于1mm*防止流入的氣體（粉末）進入閥體內(nèi)部*使用維修配件工具包易于維護*應用:隔離泵,，氣流中的高水平工藝。屏蔽閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動,、法蘭尺寸：2.5英寸~ 10英寸,、法蘭類型：ISO, JIS, ASA, CF,、連接方式：焊接波紋管,、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：Viton O型圈,、響應時間：≤ 2 sec,、操作壓力范圍：2.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar ,、開始時的壓差：≤ 30 mbar,、閘門的差動壓力：2.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar,、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數(shù)：200,000次,、閥體溫度≤ 200 °,、機構溫度≤ 60 °C、烤爐溫度≤ 150 °C,、材料：閥體(不銹鋼304)/驅(qū)動器(鋁6061陽極氧化),、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar,。有中國臺灣Micron,、UMC、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron,、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績

微泰轉移閥是安裝在半導體PVDCVD設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統(tǒng),。它充當將位于工藝模塊中的晶圓轉移到工藝室的溝槽。此外,，它極大限度地減少了由于閘板打開和關閉造成的真空壓力變化,，使腔室內(nèi)的真空壓力得以維持。負責門控半導體晶圓轉移的轉移閥分為兩種類型:I型和L型,。一,、I型轉移閥。I型轉移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制成,，用于傳輸晶圓小于450毫米的半導體系統(tǒng)和隔離工藝室,。本型的特點是葉片在垂直方向上快速移動，確保完美的腔室壓力維持,。它采用具有LM導向系統(tǒng)和單連桿的內(nèi)部機構,，保證高耐用性和長壽命。二,、L型轉移閥,。L型轉移閥產(chǎn)品由鋁或不銹鋼制造，其特點是設計緊湊,，易于維護,。L型轉移閥的特點是閘門在兩個階段從垂直到水平方向移動，確保完美的腔室壓力維護,。它的內(nèi)部機構,，包括一個LM導向系統(tǒng)和滯留彈簧和楔形營地結構，保證了高耐用性和長壽命,，同時提供穩(wěn)定和精確的運動,。I型和L型轉移閥在在閘門開啟和關閉過程中極大限度地減少了振動,，并且對溫度變化非常穩(wěn)定，確保了較長的使用壽命,。此外,，即使長時間使用柵極，它們產(chǎn)生的顆粒也很少,，從而避免了晶圓缺陷或主器件的污染,。微泰不斷創(chuàng)新，在開發(fā)先進的壓力控制和控制閥制造專業(yè)從事真空閘閥不懈努力,。微泰閘閥可替代HVA閘閥,、VAT閘閥。

微泰,，鋁閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群,、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。期特點是*不論什么工藝的設備都可以使用*由半永久性陶瓷球和彈簧組成*應用:隔離泵,。鋁閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動,、法蘭尺寸：1.5英寸~ 10英寸、閥體：AL6061 (Anodizing),、機械裝置：AL6061 (Anodizing),、閥門：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON),、響應時間≤ 3 sec,、驅(qū)動器：氣缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ?/sec,、壓力范圍：< 1×10-10 mbar ?/sec,、開始時的壓差：≤ 30 mbar、初次維護前可用次數(shù)100,000次,、閥體溫度≤ 120 °執(zhí)行機構溫度≤ 60 °C,、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar,。有中國臺灣Micron,、UMC、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries,、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron,、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,。可替代VAT閥門,。微泰,，高壓閘閥能應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD。PVD閘閥蝶閥

高壓閘閥,，屬于強制密封式閥門,，所以在閥門關閉時，必須向閘板施加壓力,，以強制密封面不泄漏,。手動閘閥三星半導體

微泰半導體主加工設備腔內(nèi)精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥,，加熱閘閥,，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規(guī)格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動）,，應用于去除粉末/氣體設備,。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發(fā)）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上,。加熱閘閥規(guī)格如下：驅(qū)動方式：手動或氣動,、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO,、JIS,、ASA、CF,、連接方式：焊接波紋管,、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環(huán)/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈,、響應時間：≤ 2 sec,、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar ,、開始時的壓差：≤ 30 mbar,、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒,、維護前可用次數(shù)：200,000次,、、安裝位置：任意,、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar,。有中國臺灣Micron、UMC,、AKT,、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體,、日本Micron,、三星半導體和其它的設備使用業(yè)績,。手動閘閥三星半導體