MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)：

太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義,。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,。當(dāng)前,，太赫茲超導(dǎo)接收機(jī)多采用單獨(dú)的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進(jìn)行高集成度陣列擴(kuò)展,。大規(guī)模太赫茲陣列接收機(jī)發(fā)展很大程度受到天線及芯片封裝技術(shù)的制約,。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術(shù)的適合大規(guī)模太赫茲超導(dǎo)接收陣列應(yīng)用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導(dǎo)混頻芯片一體化封裝,。通過電磁場(chǎng)理論分析,、電磁場(chǎng)數(shù)值建模與仿真、低溫超導(dǎo)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證等手段,， PDMS 金屬流道加工技術(shù)可在柔性流道內(nèi)沉積金屬鍍層,，實(shí)現(xiàn)電化學(xué)檢測(cè)與流體控制一體化。北京MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材,，如壓力傳感器即為一例,，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面,，在正面形成一層薄膜,。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上,?；贐osch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn)，當(dāng)要維持一個(gè)近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí),，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率,，一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓,。不過當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí)，工藝中很少需要垂直的側(cè)壁,。

2.準(zhǔn)確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小,、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的。就微機(jī)電組件而言,，需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等,。一般說來，此類特性要求,，蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多,。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高，引發(fā)蝕刻劑密度相對(duì)降低,，而在晶圓邊緣蝕刻率會(huì)相應(yīng)地增加,，整片晶圓上的均勻度問題應(yīng)運(yùn)而生。上述問題可憑借對(duì)等離子或離子轟擊的分布圖予以校正,，從而達(dá)到均鐘刻的目的,。 安徽MEMS微納米加工結(jié)構(gòu)臺(tái)階儀與 SEM 測(cè)量技術(shù)確保微納結(jié)構(gòu)尺寸精度，支撐深硅刻蝕、薄膜沉積等工藝質(zhì)量管控,。

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化：在硅片,、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）,、藍(lán)寶石,、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學(xué)性能與生物相容性,。公司采用濺射沉積與剝離工藝,，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強(qiáng)金屬與基板的附著力,；然后旋涂光刻膠并曝光顯影,，形成電極圖案；再濺射1-5μm厚度的金/鉑金屬層,，***通過**剝離得到完整電極結(jié)構(gòu),。電極線條寬度可控制在10-500μm，邊緣粗糙度＜5μm,，接觸電阻＜1Ω?cm2,。針對(duì)植入式醫(yī)療器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂層處理,，通過硅烷偶聯(lián)劑共價(jià)鍵合,，涂層厚度5-10nm，可將蛋白吸附量降低90%以上,，炎癥反應(yīng)發(fā)生率下降60%,。該技術(shù)應(yīng)用于神經(jīng)電極時(shí)，16通道電極陣列的信號(hào)噪聲比＞20dB,，可穩(wěn)定記錄單個(gè)神經(jīng)元放電信號(hào)達(dá)3個(gè)月以上,。在傳感器領(lǐng)域，硅基金電極對(duì)葡萄糖的檢測(cè)靈敏度達(dá)100μA?mM?1?cm?2,，線性范圍0.01-10mM,，適用于血糖監(jiān)測(cè)芯片。公司支持多種金屬材料（如鈦,、鉑,、銥）與基板的組合加工，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)電極導(dǎo)電性,、耐腐蝕性的需求,。

加速度傳感器是很早廣泛應(yīng)用的MEMS之一。MEMS,，作為一個(gè)機(jī)械結(jié)構(gòu)為主的技術(shù),，可以通過設(shè)計(jì)使一個(gè)部件(圖中橙色部件)相對(duì)底座substrate產(chǎn)生位移（這也是絕大部分MEMS的工作原理）,，這個(gè)部件稱為質(zhì)量塊（proofmass）。質(zhì)量塊通過錨anchor,，鉸鏈hinge,，或彈簧spring與底座連接。鉸鏈或懸臂梁部分固定在底座,。當(dāng)感應(yīng)到加速度時(shí),，質(zhì)量塊相對(duì)底座產(chǎn)生位移。通過一些換能技術(shù)可以將位移轉(zhuǎn)換為電能,，如果采用電容式傳感結(jié)構(gòu)（電容的大小受到兩極板重疊面積或間距影響）,，電容大小的變化可以產(chǎn)生電流信號(hào)供其信號(hào)處理單元采樣。通過梳齒結(jié)構(gòu)可以極大地?cái)U(kuò)大傳感面積,，提高測(cè)量精度,，降低信號(hào)處理難度。加速度計(jì)還可以通過壓阻式,、力平衡式和諧振式等方式實(shí)現(xiàn),。汽車上的MEMS傳感器有哪些？

微流控芯片的自動(dòng)化檢測(cè)與統(tǒng)計(jì)分析：公司建立了基于機(jī)器視覺的微流控芯片自動(dòng)化檢測(cè)系統(tǒng),，實(shí)現(xiàn)尺寸測(cè)量,、缺陷識(shí)別與性能統(tǒng)計(jì)的全流程智能化。檢測(cè)設(shè)備配備6MPUSB3.0攝像頭與遠(yuǎn)心光學(xué)鏡頭,，配合步進(jìn)電機(jī)平移臺(tái)（精度±1μm）,，可對(duì)芯片流道、微孔,、電極等結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描,。通過自研算法自動(dòng)識(shí)別特征區(qū)域，測(cè)量參數(shù)包括高度（分辨率0.1μm）,、周長、面積,、寬度,、半徑等，數(shù)據(jù)重復(fù)性誤差＜±0.5%,。缺陷檢測(cè)模塊采用深度學(xué)習(xí)模型,，可識(shí)別＜5μm的毛刺、缺口,、氣泡等缺陷,，準(zhǔn)確率＞99%。檢測(cè)系統(tǒng)實(shí)時(shí)生成統(tǒng)計(jì)報(bào)告,，包含CPK,、均值,、標(biāo)準(zhǔn)差等質(zhì)量參數(shù)，支持SPC過程控制,。在PDMS芯片檢測(cè)中,，單芯片檢測(cè)時(shí)間＜2分鐘，效率較人工檢測(cè)提升20倍,，良品率統(tǒng)計(jì)精度達(dá)0.1%,。該系統(tǒng)已集成至量產(chǎn)產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)從原材料入庫到成品出廠的全鏈路質(zhì)量追溯,，為微流控芯片的標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)提供了可靠保障,，尤其適用于高精度醫(yī)療檢測(cè)芯片與工業(yè)控制芯片的質(zhì)量管控。全球及中國mems芯片市場(chǎng)有哪些,？河南MEMS微納米加工加工廠

熱壓印技術(shù)支持 PMMA/COC 等材料微結(jié)構(gòu)快速成型,，較注塑工藝縮短工期并降低成本。北京MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹

MEMS技術(shù)的主要分類：生物MEMS技術(shù)是用MEMS技術(shù)制造的化學(xué)/生物微型分析和檢測(cè)芯片或儀器,，統(tǒng)稱為Bio-sensor技術(shù),，是一類在襯底上制造出的微型驅(qū)動(dòng)泵、微控制閥,、通道網(wǎng)絡(luò),、樣品處理器、混合池,、計(jì)量,、增擴(kuò)器、反應(yīng)器,、分離器以及檢測(cè)器等元器件并集成為多功能芯片,。可以實(shí)現(xiàn)樣品的進(jìn)樣,、稀釋,、加試劑、混合,、增擴(kuò),、反應(yīng)、分離,、檢測(cè)和后處理等分析全過程,。它把傳統(tǒng)的分析實(shí)驗(yàn)室功能微縮在一個(gè)芯片上。生物MEMS系統(tǒng)具有微型化,、集成化,、智能化、成本低的特點(diǎn),。功能上有獲取信息量大,、分析效率高,、系統(tǒng)與外部連接少、實(shí)時(shí)通信,、連續(xù)檢測(cè)的特點(diǎn),。國際上生物MEMS的研究已成為熱點(diǎn)，不久將為生物,、化學(xué)分析系統(tǒng)帶來一場(chǎng)重大的革新,。北京MEMS微納米加工產(chǎn)品介紹