金屬層310可以代換為金屬層510,。圖6所示剖面600的**是晶圓層320,。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形,，也可以是正方形,。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同,，也可以不同,。當兩者相同時，該金屬層310的剖面是正方形,。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間,，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框。該四個邊框的厚度可以相同,，也可以不同。舉例來說,，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同,，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到,，本申請并不限定該晶圓層320外緣的形狀。換言之,，本申請不限定該芯片的形狀,。本申請也不限定該金屬層310的形狀。除此之外,，當該晶圓層320與該金屬層310都是矩形時,，本申請也不限定該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個邊框的厚度。在一實施例當中,，這四個邊框的厚度621~624可以相同,，以簡化設(shè)計與制作的問題。在另一實施例當中,，這四個邊框當中兩組邊框的厚度可以相同,，以簡化設(shè)計與制作的問題。在更一實施例當中,，這四個邊框的厚度621~624可以完全不同,，以便適應芯片設(shè)計的需要。請參考圖7所示,。浙江12英寸半導體晶圓代工,。汕頭半導體晶圓誠信互利

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個晶圓1010上接收均勻的聲波能量,。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個聲波裝置1003，但是在其他實施例中,，也可以同時或間歇使用兩個或多個聲波裝置,。同理，也可以使用兩個或多個噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032,。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器,。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器,；圖2c示意了八邊形的傳感器,；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器,；圖2f示意了1/4圓形的傳感器,；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004,。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆,。當聲能作用于氣泡3012上時，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g,。**終氣泡3012到達內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射,。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達到上千個大氣壓和上千攝氏度),，會損傷晶圓4010上的精細圖案結(jié)構(gòu)4034,，尤其是當特征尺寸t縮小到70nm或更小時。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。參考圖4a所示,，由于聲波空化在半導體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044,。江門半導體晶圓銷售價格開封怎么樣半導體晶圓?

    在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中,。在上述實施例中，在晶圓清洗工藝中,，如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù),，例如功率水平、頻率,、通電時間(τ1),、斷電時間(τ2)都預設(shè)在電源控制器中，而不是實時監(jiān)測,，在晶圓清洗過程中,，由于一些異常情況，仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此,，需要一種實時監(jiān)測聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法,，如果參數(shù)不在正常范圍，則聲波電源應該關(guān)閉且需要發(fā)出警報信號并報告,。圖25揭示了本發(fā)明的一實施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測聲波電源運行參數(shù)的控制系統(tǒng),。該控制系統(tǒng)包括主機25080、聲波發(fā)生器25082,、聲波換能器1003,、檢測電路25086和通信電纜25088。主機25080發(fā)送聲波的參數(shù)設(shè)定值到聲波發(fā)生器25082,，例如功率設(shè)定值p1,、通電時間設(shè)定值τ1、功率設(shè)定值p2,、斷電時間設(shè)定值τ2,、頻率設(shè)定值和控制指令，例如電源開啟指令,。聲波發(fā)生器25082在接收到上述指令后產(chǎn)生聲波波形,，并發(fā)送聲波波形到聲波換能器1003來清洗晶圓1010。同時,，主機25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值和聲波發(fā)生器25082的輸出值被檢測電路25086讀取,。檢測電路25086將聲波發(fā)生器25082的輸出值和主機25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值進行比較后。

    圖11b為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖,。圖12為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖,。圖13為根據(jù)本申請一實施例的晶圓的一示意圖,。圖14為根據(jù)本申請另一實施例的晶圓的一示意圖,。圖15為根據(jù)本申請一實施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據(jù)本申請實施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖,。具體實施方式本發(fā)明將詳細描述一些實施例如下,。然而，除了所揭露的實施例外,，本發(fā)明的范圍并不受該些實施例的限定,，是以其后的申請專利范圍為準。而為了提供更清楚的描述及使該項技藝的普通人員能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容,，圖示內(nèi)各部分并沒有依照其相對的尺寸進行繪圖,，某些尺寸或其他相關(guān)尺度的比例可能被凸顯出來而顯得夸張，且不相關(guān)的細節(jié)部分并沒有完全繪出,，以求圖示的簡潔,。請參考圖1所示，其為現(xiàn)有半導體基板的結(jié)構(gòu)100的一剖面示意圖。在該結(jié)構(gòu)100當中,，依序包含一金屬層110,、一晶圓層120與一半導體組件層130。晶圓層120夾在該金屬層110與半導體組件層130之間,。在圖1當中,，該半導體組件層130可以包含垂直型設(shè)計的半導體元器件，例如包含至少一個金氧半導體場效晶體管器件(mosfet,。什么才可以稱為半導體晶圓,？

    目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050,。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內(nèi),，電源的頻率增至f2,，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050,。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內(nèi),，電源的頻率增至f2,，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例的差異*在步驟10050,。在本實施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時間段τ2內(nèi),，電源的頻率從f1增至f2,，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1,，因此,，聲波能量對氣泡的加熱不那么強烈，功率水平p2可略高于功率水平p1,，但是不能太高,，以確保在時間段τ2內(nèi)，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低,，如圖14b所示,。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。參考圖15a所示,。國內(nèi)半導體晶圓廠家哪家好,？北京半導體晶圓廠家現(xiàn)貨

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    13)v3＝v2-△v＝v1+δv-△v＝v0-△v+δv-△v＝v0+δv-2△v(14)其中,，△v是由超/兆聲波產(chǎn)生的正壓使氣泡壓縮一次后氣泡的體積減量,，δv是由超/兆聲波產(chǎn)生的負壓使氣泡膨脹一次后氣泡的體積增量，(δv-△v)是一個周期后由方程式(5)計算出的溫度增量(△t-δt)導致的體積增量,。氣穴振蕩的第二個周期完成后,，在溫度的持續(xù)增長過程中，氣泡的尺寸達到更大,。氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v4為：v4＝v3+δv＝v0+δv-2△v+δv＝v0+2(δv-△v)(15)第三次壓縮后,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v5為：v5＝v4-△v＝v0+2(δv-△v)-△v＝v0+2δv-3△v(16)同理，當氣穴振蕩的第n個周期達到**小氣泡尺寸時,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n-1為：v2n-1＝v0+(n-1)δv-n△v＝v0+(n-1)δv-n△v(17)當氣穴振蕩的第n個周期完成后,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n為：v2n＝v0+n(δv-△v)(18)為了將氣泡的體積限制在所需體積vi內(nèi)，該所需體積vi是具有足夠物理活動的尺寸或者是氣泡狀態(tài)低于氣穴振蕩或氣泡密度的飽和點,，而不會阻塞通孔,、槽或其他凹進區(qū)域內(nèi)的清洗液交換路徑。周期數(shù)ni可以表示為：ni＝(vi–v0-△v)/(δv-△v)+1(19)根據(jù)公式(19),，達到vi所需的時間τi可以表示為：τi＝nit1＝t1(,。汕頭半導體晶圓誠信互利

昆山創(chuàng)米半導體科技有限公司是一家半導體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,；半導體設(shè)備、半導體材料,、電子設(shè)備,、機械設(shè)備及配件、機電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備,、太陽能電池及組件、電子產(chǎn)品,、電子材料,、針紡織品,、玻璃制品,、五金制品、日用百貨,、勞保用品,、化工產(chǎn)品及原料（不含危險化學品及易制毒化學品）的銷售；貨物及技術(shù)的進出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動） 許可項目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準） 一般項目：固體廢物治理,；非金屬廢料和碎屑加工處理,；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）的公司,，是一家集研發(fā),、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司,。創(chuàng)米半導體擁有一支經(jīng)驗豐富,、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供晶圓,，wafer,，半導體輔助材料，晶圓盒,。創(chuàng)米半導體繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,，既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,，實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破,。創(chuàng)米半導體始終關(guān)注能源市場，以敏銳的市場洞察力,，實現(xiàn)與客戶的成長共贏,。