采用比較常用的NPN三級(jí)管S8050和PNP三極管S8550來(lái)設(shè)計(jì)制作實(shí)際的測(cè)試電路板(PCB)，如圖5所示,。圖6中所標(biāo)識(shí)的T2、T1和G與圖5所示的相同,，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個(gè)接線極,。利用該模塊電路串入負(fù)載接通正或負(fù)的直流電源和觸發(fā)信號(hào)來(lái)測(cè)試,，所得結(jié)果如圖7所示，在正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接入前電流表上的指示為0,，當(dāng)正或負(fù)觸發(fā)信號(hào)接通并撤離后電流表指示依然保持原來(lái)的電流值,。該實(shí)驗(yàn)表明該電路在正負(fù)電源供電情況下能雙向觸發(fā)導(dǎo)通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號(hào)時(shí),，其測(cè)驗(yàn)結(jié)果如圖8所示,。示波器探針1接觸發(fā)信號(hào)，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓,。在觸發(fā)信號(hào)為0是,，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒(méi)有導(dǎo)通,，當(dāng)觸發(fā)信號(hào)脈沖到來(lái)時(shí),，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經(jīng)導(dǎo)通,。4結(jié)束語(yǔ)在詳細(xì)解讀了雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)之上,，設(shè)計(jì)了一款以7個(gè)三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發(fā)的控制電路。利用常用的對(duì)管S8050和S8550制作出實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證了該電路的正確性,。在今后具體運(yùn)用過(guò)程中可以通過(guò)對(duì)此電路的相關(guān)器件做適當(dāng)調(diào)整來(lái)滿足具體的需求和設(shè)計(jì)要求,。同時(shí)?？煽毓栌|發(fā)板是通過(guò)調(diào)整可控硅的導(dǎo)通角來(lái)實(shí)現(xiàn)電氣設(shè)備的電壓電流功率調(diào)整的一種移相型的電力控制器,。單可控硅銷(xiāo)售

    場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正,、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上,，任選兩個(gè)電極,，分別測(cè)出其正、反向電阻值,。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S,。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值,。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻,，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，且黑表筆接的是柵極；若兩次測(cè)出的電阻值均很小,，說(shuō)明是正向ＰＮ結(jié),，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極,。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑,、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,，直到判別出柵極為止。,。單可控硅銷(xiāo)售可控硅觸發(fā)板用于單相,、三相電焊機(jī)控制、電解電鍍控制等,。

    此時(shí)表內(nèi)電壓較高,。當(dāng)用手接觸柵極Ｇ時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化,，其變化越大,，說(shuō)明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測(cè)管的跨導(dǎo)很小,，用此法測(cè)時(shí),，反向阻值變化不大。二,、.場(chǎng)效應(yīng)管的使用注意事項(xiàng)（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數(shù)的極限值,。（2）各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),，都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性,。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是ＰＮ結(jié),，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,，等等,。（3）MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高，所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),，保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),，同時(shí)也要注意管的防潮。（4）為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測(cè)試儀器,、工作臺(tái)、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí)，先焊源極,；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,。

    **交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用,。例如美國(guó)IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu),。（4）現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品,，是美國(guó)Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應(yīng)管，其比較高工作頻率fp=120MHz,，IDSM=1A,，PDM=30W，共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS,。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播,、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達(dá)到30W,。（6）多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞,，通過(guò)反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩,。為此，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè),，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻,。單向可控硅、雙向可控硅檢測(cè)可控硅分單向可控硅,、雙向可控硅,。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K,、控制極G三個(gè)引出腳,。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1），第二陽(yáng)極A2（T2）,、控制極G三個(gè)引出腳,。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),，方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V,。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,?？煽毓枰粋€(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說(shuō)明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái)，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通?？煽毓枵{(diào)整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制,。昆山可控硅加熱

在以大功率二極管或晶閘管為基礎(chǔ)的兩種基本類型的整流器中，電網(wǎng)的高壓交流功率通過(guò)整流器變換為直流功率,。單可控硅銷(xiāo)售

    選擇價(jià)格便宜,、性能很好的熱敏元件AD590，將其加裝在調(diào)整管的散熱片上,。當(dāng)溫度達(dá)60℃左右時(shí),，啟動(dòng)風(fēng)扇降溫，當(dāng)溫度回落至40℃左右時(shí),，關(guān)閉風(fēng)扇,。當(dāng)溫度高達(dá)85℃時(shí)，給可控硅觸發(fā)回路發(fā)出***信號(hào),，關(guān)斷可控硅,，進(jìn)而關(guān)斷電路，避免調(diào)整管過(guò)熱損壞,。電路如圖3所示,。AD590的外部特性：0℃時(shí)，其電流為273μA,；溫度每上升1℃,，電流增加1μA；溫度每下降1℃,，電流減小1μA,；工作溫度為－50℃～＋150℃；為避免比較器頻繁動(dòng)作或誤動(dòng)作,，選擇滯環(huán)寬度為1V,。取R＝40kΩ；選擇集成運(yùn)放由單電源＋5V供電,，可由CW78M15分壓得到,。設(shè)溫度65℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmH，有：設(shè)溫度40℃時(shí)比較器基準(zhǔn)電壓為EmL,，有?。篟1=2k;Rf=10k校驗(yàn)：所以：當(dāng)溫度為61℃時(shí)，啟動(dòng)風(fēng)扇,；當(dāng)降低為40℃時(shí),，關(guān)閉風(fēng)扇,。當(dāng)調(diào)整管溫度達(dá)80℃左右時(shí)，比較器輸出零電平,，***可控硅,，進(jìn)而關(guān)斷電路。該穩(wěn)壓電源中,，短路保護(hù)的功能為當(dāng)檢測(cè)到輸出電壓低于2V并延時(shí)2s后時(shí),，就判斷為短路。發(fā)出***信號(hào)關(guān)斷可控硅,，關(guān)斷電路,，防止損壞器件。限流保護(hù)的作用是當(dāng)負(fù)載電流超過(guò)20A時(shí),，減小調(diào)整管基極電流,，使輸出電流減小。3結(jié)束語(yǔ)這種新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源成本低,，性能較好,，精度較高，適于BP機(jī)發(fā)射臺(tái)使用,。單可控硅銷(xiāo)售

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