DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫,，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同,，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) ,。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣,，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣,。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的,。 DDR測試USB眼圖測試設備,？江蘇自動化DDR測試

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要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,，所以DDR的信號質(zhì)量測試理論上也應該同時涉及這兩類芯片的測試,。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進行測試,。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說,，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,，因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法,。這時用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進行手動測試,。 浙江DDR測試價格多少DDR在信號測試中解決的問題有那些,；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說,，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層,，其中一層為GND平面層,，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線,。而當使用6層來走線時,，設計一種拓撲結(jié)構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了,，從而提高了電源完整性,。互聯(lián)通道的另一參數(shù)阻抗,，在DDR2的設計時必須是恒定連續(xù)的,，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配,，而對于差分信號,，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號,。另外,，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms,，ODT的設置也必須保持在50Ohms,。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上,，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點,。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,，電阻值可能需要做出不同的選擇,，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms,。

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1.目前,，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達800Mbps,，甚至更高的速度，如1066Mbps,，而DDR3的速度已經(jīng)高達1600Mbps,。對于如此高的速度，從PCB的設計角度來幫大家分析,，要做到嚴格的時序匹配,，以滿足信號的完整性，這里有很多的因素需要考慮,，所有的這些因素都有可能相互影響,。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗,、互聯(lián)拓撲,、時延匹配、串擾,、信號及電源完整性和時序,，目前，有很多EDA工具可以對它們進行很好的計算和仿真,，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多,。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術要求和專有的技術要求協(xié)助DDR有那些工具測試,；河北DDR測試DDR測試

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5.串擾在設計微帶線時，串擾是產(chǎn)生時延的一個相當重要的因素,。通常,，可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串擾的相互影響，然而,，在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端,，所以，應該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規(guī)則是,，并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍,。另外，地過孔也起到一個相當重要的作用,，圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度,，在有多個地過孔的情況下，其耦合程度降低了7dB,?？紤]到互聯(lián)通路的成本預算，對于兩邊進行適當?shù)姆抡媸潜仨毜?，當在所有的網(wǎng)線上加一個周期性的激勵,，將會由串擾產(chǎn)生的信號抖動，通過仿真,，可以在時域觀察信號的抖動,，從而通過合理的設計，綜合考慮空間和信號完整性,，選擇比較好的走線間距,。江蘇自動化DDR測試

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