DDR測(cè)試

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣,，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的,。 DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；安徽通信DDR測(cè)試

DDR測(cè)試

測(cè)試軟件運(yùn)行后,，示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基,、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告，測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目,、是否通過,、spec的要求、實(shí)測(cè)值,、margin等,。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置,，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能,，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響,。除了一致性測(cè)試以外,，DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后,，可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug,。此時(shí)，測(cè)試軟件會(huì)捕獲,、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì),，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置， 安徽通信DDR測(cè)試DDR在信號(hào)測(cè)試中解決的問題有那些,；

DDR測(cè)試

DDR4/5的協(xié)議測(cè)試除了信號(hào)質(zhì)量測(cè)試以外,，有些用戶還會(huì)關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫的數(shù)據(jù)是否正確，以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等,，這時(shí)就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測(cè)試,。DDR的總線寬度很寬，即使數(shù)據(jù)線只有16位,，加上地址,、時(shí)鐘、控制信號(hào)等也有30多根線,，更寬位數(shù)的總線甚至?xí)玫缴习俑€,。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時(shí)捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析，適合的工具就是邏輯分析儀,。DDR協(xié)議測(cè)試的基本方法是通過相應(yīng)的探頭把被測(cè)信號(hào)引到邏輯分析儀,，在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。

DDR測(cè)試

除了DDR以外,，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展,，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景,，相對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓,，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗,。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù),，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪聲會(huì)更敏感,，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外,，LPDDR還會(huì)采用一些額外的技術(shù)來節(jié)省功耗,，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新)、部分陣列可以自刷新,，以及一些對(duì)低功耗的支持,。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更小,，因此占用的PCB空間更小,。 DDR3總線上的工作時(shí)序；

DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來智能手機(jī),、智能電視,、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌，人們對(duì)容量更高,、速度更快,、能耗更低,、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高,，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新。目前,，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了,，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存,，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳,；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫脈沖信號(hào)；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試,。DDR工作原理與時(shí)序問題,；安徽通信DDR測(cè)試

DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些,；安徽通信DDR測(cè)試

如何測(cè)試DDR,？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,，其價(jià)值一般在數(shù)百萬美元以上,。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器,。測(cè)試工程師通過編程來模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外,，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點(diǎn),。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序,。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性,，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍,，所以波形變化也應(yīng)是其二倍,。因此，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡,。為此,，要保證一定的測(cè)試分辨率,，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存,。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換,，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí),，開始出現(xiàn)傳輸線反射,。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬,。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 安徽通信DDR測(cè)試

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