可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu),例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,。所謂的回字型,,就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例當(dāng)中,,多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的,,以便簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。在另一實(shí)施例當(dāng)中,,多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的,。在更一實(shí)施例當(dāng)中,大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的,。舉例來說,,大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的,,但大小不同??虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例,。在一實(shí)施例當(dāng)中,可以具有兩個(gè)以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。請(qǐng)參考圖11b所示,,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實(shí)施例,,為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu),,就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于,,晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),,用于加強(qiáng)該一個(gè)或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu),本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù),。請(qǐng)參考圖12所示,,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到,,本申請(qǐng)并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀,其可以是正方形,、矩形、橢圓形,、圓形,。半導(dǎo)體晶圓費(fèi)用是多少?棗莊半導(dǎo)體晶圓銷售電話
請(qǐng)參考圖10a所示,,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖,。和圖9所示的實(shí)施例不同之處,在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040,。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810,,可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比,,該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離,,要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄,,因此可以節(jié)省金屬本身的成本,,也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請(qǐng)參考圖10b所示,,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖,。圖10b所示的實(shí)施例是圖10a所示實(shí)施例的一種變形,。和圖10a的金屬層1010相比,圖10b所示實(shí)施例的金屬層1010比較厚,。圖10b所示實(shí)施例的其余特征均與圖10a所示實(shí)施例相同,。請(qǐng)參考圖11a所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖,。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面,,也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面,還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。為了方便說明起見,。石家莊8寸半導(dǎo)體晶圓厚度多少半導(dǎo)體封裝晶圓切割膠帶品牌有哪些?
位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個(gè)前后對(duì)稱的卡扣61,,所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66,,通過所述卡扣61,可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48,,通過所述玻璃窗66可便于觀測(cè)切割情況,。初始狀態(tài)時(shí),滑塊47與送料腔68右壁抵接,,切割片50處于上側(cè),,兩個(gè)海綿52抵接切割片50,接收箱28位于切割腔27下側(cè),,并接收腔29內(nèi)存有清水,,橫條33位于**下側(cè),第二齒牙34與***齒牙38不接觸,,第二齒牙34與限制塊39不接觸,,限制塊39插入限制腔42內(nèi)。當(dāng)使用時(shí),,通過***電機(jī)63的運(yùn)轉(zhuǎn),,可使蝸桿65帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動(dòng),通過旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn),,可使***連桿32帶動(dòng)三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動(dòng),,從而可使連接臺(tái)35帶動(dòng)橫條33繞圓弧方向左右晃動(dòng),當(dāng)橫條33沿圓弧方向向上移動(dòng)時(shí),,第二齒牙34可與***齒牙38嚙合,,進(jìn)而可帶動(dòng)上滑塊47向左移動(dòng),則可使夾塊49向左移動(dòng),,當(dāng)橫條33帶動(dòng)第二齒牙34向上移動(dòng)時(shí),,第二齒牙34可抵接限制塊39,并使限制塊39向上移動(dòng),,進(jìn)而可使限制塊39離開限制腔42,,則可使滑塊47能夠正常向左移動(dòng),,當(dāng)滑塊47需要向右移動(dòng)時(shí),手動(dòng)向上拉動(dòng)手握球46,,使限制塊39向上移動(dòng),,并手動(dòng)向右拉動(dòng)手拉塊40,則橫板41可帶動(dòng)滑塊47向右移動(dòng),,通過第二電機(jī)16的運(yùn)轉(zhuǎn),,可使切割軸51帶動(dòng)切割片50轉(zhuǎn)動(dòng)。
在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中,,示出四個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu),。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到,本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量,、位置,、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中,,如圖8a所示,,在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處,晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的,。在另一實(shí)施例當(dāng)中,,內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的。舉例來說,,在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度,,可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來得小,,因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng),。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值,另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu),。請(qǐng)參考圖9所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)900的一剖面示意圖,。圖9所示的結(jié)構(gòu)900是在圖8所示的結(jié)構(gòu)800之下加入樹酯層440,。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400一樣,該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)900的金屬層810,,并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,,進(jìn)而保護(hù)器件。在圖8a與圖9的實(shí)施例當(dāng)中,,在芯片中間的金屬層810比較厚,。由于金屬層810的金屬價(jià)格比樹酯層440的樹酯還要貴,制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴,。如果在設(shè)計(jì)規(guī)格允許的情況下,,可以制作較薄的金屬層810,,以便減少成本。半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域分析,。
則可達(dá)到切割效果,,通過接收腔29內(nèi)的清水,可使切割掉落的產(chǎn)品能夠受到緩沖作用,,通過手動(dòng)向前拉動(dòng)手拉桿67,,可使接收箱28向前滑動(dòng),進(jìn)而可取出產(chǎn)品,,通過第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn),,可使電機(jī)軸24帶動(dòng)***轉(zhuǎn)盤23轉(zhuǎn)動(dòng),進(jìn)而可使第二輪盤21帶動(dòng)***螺桿17間歇性往返轉(zhuǎn)動(dòng),,則可使升降塊15間歇性升降,,繼而可使切割片50能夠連續(xù)切割硅錠48,通過第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn),,可使***螺桿17帶動(dòng)豎軸12往返轉(zhuǎn)動(dòng),,進(jìn)而可使皮帶傳動(dòng)裝置59傳動(dòng)來動(dòng)第二螺桿57往返轉(zhuǎn)動(dòng),通過第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動(dòng),,可使螺套58間歇性升降移動(dòng),,進(jìn)而可使第五連桿56帶動(dòng)第四連桿54間歇性往返左右移動(dòng),從而可使移動(dòng)塊53帶動(dòng)海綿52間歇性往返左右移動(dòng),,則可使海綿52在切割片50上升時(shí)向切割片50移動(dòng)并抵接,,以及在切割片50下降時(shí)向移動(dòng)腔13方向打開,通過冷卻水腔14內(nèi)的冷卻水,,可保證海綿52處于吸水狀態(tài),。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明可有效降低半導(dǎo)體制作原料晶圓在切割時(shí)所產(chǎn)生的發(fā)熱變形問題,并且也能降低硅錠在移動(dòng)送料切割過程中,,由于長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作導(dǎo)致主軸位置偏移導(dǎo)致切割不準(zhǔn)的問題,,其中,步進(jìn)機(jī)構(gòu)能夠通過旋轉(zhuǎn)聯(lián)動(dòng)水平步進(jìn)移動(dòng)的傳動(dòng)方式,,使硅錠在連續(xù)切割時(shí)能夠穩(wěn)定送料,。半導(dǎo)體制程重要輔助設(shè)備。石家莊8寸半導(dǎo)體晶圓厚度多少
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但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,,晶圓制作方法1500的各個(gè)步驟不*可以對(duì)一整個(gè)晶圓進(jìn)行,也可以針對(duì)單一個(gè)芯片進(jìn)行,。在一實(shí)施例當(dāng)中,,如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度,可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時(shí),,屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域,。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時(shí),蝕刻的深度到達(dá)內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度,。接著,,第二次執(zhí)行步驟1530,屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域,。接著,,第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來,,就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu),。步驟1540:去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示,,屏蔽層1610已經(jīng)被去除,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,去除屏蔽層是公知的技術(shù),,不在此詳述,。步驟1550:在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層,。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進(jìn)行,。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition),、電鍍(plating)或是涂布法,。金屬層可以包含一或多層金屬層,該金屬層可以包含單一金屬,、合金或金屬化合物,。舉例來說,該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni),、鎳鋁合金(alni),、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金,。棗莊半導(dǎo)體晶圓銷售電話
昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司是一家半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,;半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料,、電子設(shè)備,、機(jī)械設(shè)備及配件、機(jī)電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備,、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品、電子材料,、針紡織品,、玻璃制品、五金制品,、日用百貨,、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料(不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品)的銷售,;貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù),。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)) 許可項(xiàng)目:廢棄電器電子產(chǎn)品處理(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng),,具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)) 一般項(xiàng)目:固體廢物治理;非金屬廢料和碎屑加工處理,;再生資源回收(除生產(chǎn)性廢舊金屬),;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售,;電子設(shè)備銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,,憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng))的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí),、誠實(shí)可信的企業(yè),。公司自創(chuàng)立以來,投身于晶圓,,wafer,,半導(dǎo)體輔助材料,晶圓盒,,是能源的主力軍,。創(chuàng)米半導(dǎo)體不斷開拓創(chuàng)新,追求出色,,以技術(shù)為先導(dǎo),,以產(chǎn)品為平臺(tái),以應(yīng)用為重點(diǎn),,以服務(wù)為保證,,不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值,提供更優(yōu)服務(wù),。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終關(guān)注自身,,在風(fēng)云變化的時(shí)代,對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠,高度的專注與執(zhí)著使創(chuàng)米半導(dǎo)體在行業(yè)的從容而自信,。