逐步縮短時間τ2來運行doe,，直到可以觀察到圖案結(jié)構(gòu)被損傷,。由于時間τ2被縮短,，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度不能被足夠冷卻，從而會引起氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的平均溫度的逐步上升,，**終將會觸發(fā)氣泡內(nèi)爆,，觸發(fā)時間稱為臨界冷卻時間τc。知道臨界冷卻時間τc后,，為了增加安全系數(shù),，時間τ2可以設(shè)置為大于2τc的值。因此,，可以確定清洗工藝的參數(shù),，使得施加聲能的清洗效果導致的產(chǎn)量提高大于因施加聲能造成的損傷而導致的產(chǎn)量下降。也可以例如由客戶規(guī)定損傷百分比的預定閾值,。可以確定清洗工藝的參數(shù),，使得損傷百分比低于預定閾值,，或者基本上為零，甚至為零,。預定閾值可以是例如,，10％,5％,2％,或1％,。如果晶圓生產(chǎn)的**終產(chǎn)量沒有受到清洗過程造成的任何損害的實質(zhì)性影響，則損傷百分比實質(zhì)上為零,。換句話說,，從整個制造過程來看，清洗過程造成的任何損傷都是可以容許的,。如前所述,，損傷百分比可以通過使用電子顯微鏡檢查樣品晶圓來確定。圖8a至圖8d揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。在該聲波晶圓清洗工藝中,，電源的功率水平p的振幅隨著時間變化，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣,，在該實施例中,。天津12英寸半導體晶圓代工。洛陽半導體晶圓歡迎選購

    所述有機胺為二乙烯三胺,、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺、乙胺,、二乙胺,、三乙胺、三丙胺,，N,，N-二甲基乙醇胺、N,，N-甲基乙基乙醇胺,、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸,、草酸,、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍,、碳酸胍,、醋酸胍、3-胍基丙酸,、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。所述清洗液的pH值為2～5。與現(xiàn)有技術(shù)相比,，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的清洗液能有效***金屬污染物的殘留問題,，同時對金屬和非金屬的腐蝕速率較小，有效改善了一般氟類清洗液不能同時控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題,，提高化學清洗質(zhì)量,；對殘留物的清洗時間明顯縮短,，效率提高；由于不存在強氧化劑,，清洗液放置穩(wěn)定,，使用安全。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚,、完整地描述，顯然,，所描述的實施例**是本發(fā)明一部分實施例,，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍,。實施例1一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,。河北標準半導體晶圓半導體晶圓研磨技術(shù)？

    9月15日,，合肥高新區(qū)與華進半導體就晶圓級扇出型封裝產(chǎn)業(yè)化項目舉行簽約儀式,。工委委員、管委會副主任呂長富會見華進半導體董事長于燮康一行并出席簽約儀式,，創(chuàng)業(yè)服務(wù)中心主任周國祥,，華進半導體合肥項目負責人姚大平，分別**高新區(qū)與華進半導體簽署協(xié)議,。經(jīng)貿(mào)局,、財政局、高新股份等單位負責人見證簽約儀式,。華進半導體是由中國科學院微電子研究所,、長電科技、通富微電,、華天科技,、中芯國際等多家國內(nèi)半導體封裝、制造上市公司聯(lián)合投資組成的**研發(fā)中心,，旨在研發(fā)和先進封裝成果轉(zhuǎn)換,，為中國半導體先進封裝工藝的發(fā)展提供產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)和輸出技術(shù)的平臺。芯片封裝是指將晶圓加工得到**芯片的過程,，是集成電路芯片制造完成后不可缺少的一道工序,，是器件到系統(tǒng)的橋梁。晶圓級扇出型封裝技術(shù)可以實現(xiàn)在單芯片的封裝中做到更高的集成度，并擁有更好的電氣屬性,，從而能降低封裝成本，而且計算速度更快,，產(chǎn)生的功耗也更小,。華進半導體將在高新區(qū)投資建設(shè)國內(nèi)**的晶圓級扇出型封裝生產(chǎn)線，項目一期總投資為,，未來年產(chǎn)產(chǎn)能將達到120萬片,，以及初期將建設(shè)辦公、基礎(chǔ)設(shè)施,、倉儲等配套區(qū)域,。會見中于燮康表示合肥近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展突飛猛進。

    用振幅隨著時間變化的電源的功率水平p來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的功率水平p1,。在一個實施例中,，如圖8a所示，在時間段τ1內(nèi),，電源的功率振幅p增大,。在另一個實施例中，如圖8b所示,，在時間段τ1內(nèi),，電源的功率振幅p減小。在又一個實施例中,，如圖8c所示,，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先減小后增大,。在如圖8d所示的實施例中,，在時間段τ1內(nèi)，電源的功率振幅p先增大后減小,。圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。在該聲波晶圓清洗工藝中，電源的頻率隨著時間變化,，而這個工藝中的其他方面與圖7a至圖7d中所示的保持一樣,，在該實施例中，用隨著時間變化的電源的頻率來代替如圖7a及圖7d中步驟7040所示的恒定的頻率f1,。如圖9a所示,，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi),，電源的頻率先設(shè)置為f1后設(shè)置為f3,，f1高于f3。如圖9b所示，在一個實施例中,，在時間段τ1內(nèi),，電源的頻率先設(shè)置為f3后增大至f1。如圖9c所示,，在一個實施例中,，在時間段τ1內(nèi)，電源的頻率從f3變化至f1再變回f3,。如圖9d所示,，在一個實施例中，在時間段τ1內(nèi),，電源的頻率從f1變?yōu)閒3再變回f1,。與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中,，在時間段τ1內(nèi),，電源的頻率先設(shè)置為f1。半導體晶圓廠家供應(yīng),。

    在其他區(qū)域利用較厚的樹酯層540替換部分的金屬層510的金屬,，以便適應(yīng)不同的半導體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值。在制作方面,，雖然樹酯層540的深度,、形狀與位置有所變化，但由于制作樹酯層540的工序都是一樣,，所以成本只和金屬用量的多少有關(guān)而已,。請參考圖8a所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖,。該結(jié)構(gòu)800依序包含半導體組件層130,、晶圓層820與金屬層810。和圖3所示的結(jié)構(gòu)300相比,，除了晶圓層820外緣的邊框之外,，在晶圓層820的**，也有加強用的內(nèi)框結(jié)構(gòu),。在圖8a當中,，可以看到兩個內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以增進晶圓層820的結(jié)構(gòu)強度,。但需要注意的是，安排在內(nèi)框結(jié)構(gòu)上方的半導體元器件,，其所適用基板結(jié)構(gòu)的電阻值就會比其他區(qū)域的電阻值來得高,。因此,，可以盡量不要安排需要較低基板結(jié)構(gòu)電阻值的半導體元器件在這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的上方。雖然在圖8a所示的實施例當中,，只示出兩個內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822,，且該內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822相對于邊框的距離是相同的。但本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量,、位置,、形狀等配置的參數(shù)。請參考圖8b所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖。半導體晶圓用的精密運動平臺,，國內(nèi)有廠家做嗎,？遼寧半導體晶圓制造

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    因此需要更長的時間τ1,。通過縮短時間τ2來提高氣泡的溫度,。通常，在本發(fā)明的晶圓清洗工藝中所應(yīng)用的的超聲波或兆聲波的頻率在,。圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的用于執(zhí)行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的一示范性的晶圓清洗裝置,。該晶圓清洗裝置包括用于承載晶圓23010的晶圓卡盤23014，在清洗過程中由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置23016驅(qū)動晶圓卡盤23014帶著晶圓23010一起旋轉(zhuǎn),。該晶圓清洗裝置還包括噴頭23064,，用于輸送如清洗化學液或去離子水23060等清洗液至晶圓23010。與噴頭23064相結(jié)合的超聲波或兆聲波裝置23062用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液,。由超聲波或兆聲波裝置23062產(chǎn)生的超聲波或兆聲波通過由噴頭23064噴出的清洗液23060傳遞至晶圓23010,。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的用于執(zhí)行圖7至圖22所示的晶圓清洗工藝的另一實施例的晶圓清洗裝置的剖視圖。該晶圓清洗裝置包括容納清洗液24070的清洗槽24074,，用于裝載多片晶圓24010的晶圓盒24076,，該多片晶圓24010浸沒在清洗液24070中。該晶圓清洗裝置進一步包括設(shè)置在清洗槽24074的壁上的超聲波或兆聲波裝置24072,，用于傳遞超聲波能或兆聲波能至清洗液,。至少有一個入口(圖中未顯示)用于使清洗槽24074充滿清洗液24070，因此,。洛陽半導體晶圓歡迎選購

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