其中該中心凹陷區(qū)域是方形,。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍,。在一實(shí)施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。在一實(shí)施例中,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域,，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中,。在一實(shí)施例中，為了設(shè)計(jì)與制作的方便,，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例,，提供一種半導(dǎo)體晶圓,，其特征在于，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一***芯片區(qū)域,，該***芯片區(qū)域包含如所述的半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),。在一實(shí)施例中。國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠家哪家好,？河北半導(dǎo)體晶圓歡迎選購

    該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請(qǐng)所欲保護(hù)的其他基板結(jié)構(gòu),，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓,。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400,。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面。圖16a的晶圓層820的上表面,，是圖10a實(shí)施例所說的第二表面822,。步驟1520：根據(jù)所欲切割芯片的大小與圖樣，涂布屏蔽層,。在圖16b當(dāng)中,，可以看到屏蔽層1610的圖樣，形成在晶圓層820的上表面,。而每一個(gè)芯片預(yù)定區(qū)域的屏蔽層1610的圖樣,，至少要在該芯片的周圍形成邊框區(qū)域。當(dāng)所欲實(shí)施的基板結(jié)構(gòu)如同圖8a~10b所示的基板結(jié)構(gòu)800~1000,，或是具有內(nèi)框結(jié)構(gòu)時(shí),，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的區(qū)域。在一實(shí)施例當(dāng)中,，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer),，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層。步驟1530：對(duì)晶圓進(jìn)行蝕刻,。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻,、干式蝕刻、電漿蝕刻,、反應(yīng)離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示,，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半,，但本申請(qǐng)并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后,，形成芯片邊緣的邊框結(jié)構(gòu)與/或芯片內(nèi)部的方框結(jié)構(gòu),。利用兩個(gè)步驟1520與1530，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu),。北京標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體晶圓服務(wù)電話,？

    在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，排氣口包含多個(gè)穿孔,。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種半導(dǎo)體晶圓干燥方法,。半導(dǎo)體晶圓干燥方法包含：將半導(dǎo)體晶圓設(shè)置于腔室內(nèi)；對(duì)半導(dǎo)體晶圓發(fā)射微波,，以將半導(dǎo)體晶圓上的水加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣,；以及將水蒸氣排出腔室。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中,，半導(dǎo)體晶圓干燥方法進(jìn)一步包含：旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體晶圓,。在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體晶圓的轉(zhuǎn)速實(shí)質(zhì)上為10rpm。相較于公知技術(shù),，本發(fā)明的上述實(shí)施方式至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1)運(yùn)用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水,，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本,。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布,，微波可均勻地進(jìn)入腔室內(nèi)，并均勻地到達(dá)位于腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓,，從而促進(jìn)干燥過程,。(3)由于半導(dǎo)體晶圓以約10rpm(revolutionsperminute，每分鐘回轉(zhuǎn)數(shù))的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),，半導(dǎo)體晶圓可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器的微波,，藉此可促進(jìn)干燥過程。附圖說明參照以下附圖閱讀下文中詳述的實(shí)施方式,，可更透徹地理解本發(fā)明,。圖1為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。圖2為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖,。

    在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中,，示出四個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到,，本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量,、位置、形狀等配置的參數(shù),。在一實(shí)施例當(dāng)中,，如圖8a所示，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處,，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的,。在另一實(shí)施例當(dāng)中，內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的,。舉例來說,，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度，可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來得小,。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來得小,，因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng)。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值,，另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu),。請(qǐng)參考圖9所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)900的一剖面示意圖,。圖9所示的結(jié)構(gòu)900是在圖8所示的結(jié)構(gòu)800之下加入樹酯層440,。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400一樣,，該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)900的金屬層810，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,，進(jìn)而保護(hù)器件,。在圖8a與圖9的實(shí)施例當(dāng)中，在芯片中間的金屬層810比較厚,。由于金屬層810的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴,，制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴。如果在設(shè)計(jì)規(guī)格允許的情況下,，可以制作較薄的金屬層810,，以便減少成本。咸陽12英寸半導(dǎo)體晶圓代工,。

    圖18b是圖18a所示通孔的頂視圖,。圖18c揭示了形成在晶圓18010上的多個(gè)槽18036的剖視圖。同樣的,，槽18036中由聲波能量產(chǎn)生的氣泡18012增強(qiáng)了對(duì)雜質(zhì)的去除,，如殘留物和顆粒。圖18d是圖18c所示槽18036的頂視圖,。飽和點(diǎn)rs被定義為通孔18034,、槽18036或其他凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)可容納的**大氣泡量。當(dāng)氣泡的數(shù)量超過飽和點(diǎn)rs時(shí),，清洗液將受圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)的氣泡阻擋且很難到達(dá)通孔18034或槽18036側(cè)壁的底部,，因此，清洗液的清洗效果會(huì)受到影響,。當(dāng)氣泡的數(shù)量低于飽和點(diǎn)時(shí),，清洗液在通孔18034或槽18036內(nèi)有足夠的活動(dòng)路徑，從而獲得良好的清洗效果,。低于飽和點(diǎn)時(shí),，氣泡總體積vb與通孔或槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的總體積vvtr的比值r為：r＝vb/vvtr當(dāng)處于飽和點(diǎn)rs時(shí),，比值r為：r＝vb/vvtr＝rs通孔18034,，槽18036或其他凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)氣泡總體積為：vb＝n*vb其中，n為通孔,、槽或凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)的氣泡總數(shù),，vb為單個(gè)氣泡的平均體積。如圖18e至圖18h所示,，當(dāng)超聲波或兆聲波能量被應(yīng)用于清洗液中時(shí),，氣泡18012的尺寸逐漸膨脹到一定體積，從而導(dǎo)致氣泡總體積vb和通孔,、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r接近或超過飽和點(diǎn)rs,。膨脹的氣泡18012堵塞了清洗液體交換和***通孔或槽中雜質(zhì)的路徑,。在這種情況下。半導(dǎo)體晶圓定制價(jià)格,。北京標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓

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    并且不同規(guī)格的花籃無法同時(shí)進(jìn)行作業(yè),，**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足,，提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具,，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)清洗,。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題：一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具,，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口,；所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成,，圓形底盤上設(shè)置有一組通孔，在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個(gè)連接端子,，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對(duì)應(yīng)于該連接端口的位置,。推薦地，圓形底盤上的所述通孔均勻分布,。推薦地,，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽,，豎直擋板與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間,。進(jìn)一步推薦地，所述豎直擋板上設(shè)置有一組通孔,。推薦地,，所述一組平放花籃中包括多個(gè)具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地,，所述提把的上端帶有掛鉤,。相比現(xiàn)有技術(shù)。河北半導(dǎo)體晶圓歡迎選購

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