MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測：

光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機理的逆過程發(fā)展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術(shù),。如要對THz脈沖信號進行探測,，首先,，需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中,，以便于一個光學(xué)門控脈沖(探測脈沖)對其門控,。其中,，這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時間延遲關(guān)系,，而這個關(guān)系可利用一個延遲線來加以實現(xiàn)，爾后,，用一束探測脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上,，這時在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(自由載流子)，而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場,，以此來驅(qū)動那些載流子運動,，從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可,， PVD磁控濺射,、PECVD氣相沉積、IBE刻蝕,、ICP-RIE深刻蝕是構(gòu)成MEMS技術(shù)的必備工藝,。黑龍江MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應(yīng)的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍,。在VHF和UHF波段內(nèi),，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理,，作為電磁器件的聲學(xué)模擬聲表面波器件SAW,，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的,。因此，在同一頻段上,，聲表面波器件的尺寸比相應(yīng)電磁波器件的尺寸減小了很多,，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面?zhèn)鞑?，加上傳播速度極慢,，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現(xiàn)在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時,，就容易對信號進行取樣和變換,。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去,。完成其它技術(shù)難以完成或完成起來過于繁重的各種功能,。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底,，通過光刻（含EBL光刻）,、鍍膜等微納米加工技術(shù)，實現(xiàn)的SAW器件,，在聲表面器件的濾波,、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 青海哪些是MEMS微納米加工MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求,。

微納結(jié)構(gòu)的臺階儀與SEM測量技術(shù)：臺階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關(guān)鍵的計量手段,，確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計要求。臺階儀采用觸針式或光學(xué)式測量,，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息,，分辨率達0.1nm，適用于薄膜厚度,、刻蝕深度,、臺階高度的測量。例如,，在深硅刻蝕工藝中,，通過臺階儀監(jiān)測刻蝕深度（精度±1%），確保流道深度均勻性＜2%,。SEM則用于納米級結(jié)構(gòu)觀測，配備二次電子探測器,，可實現(xiàn)5nm分辨率的表面形貌成像,，用于微流道側(cè)壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔徑（誤差＜±5nm）的檢測,。在PDMS模具復(fù)制過程中,，SEM檢測模具結(jié)構(gòu)的完整性,，避免因缺陷導(dǎo)致的芯片流道堵塞。公司建立了標準化測量流程,，針對不同材料與結(jié)構(gòu)選擇合適的測量方法,，如柔性PDMS芯片采用光學(xué)臺階儀非接觸測量，硬質(zhì)芯片結(jié)合SEM與臺階儀進行三維尺寸分析,。通過大數(shù)據(jù)統(tǒng)計過程控制（SPC）,，將關(guān)鍵尺寸的CPK值提升至1.67以上，確保加工精度滿足需求,，為客戶提供可追溯的質(zhì)量保障,。

超薄PDMS與光學(xué)玻璃的鍵合工藝優(yōu)化：超薄PDMS（100μm以上）與光學(xué)玻璃的鍵合技術(shù)實現(xiàn)了柔性微流控芯片與高透光基板的集成，適用于熒光顯微成像,、單細胞觀測等場景,。鍵合前，PDMS基板經(jīng)氧等離子體處理（功率50W,，時間20秒）實現(xiàn)表面羥基化,，光學(xué)玻璃通過UV-Ozone清洗去除有機物污染；然后在潔凈環(huán)境下對準貼合,，施加0.2MPa壓力并室溫固化2小時,，形成不可逆共價鍵，透光率＞95%@400-800nm,，鍵合界面缺陷率＜1%,。超薄PDMS的柔韌性（彈性模量1-3MPa）可減少玻璃基板的應(yīng)力集中，耐彎曲半徑＞10mm,，適用于動態(tài)培養(yǎng)環(huán)境下的細胞觀測,。在單分子檢測芯片中，鍵合后的玻璃表面可直接進行熒光標記物修飾,，背景噪聲較傳統(tǒng)塑料基板降低60%,，檢測靈敏度提升至單分子級別。公司開發(fā)的自動對準系統(tǒng),，定位精度±2μm,，支持4英寸晶圓級批量鍵合，產(chǎn)能達500片/小時,，良率＞98%,。該工藝解決了軟質(zhì)材料與硬質(zhì)光學(xué)元件的集成難題，為高精度生物檢測與醫(yī)學(xué)影像芯片提供了理想的封裝方案,。高壓 SOI 工藝實現(xiàn)芯片內(nèi)高壓驅(qū)動與低壓控制集成,，耐壓超 200V 并降低寄生電容 40%。

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)：

太赫茲波是天文探測領(lǐng)域的重要波段,，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義,。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設(shè)備,。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。當前,，太赫茲超導(dǎo)接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝,，很難進行高集成度陣列擴展。大規(guī)模太赫茲陣列接收機發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約,。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線,，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析,、電磁場數(shù)值建模與仿真,、低溫超導(dǎo)實驗驗證等手段， 超聲芯片封裝采用三維堆疊技術(shù),，縮小尺寸 40% 并提升信噪比至 73.5dB,，優(yōu)化成像質(zhì)量。上海MEMS微納米加工性價比

SU8 硅片 / 石英片微流控模具加工技術(shù),，支持 6 英寸以下基板單套或套刻的高精度結(jié)構(gòu)復(fù)制,。黑龍江MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀

熱壓印技術(shù)在硬質(zhì)塑料微流控芯片中的應(yīng)用：熱壓印技術(shù)是實現(xiàn)PMMA、PS,、COC,、COP等硬質(zhì)塑料微結(jié)構(gòu)快速成型的**工藝，較傳統(tǒng)注塑工藝具有成本低,、周期短,、圖紙變更靈活等優(yōu)勢。工藝流程包括：首先利用光刻膠在硅片上制備高精度模具,，微結(jié)構(gòu)高度5-100μm,，側(cè)壁垂直度＞89°；然后將塑料基板加熱至玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上（如PMMA為110℃）,，在5-10MPa壓力下將模具結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印至基板,，冷卻后脫模。該技術(shù)可實現(xiàn)0.5μm的特征尺寸分辨率,，流道尺寸誤差＜±1%,，適用于微流道、微孔陣列,、透鏡陣列等結(jié)構(gòu)加工,。以數(shù)字PCR芯片為例，熱壓印制備的50μm直徑微腔陣列,，單芯片可容納20,000個反應(yīng)單元,，配合熒光檢測實現(xiàn)核酸分子的***定量，檢測靈敏度達0.1%突變頻率,。公司開發(fā)的快速換模系統(tǒng)可在30分鐘內(nèi)完成模具更換,，支持小批量生產(chǎn)（100-10,000片），從設(shè)計圖紙到樣品交付**短*需10個工作日,，較注塑縮短70%周期,。此外，通過表面涂層處理（如疏水化,、親水化）,，可定制芯片表面潤濕性，滿足不同檢測場景的流體控制需求,，成為研發(fā)階段快速迭代與中小批量生產(chǎn)的優(yōu)先工藝,。黑龍江MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀