至此,，DDR3控制器端各信號間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕,，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識別的注釋,，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,，則也可以選擇Updateo

設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中,。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置,。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大,，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實際情況正確設(shè)定,。因為實際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設(shè)置窗口后,，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉,，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管,，等所有模型設(shè)置完成后再重新連接。 DDR3一致性測試是否適用于工作站和游戲電腦,？PCI-E測試DDR3測試DDR測試

DDR4： DDR4釆用POD12接口,，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz,； 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps,；數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘,、地址,、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線；數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,，并支持動態(tài)ODT功能,；也支持Write Leveling功能。

綜上所述,，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲,；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后,，為了改進信號質(zhì)量,，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號,。DDR3速率更快,，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號,。 PCI-E測試DDR3測試DDR測試是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題,？

單擊View Topology按鈕進入SigXplorer拓撲編輯環(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實驗所學習的操作去編輯拓撲進行分析,。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進行反射和 串擾的布線后仿真,。

在提取出來的拓撲中，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù),，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口,，單擊工具欄中的Signal Simulate進行仿真分析，

在波形顯示界面里,，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看, 可以看到,，差分時鐘波形邊沿正常,，有一些反射。

原始設(shè)計沒有接終端的電阻端接,。在電路拓撲中將終端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除,，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進行查看,，可以看到,， 時鐘信號完全不能工作。

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）技術(shù),，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬,。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個組件組成，包括主板,、內(nèi)存控制器,、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負責管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作,。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率,，即在每個時鐘周期內(nèi)進行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR）,，DDR具有更高的帶寬,。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時都進行傳輸,，從而實現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸,。速度等級：DDR技術(shù)有多個速度等級，如DDR-200,、DDR-400,、DDR2-800、DDR3-1600等,。速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬,，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級對應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能,。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境,？

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn),。而遺憾的是,，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義,。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中,，所有信號都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號相差90°相位,，因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下,，對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中,，所有信號是DDR芯片輸出的，并且DQ和DQS信號是同步的,，都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣,，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,，是要把邏輯設(shè)計的復雜性留在控制器一端,，從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此,，對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言,，信號完整性仿真和分析的大部分工作，實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性,。何時需要將DDR3內(nèi)存模塊更換為新的？測試服務(wù)DDR3測試銷售

如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進行一致性測試,？PCI-E測試DDR3測試DDR測試

使用了一個 DDR 的設(shè)計實例,，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計一個 DDR 存儲系統(tǒng)，包括從系統(tǒng)性能分析,，資料準備和整理,，仿真模型的驗證和使用，布局布線約束規(guī)則的生成和復用,，一直到的 PCB 布線完成,，一整套設(shè)計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計思路和方法,。隨著技術(shù)的發(fā)展,，DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,，而 DDR3 是目前存儲系統(tǒng)的主流技術(shù),。

并且，隨著設(shè)計水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,，大多數(shù)工程師都已經(jīng)對如何設(shè)計一個 DDR 系統(tǒng)不再陌生,，基本上按照通用的 DDR 設(shè)計規(guī)范或者參考案例，在系統(tǒng)不是很復雜的情況下,，都能夠一次成功設(shè)計出可以「運行」的 DDR 系統(tǒng),，DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,，隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,，又給 DDR3 的設(shè)計者帶來了另外一個難題，那就是系統(tǒng)時序不穩(wěn)定,。因此,，基于這樣的現(xiàn)狀,，在本書的這個章節(jié)中，著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,，以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù),，也就是說，在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計難題的情況下,，如何通過布線后仿真,，驗證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問題。 PCI-E測試DDR3測試DDR測試