晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導晶閘管,，雙向晶閘管，整流模塊,，功率模塊IGBT,，SIT，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導體器件,，由于它效率高，控制特性好,，壽命長，體積小等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學科,?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A,，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下,，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流——可變直流二,、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器,、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā),，實現(xiàn)負載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流,。三,、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗,。Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V,，1200V，1700V,。吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點,。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通,。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快，但導通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機,、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域。吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存IGBT屬于功率器件,，散熱不好,，就會直接燒掉。

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓,，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導通,。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通,，但此時正向漏電流隨著增大而增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導通兩個狀態(tài),，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件,。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管,，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載,，只要使管子陽極電壓降為零即可,。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后,，加上一定時間的反向電壓,。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT,，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。

所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑料,，將它短接,。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行長久性連接,。b,、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件,，盡可能不用焊接方式,。c、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺,，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施。d,、儀器測量時,，將1000電阻與g極串聯(lián)。e,、要在無電源時進行安裝,。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵合適,。當手工焊接時，溫度2601c15c.時間（10士1）秒，松香焊劑,。波峰焊接時,，pcb板要預(yù)熱80c-]05c,在245℃時浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓、大電流,、高速度,、低壓降、高可靠,、低成本為目標的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降造成本,，簡化調(diào)試工作等，都與igbt有密切的內(nèi)在聯(lián)系,，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā),，予估近2-3年內(nèi),，會有突破性的進展,。已有適用于高壓變頻器的有電壓型hv-igbt,igct,電流型sgct等,。第1代和第二代采用老命名方式,，一般為BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2,。

怎樣檢測變頻器逆變模塊？1）判斷晶閘管極性及好壞的方法選擇指針萬用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測量晶閘管的任兩個極之間的正反向電阻,，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無窮大,，則判定該極為陽極（A）,。然后選擇指針萬用表的R×1Ω檔,。黑表筆接晶閘管的陽極（A）,，紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極（K）,，另一極為控制極（G）。黑表筆不要離開陽極（A）同時觸擊控制極（G）,，若萬用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,，則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極（K）和控制極（G）是正確的，且該晶閘管元件為好的晶閘管,。若萬用表指針不偏轉(zhuǎn),，顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測量。若萬用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,，則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的,，該晶閘管為好的晶閘管,。否則為壞的晶閘管。這個電壓為系統(tǒng)的直流母線工作電壓,。吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓,，工作電流，封裝形式和開關(guān)頻率來進行選擇,。吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存

圖1單管,，模塊的內(nèi)部等效電路多個管芯并聯(lián)時，柵極已經(jīng)加入柵極電阻,，實際的等效電路如圖2所示,。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同,；不過,，同一個模塊內(nèi)部的柵極電阻,，其阻值是相同的,。圖2單管模塊內(nèi)部的實際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個IGBT管芯,，后面的“1”表示同一個模塊塑殼之中,。2.半橋模塊,，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊,，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個半橋模塊構(gòu)成全橋,，3個半橋模塊也構(gòu)成三相橋,。因此，半橋模塊有時候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效,。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同,，如C2E1可能會標識為E1C2,，有的模塊只在等效電路圖上標識引腳編號等,。圖3半橋模塊的內(nèi)部等效電路半橋模塊的電流/電壓規(guī)格指的均是其中的每一個模塊單元,。如1200V/400A的半橋模塊,，表示其中的2個IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受比較高2400V的瞬間直流電壓,。不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標注的,。3.全橋模塊,，4in1模塊全橋模塊的內(nèi)部等效電路如圖4所示,。圖4全橋模塊內(nèi)部等效電路全橋（Fullbridge）模塊也稱為4in1模塊，用于直接構(gòu)成全橋電路,。吉林Mitsubishi 三菱IGBT模塊優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存