實際的電源完整性是相當復(fù)雜的,，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò),。對于PCB設(shè)計來說,，目標阻抗的去耦設(shè)計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案,。在DDR的設(shè)計上有三類電源,，它們是VDD、VTT和Vref,。VDD的容差要求是5%,，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述,。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容,，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同,，共有10個左右,。另外，表貼電容合適,，它具有更小的焊接阻抗,。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流,。顯然,，它只需要很窄的走線,，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。由于Vref相當重要,，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳,。然而，對VTT的布線是具有相當大的挑戰(zhàn)性,，因為它不只要有嚴格的容差性,，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計算出來,。終，可以通過增加去耦電容來實現(xiàn)它的目標阻抗匹配,。在4層板的PCB里,，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢,，所以,，去耦電容的數(shù)量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容,。詳細的計算和仿真可以通過EDA工具來實現(xiàn),。DDR信號的讀寫分離方法；HDMI測試DDR測試高速信號傳輸

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說,，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層,，中間的兩層，其中一層為GND平面層,，而另一層為VDD平面層,，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時,，設(shè)計一種拓撲結(jié)構(gòu)變得更加容易,，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性,?；ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計時必須是恒定連續(xù)的,，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上,，且做到阻抗匹配，而對于差分信號,，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端,，比如CLOCK和DQS信號。另外,，所有的匹配電阻必須上拉到VTT,，且保持50Ohms,，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計時,，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上,，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點。而且,，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間,。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms,。HDMI測試DDR測試高速信號傳輸DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試；

DDR測試

DDR4/5與LPDDR4/5的信號質(zhì)量測試由于基于DDR顆?；駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺,，應(yīng)用場景千差萬別，因此需要進行詳盡的信號質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作,。對于DDR4及以下的標準來說,，物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號質(zhì)量測試；對于DDR5標準來說,，由于接收端出現(xiàn)了均衡器,，所以還要包含接收測試。DDR信號質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器,。對于DDR的信號,，技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號上升/下降時間的具體參數(shù)，因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實際快上升/下降時間來估算需要的示波器帶寬,。通常對于DDR3信號的測試,，推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫,，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) ,。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) ,。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣,，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的,，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的,。 DDR2總線上的信號波形；

只在TOP和BOTTOM層進行了布線,，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成,。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖,。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在800 MHz,，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時鐘頻率在400 MHz,，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個經(jīng)過比較過的數(shù)據(jù)信號眼圖，一個是仿真的結(jié)果,，而另一個是實際測量的,。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的,。

11.結(jié)論本文,，針對DDR2/DDR3的設(shè)計，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹,。對于在4層板里設(shè)計800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性,。 DDR4信號完整性測試案例,；HDMI測試DDR測試高速信號傳輸

DDR4信號質(zhì)量自動測試軟件報告；HDMI測試DDR測試高速信號傳輸

4.為了解決上述技術(shù)問題,，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號測試方法,、裝置及存儲介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形,，可以提高測試效率,。5.為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號測試方法,，所述方法包括以下步驟：7.s1,，將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號,；8.s2，根據(jù)標志信號對示波器進行相關(guān)參數(shù)配置,，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號進行讀寫信號分離,；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試,。10.在本發(fā)明的一個實施例中,，所述將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號并確定標志信號,，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號引腳進行信號連接,；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),；13.利用示波器對ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號進行采集并根據(jù)相關(guān)信號的波形確定標志信號,。HDMI測試DDR測試高速信號傳輸