晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍,。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓)輸出較大電流,,這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值,,不是有效值,,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,,但有效值會(huì)超過模塊標(biāo)稱值的幾倍,。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作,。3,、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV,;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源),。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V,。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路,。4,、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥,、通風(fēng),、遠(yuǎn)離熱源、無塵,、無腐蝕性液體或氣體,。上海寅涵智能原裝可關(guān)斷可控硅現(xiàn)貨,;江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT
使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,,不*使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,,產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,,它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,,使用方便,,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),,只是工作頻率比GTR低。目前,,GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力,??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,,它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng),。很顯然,,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。貴州可關(guān)斷可控硅(晶閘管)semikron西門康全新原裝現(xiàn)貨大功率igbt高壓可控硅晶閘管現(xiàn)貨銷售,;
晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。(1)按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管,、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管,、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管。(B)在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。(三)按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的,。其中,,所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,板形,,圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩,。(四)按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常,,大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,而中,、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝,。(五)按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管,并且可以被劃分為高頻(快)晶閘管,。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR,,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性,,可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC),。可控硅也稱作一個(gè)晶閘管,,它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件,。
MCC162-12IO1可控硅/晶閘管德國艾賽斯封裝可控硅模塊
可控硅模塊和整流二極管模塊通常指各類電連接的橋臂模塊、單相整流橋模塊和晶閘管模塊,。模塊通常有2種類型,即絕緣隔離型和非絕緣隔離型,。前面絕緣型芯片與底盤間的絕緣耐壓達(dá)到2500V有效值之上,使用非常靈便,能夠?qū)⒁粋€(gè)或多個(gè)橋臂模塊安裝在同一接地的散熱器上,連成各種規(guī)格的單相或三相全控,、半控整流等格式線路、交流開關(guān)或其余各類實(shí)用線路,進(jìn)而**簡化了線路構(gòu)造,縮減設(shè)備體型,。后者非絕緣型需要公共陽極和陰極方能使用,因此在使用中有很大的局限性,發(fā)展趨勢比較慢,。 可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個(gè)電極,,用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由 PNPN四層組成,。
4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),,以具有自關(guān)斷能力,,使用方便,是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,,顯示出強(qiáng)大的生命力,。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射,,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽極A和陰極K),,結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),,控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,,只是它對光源的波長有一定的要求,,有選擇性。波長在0.8——0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光,,都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開關(guān)元件,具有硅整流器件的特性,能在高電壓,、大電流條件下工作,。它基本的用途就是可控整流,其工作過程可以控制,,具有體積小,、輕、功耗低,、效率高,、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)?;谏鲜鎏攸c(diǎn),。在使用過程中,晶閘管對過電壓是很敏感的,。江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT
當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),,晶閘管就會(huì)立即損壞。江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT
[7]二極管雙向觸發(fā)二極管將萬用表置于相應(yīng)的直流電壓擋,,測試電壓由兆歐表提供,。[8]測試時(shí),搖動(dòng)兆歐表,,萬同樣的方法測出VBR值,。后將VBO與VBR進(jìn)行比較,兩者的較為值之差越小,,說明被測雙向觸發(fā)二極管的對稱性越好,。[8]二極管瞬態(tài)電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS,按照測量普通二極管的方法,,可測出其正,、反向電阻,一般正向電阻為4kΩ左右,,反向電阻為無窮大,。[8]對于雙向極型的瞬態(tài)電壓抑制二極管,任意調(diào)換紅,、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大,,否則,說明管子性能不良或已經(jīng)損壞,。[8]二極管高頻變阻二極管識別正,、負(fù)極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區(qū)別是其色標(biāo)顏色不同,普通二極管的色標(biāo)顏色一般為黑色,,而高頻變阻二極管的色標(biāo)顏色則為淺色。其極性規(guī)律與普通二極管相似,,即帶綠色環(huán)的一端為負(fù)極,,不帶綠色環(huán)一端為正極,。[8]二極管變?nèi)荻O管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調(diào)測量,,變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無窮大,。如果在測量中,發(fā)現(xiàn)萬用表指針向右有輕微擺動(dòng)或阻值為零,,說明被測變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞,。[8]二極管單色發(fā)光二極管在萬用表外部附接一節(jié)能,將萬用表置R×10或R×100擋,。江蘇大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)富士IGBT