對(duì)于DDR2-800，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用,，只是有少許的差別,。然而，也是知道的,，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的,。對(duì)于超過兩片的SDRAM,，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì),。然而，對(duì)于DDR2-800,，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性,，而在DDR3的設(shè)計(jì)中，特別是在1600Mbps時(shí),，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的,。DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試；上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī),。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸,。在頻率為266MHz時(shí)，2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減,。為解決上述難題,，一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽,。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入,，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽；一旦測(cè)試完成,，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出,。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式DDR3總線上的工作時(shí)序；

DDR測(cè)試

DDR總線上需要測(cè)試的參數(shù)高達(dá)上百個(gè),，而且還需要根據(jù)信號(hào)斜率進(jìn)行復(fù)雜的查表修正,。為了提高DDR信號(hào)質(zhì)量測(cè)試的效率，比較好使用的測(cè)試軟件進(jìn)行測(cè)試,。使用自動(dòng)測(cè)試軟件的優(yōu)點(diǎn)是：自動(dòng)化的設(shè)置向?qū)П苊膺B接和設(shè)置錯(cuò)誤,；優(yōu)化的算法可以減少測(cè)試時(shí)間；可以測(cè)試JEDEC規(guī)定的速率,，也可以測(cè)試用戶自定義的數(shù)據(jù)速率,；自動(dòng)讀/寫分離技術(shù)簡(jiǎn)化了測(cè)試操作；能夠多次測(cè)量并給出一個(gè)統(tǒng)計(jì)的結(jié)果,；能夠根據(jù)信號(hào)斜率自動(dòng)計(jì)算建立/保持時(shí)間的修正值,。由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號(hào)的隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要,，需要考慮熱噪聲引入的RJ,、電源噪聲引入的PJ,、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜,。比如其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目,，并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估RJ、DJ等不同分量的影響,。另外,，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實(shí)際進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響,。展示了典型的DDR5和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果,。

DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM),。SRAM運(yùn)行速度較快,、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單,，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管,，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合,，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等,。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新,，控制電路相對(duì)復(fù)雜,。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高,、功耗低,、容量大、成本低等特點(diǎn),，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流,，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器,、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM,。DDR3的DIMM接口協(xié)議測(cè)試探頭；

實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的,，其中要考慮到IC的封裝,、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來說,，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來說比較簡(jiǎn)單的,，也是比較實(shí)際的解決方案。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類電源,，它們是VDD,、VTT和Vref,。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同,，詳細(xì)在JEDEC里有敘述,。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性,，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同,，共有10個(gè)左右。另外,，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗,。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性,，但是它承載著比較小的電流。顯然,，它只需要很窄的走線,，且通過一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要,，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳,。然而，對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性,，因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性,，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來,。終,，可以通過增加去耦電容來實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里,，層之間的間距比較大,，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì)，所以,，去耦電容的數(shù)量將增加,，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過EDA工具來實(shí)現(xiàn),。主流DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的比較,；自動(dòng)化DDR測(cè)試價(jià)格多少

一種DDR4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法；上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式

4.為了解決上述技術(shù)問題,，本發(fā)明提供了一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法,、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，可以反映正常工作狀態(tài)下的波形,，可以提高測(cè)試效率,。5.為實(shí)現(xiàn)上述目的,，本技術(shù)提出技術(shù)方案：6.一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1,，將服務(wù)器,、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào),；8.s2,，根據(jù)標(biāo)志信號(hào)對(duì)示波器進(jìn)行相關(guān)參數(shù)配置，利用示波器的觸發(fā)功能將ddr4內(nèi)存的信號(hào)進(jìn)行讀寫信號(hào)分離,；9.s3,，利用示波器對(duì)分離后的讀寫信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。10.在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,，所述將服務(wù)器,、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài)，然后利用示波器采集ddr4內(nèi)存中的相關(guān)信號(hào)并確定標(biāo)志信號(hào),，具體包括：11.將示波器與ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)引腳進(jìn)行信號(hào)連接,；12.將服務(wù)器、ddr4內(nèi)存和示波器置于正常工作狀態(tài),；13.利用示波器對(duì)ddr4內(nèi)存的相關(guān)信號(hào)進(jìn)行采集并根據(jù)相關(guān)信號(hào)的波形確定標(biāo)志信號(hào),。上海DDR測(cè)試聯(lián)系方式