按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM),。SRAM運(yùn)行速度較快,、時(shí)延小、控制簡單,，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管,，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合,，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等,。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新,，控制電路相對(duì)復(fù)雜,。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高,、功耗低,、容量大、成本低等特點(diǎn),，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流,，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器,、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM,。尋找能夠滿足您的 DDR 和存儲(chǔ)器需求的特定解決方案。湖南USB測試DDR一致性測試

通常測量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測量功能,，即用時(shí)鐘做觸發(fā)對(duì)數(shù) 據(jù)信號(hào)進(jìn)行累積,，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是,，想用這種 方法直接測量DDR的信號(hào)質(zhì)量非常困難,，因?yàn)镈DR信號(hào)讀寫時(shí)序是不一樣的,。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)(DQS)的中心,，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對(duì)應(yīng)著鎖存信號(hào)的邊沿,，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對(duì)DQ累積進(jìn)行眼圖測量的話,，會(huì)得到的結(jié)果,。 湖南USB測試DDR一致性測試DDR-致性測試探測和夾具；

測試軟件運(yùn)行后,，示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基,、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測量并匯總成一 個(gè)測試報(bào)告,，測試報(bào)告中列出了測試的項(xiàng)目,、是否通過、spec的要求,、實(shí)測值,、margin等。 自動(dòng)測試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測量的一個(gè)例子,。信號(hào)質(zhì)量的測試還可以  輔 助 用 戶 進(jìn) 行 內(nèi) 存 參 數(shù) 的 配 置 ,， 比 如 高 速 的 D D R 芯 片 都 提 供 有 O D T ( O n D i e Termination)的功能，用戶可以通過軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻,，并分析對(duì)信號(hào)質(zhì) 量的影響,。

除了一致性測試以外，DDR測試軟件還可以支持調(diào)試功能,。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測試 失敗后,，可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí),，測試軟件會(huì)捕獲,、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn) 行參數(shù)統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置,，

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展,，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快,。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場景，相 對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓,，而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗,。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù),，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù),，更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪 聲會(huì)更敏感,，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大,。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額 外的技術(shù)來節(jié)省功耗,，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新),、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持,。同時(shí),，LPDDR的芯片一般體積更 小，因此占用的PCB空間更小,。82496 DDR信號(hào)質(zhì)量的測試方法,、測試裝置與測試設(shè)備與流程；

DDR地址,、命令總線的一致性測試

DDR的地址,、命令總線的信號(hào)完整性測試主要測試其波形和時(shí)序參數(shù)。地址總線An,、 命令總線/RAS,、/CAS、/WE,、/CS需要測試的信號(hào)品質(zhì)主要包括：Vmax （最大電壓值）,；Vmin （小電壓值）；Overshoot （過沖）和Undershoot （下沖）的持續(xù)時(shí)間的大值,；Slew Rate （斜率）,；Ringback （回溝）等。還需要測試相對(duì)于時(shí)鐘邊沿的Setup Time （建立時(shí)間）和Hold Time （保持時(shí)間）,。建立時(shí)間和保持時(shí)間的定義如圖7.134所示,，其中加為建立時(shí)間，如為 保持時(shí)間,，針對(duì)DDR400,加和如為0.7ns,。

DDR時(shí)鐘總線的一致性測試。湖南USB測試DDR一致性測試

DDR 設(shè)計(jì),、測試,、驗(yàn)證和一致性測試。湖南USB測試DDR一致性測試

對(duì)DDR5來說,，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,，仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于 DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力,、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng),、寄 生電容、片上端接ODT,、信號(hào)上升/下降時(shí)間,、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等,。

DDR的讀寫信號(hào)分離

對(duì)于DDR總線來說,，真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對(duì)于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的,，讀信號(hào)的測量要參考讀時(shí)序的要求,，寫信號(hào)的測量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測試,，第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫信號(hào)分離出來,。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對(duì)于讀和寫信 號(hào)來說，DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的,。 湖南USB測試DDR一致性測試