那么在下面的仿真分析過程中，我們是不是可以就以這兩個圖中的時序要求作為衡量標準來進行系統(tǒng)設計呢?答案是否定的,，因為雖然這個時序是規(guī)范中定義的標準,，但是在系統(tǒng)實現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品,，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對Micron芯片的時序控制程度,。所以雖然我們通過閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設計要求，但是具體實現(xiàn)的參數(shù)指標要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊為準,。換句話說,，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標準，而我們設計系統(tǒng)時,，既然使用了Micron的產(chǎn)品,，那么系統(tǒng)的性能指標分析就要以Micron的產(chǎn)品為準。所以,，接下來的任務就是我們要在Micron的DDR芯片手冊和作為控制器的FPGA數(shù)據(jù)手冊中,，找到類似的DDR規(guī)范的設計要求和具體的設計參數(shù)。如何選擇適用于DDR3一致性測試的工具,？多端口矩陣測試DDR3測試調(diào)試

DDRx接口信號的時序關系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似,，作為源同步系統(tǒng)，主要有3組時序設計要求,。 一組是DQ和DQS的等長關系,，也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關系,，也就是時鐘和地址控制總線的關系,；一組是CLK和DQS的關系， 也就是時鐘和選通信號的關系,。其中數(shù)據(jù)和選通信號的時序關系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關系,。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號,，需要非常嚴格的 等長關系,。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關系經(jīng)常在土25mil以內(nèi),，在高速的 DDR3設計時，甚至會要求在±5mil以內(nèi),。相對來說地址控制和時鐘組的時序關系會相對寬松 一些,，常見的可能有幾百mil。同時要留意DQS和CLK的關系,，在絕大多數(shù)的DDR設計里 是松散的時序關系,，DDR3進行Fly-by設計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求。 重慶DDR3測試項目DDR3內(nèi)存的一致性測試是否會降低內(nèi)存模塊的壽命？

多數(shù)電子產(chǎn)品,，從智能手機,、PC到服務器，都用著某種形式的RAM存儲設備,。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結合,，SDRAM作為大多數(shù)基于計算機產(chǎn)品 的主流存儲器技術被廣泛應用于各種高速系統(tǒng)設計中。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口,，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會）發(fā)布,。隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標,，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器及其控制設備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大,。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。

DDR信號的DC和AC特性要求之后,，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言,，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,，我們可以注意一下,，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),，是沒有辦法從這個指示當中獲得準確的電壓值的,。這是因為，在DDR中,，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,，而是一個電源和時間的積分值。影面積所示的大小,，而申壓和時間的積分值,，就是能量!因此，對于DDR信號而言,，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,，而是能量的大小!這一點是不同于任何一個其他信號體制的，而且能量信號這個特性,，會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當中,，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義,。當然,，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,，否則,，無需能量累積,，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。DDR3內(nèi)存的一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環(huán)境,？

DDR3信號質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號速率的升高,，信號電平降低，信號質(zhì)量問題也會變得突出,。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量,；DDR2/3/4會將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對于多負載的控制命令信號,，DDR1/2/3可以在末端添加VTT端接,，而DDR4則將采 用VDD的上拉端接。在CLK的差分端接及控制芯片驅(qū)動能力的選擇等方面,，可以通過仿真 來得到正確驅(qū)動和端接,，使DDR工作時信號質(zhì)量改善，從而增大DDRI作時序裕量,。DDR3一致性測試是否需要經(jīng)常進行,？四川DDR3測試系列

一致性測試是否適用于服務器上的DDR3內(nèi)存模塊？多端口矩陣測試DDR3測試調(diào)試

從DDR1,、DDR2,、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小,，工作電壓持續(xù)降 低,，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f,，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對信號完整性,、電源完整性及時序的要求越來越高,，這也給系 統(tǒng)設計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn),。

Bank> Rank及內(nèi)存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結構,，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展,，主要目的是提高DRAM顆粒容量,。對應于有4個Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內(nèi)存顆粒內(nèi)部有8個或16個Bank,，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制,。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內(nèi)部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…,，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制,。 多端口矩陣測試DDR3測試調(diào)試

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