只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓,，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1,、第二陽極A2電流減小,，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。2.單向可控硅的檢測,。萬用表選電阻R*1Ω擋,，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G,，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A,。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A,，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動,。用短線瞬間短接陽極A和控制極G,，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極A接黑表筆,，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。3.雙向可控硅的檢測。用萬用表電阻R*1Ω擋,，用紅,、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大,。若一組為數(shù)十歐姆時(shí),，該組紅、黑表所接的兩引腳為***陽極A1和控制極G,，另一空腳即為第二陽極A2,。確定A1、G極后,，再仔細(xì)測量A1,、G極間正,、反向電阻。觸發(fā)板具有過流,、缺相,、相序、晶閘管過熱等多種保護(hù)功能,。蘇州可控硅定制

    控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時(shí),，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的**小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作。反過來,，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會導(dǎo)通,。蘇州可控硅定制電壓、電流,、功率,、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無級平滑調(diào)節(jié)。

    應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下,。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會充有少量電荷,，建立起ＶGＳ電壓，造成再進(jìn)行測量時(shí)表針可能不動,，只有將G-S極間電荷短路放掉才行,。（4）用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管首先用測量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ,，余下兩個(gè)腳為***柵極G1和第二柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來,，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ,；紅表筆所接的為源極Ｓ,。用這種方法判別出來的Ｓ、Ｄ極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極；紅表筆所接地是８極,，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣,。當(dāng)確定了漏極Ｄ、源極Ｓ的位置后,，按Ｄ,、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1、G2也會依次對準(zhǔn)位置,，這就確定了兩個(gè)柵極G1,、G2的位置，從而就確定了Ｄ,、S,、G1、G2管腳的順序,。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對ＶＭＯＳＮ溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí),，可用紅表筆接源極Ｓ、黑表筆接漏極Ｄ,，這就相當(dāng)于在源,、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的,，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的,。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔。

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內(nèi)部電路和工作原理,，以運(yùn)用簡便易懂的三極管為主,，依據(jù)雙向可控硅內(nèi)部P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的分布,，設(shè)計(jì)一種可以被雙向觸發(fā)導(dǎo)通的電路,。并從理論上來對其進(jìn)行論述，通過實(shí)際電路制作對其進(jìn)行了驗(yàn)證,，在實(shí)際運(yùn)用方面達(dá)到與雙向可控硅具有同樣的效果,。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領(lǐng)域的運(yùn)用非常***，如我們的日光燈調(diào)光電路,、交流電機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導(dǎo)通的特點(diǎn)來控制交流供電電源的導(dǎo)通相位角,，從而達(dá)到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結(jié)構(gòu)的描述,，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及,，大部分都是對它的外圍電路的應(yīng)用和工作方式、參數(shù)的選擇等等做了比較多的描述,，更進(jìn)一步的--哪怕是內(nèi)部方框電路--內(nèi)容也很難找到,。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過采用類似機(jī)械的拆卸手段來觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu),。為了深入了解和運(yùn)用可控硅,，依據(jù)現(xiàn)有可查資料所給P型和N型半導(dǎo)體的分布圖，采用分離元器件--三極管,、電阻和電容--來設(shè)計(jì)一款電路,，使該電路在PN的連接,、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似?？煽毓枰粋€(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān),。

    自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明,，以下實(shí)施例是對本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見圖1,，本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器,，其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2,，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4,、NPN三極管T1的集電極,、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2、單向可控硅SCR1的A極,、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1,，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。常用的半導(dǎo)體整流器有硅整流器和硒整流器,，產(chǎn)品規(guī)格很多,，電壓從幾十伏到幾千伏，電流從幾安到幾千安,。蘇州可控硅定制

鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐、淬火爐,、熔融玻璃的溫度加熱控制,。蘇州可控硅定制

雙向晶閘管的電極引線不規(guī)則，通常G極是在T1極側(cè)引出而不是T2極側(cè),。雙向晶閘管的兩個(gè)主電極T1和T2還是有區(qū)別的,，雙向晶閘管的觸發(fā)通常是相對與T1與G之間的電流,。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用,。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,，并沒有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅,，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路,。

 在一個(gè)**基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí),，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會有電壓輸出,，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時(shí)間,，來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用,。 蘇州可控硅定制

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