以防止氣泡長大到一個臨界尺寸,，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征,。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產(chǎn)生的氣泡的尺寸,。圖20a揭示了在時間段τ1內(nèi)設(shè)置功率水平為p1及在時間段τ2內(nèi)關(guān)閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對應(yīng)每個氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖,。圖20c揭示了在每個氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大,。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r的曲線圖,。根據(jù)r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr這里,，氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn,，單個氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數(shù)n后,，在時間τ1內(nèi)增大。rn被控制在飽和點rs之下,。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔,、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0，單個氣泡的平均體積在冷卻過程中,，在時間τ2內(nèi)回到初始大小,。參考圖20b所示，在時間段τ1內(nèi),，在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下,，氣泡增大到大體積vn。在這種狀態(tài)下,，清洗液的傳輸路徑部分受阻,。新鮮的清洗液無法徹底進(jìn)入到通孔或槽的底部和側(cè)壁。與此同時,。半導(dǎo)體晶圓研磨技術(shù),？遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    只要該半導(dǎo)體組件層130所包含的半導(dǎo)體元器件需要藉由該晶圓層320與該金屬層310傳遞電流，都可以適用于本申請,。該晶圓層320包含彼此相對的一***表面321與一第二表面322,，該***表面321與上述的半導(dǎo)體組件層130相接。該第二表面322與該金屬層310相接或相貼,。從圖3可以看到,，該***表面321與第二表面322的**大距離，出現(xiàn)在該結(jié)構(gòu)300的邊緣處,。在一實施例中,，該***表面321與第二表面322的**小距離，出現(xiàn)在該結(jié)構(gòu)300的中心處,。在另一實施例中,，該***表面321與第二表面322的**小距離，出現(xiàn)在該半導(dǎo)體組件層130的器件投影在該***表面321的地方,。在一實施例當(dāng)中,，當(dāng)該結(jié)構(gòu)300屬于一薄型化芯片時，該***表面321與第二表面322的**大距離,，或者說是該晶圓層320的厚度,，可以小于75um。在另外的一個實施例當(dāng)中,，該***表面321與第二表面322的**大距離,，或者說是該晶圓層320的厚度，可以是介于100~150um之間,。在額外的一些實施例當(dāng)中,，該***表面321與第二表面322的**大距離，或者說是該晶圓層320的厚度,，可以是介于75~125um之間,。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，本申請并未限定該晶圓層320的厚度,。和傳統(tǒng)的晶圓層120相比,。開封半導(dǎo)體晶圓鄭重承諾半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??

    功率為p1時檢測到的通電時間和預(yù)設(shè)時間τ1進(jìn)行比較,，如果檢測到的通電時間比預(yù)設(shè)時間τ1長，檢測電路發(fā)送報警信號到主機,，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源,；檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預(yù)設(shè)時間τ2，如果檢測到的斷電時間比預(yù)設(shè)時間τ2短,，檢測電路發(fā)送報警信號到主機,，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源。在一個實施例中,，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近,，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置,，包括卡盤,、超聲波或兆聲波裝置、至少一個噴頭,、超聲波或兆聲波電源,、主機和檢測電路?？ūP支撐半導(dǎo)體基板,。超聲波或兆聲波裝置置于半導(dǎo)體基板附近。至少一個噴頭向半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學(xué)液體,。主機設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1,、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前,，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零,，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1,，功率為p1,。

    圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路27092的示例。該振幅檢測電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路,。如圖32b所示,，參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-，如圖32c所示,。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-,。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-，那么振幅檢測電路27092發(fā)送報警信號到主機25080,，主機25080接收到報警信號則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來避免對晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)造成損傷,。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟33010開始,，首先將清洗液施加至晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中,。在步驟33020中,，設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1以驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置,。在步驟33030中,，將檢測到的通電時間與預(yù)設(shè)時間τ1進(jìn)行比較，如果檢測到的通電時間長于預(yù)設(shè)時間τ1,，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報警信號。在步驟33040中,，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前設(shè)置超聲波或兆聲波電源輸出為零,。半導(dǎo)體晶圓銷售電話??

    x0-x)│0x0-1＝sx0p0ln(x0)(2)其中，s為汽缸截面的面積,，x0為汽缸的長度,，p0為壓縮前汽缸內(nèi)氣體的壓強。方程式(2)不考慮壓縮過程中溫度增長的因素,，因此,，由于溫度的增加，氣泡內(nèi)的實際壓強會更高,，實際上由聲壓做的機械功要大于方程式(2)計算出的值,。假設(shè)聲壓做的機械功部分轉(zhuǎn)化為熱能，部分轉(zhuǎn)換成氣泡內(nèi)高壓氣體和蒸汽的機械能,，這些熱能完全促使氣泡內(nèi)部氣體溫度的增加(沒有能量轉(zhuǎn)移至氣泡周圍的液體分子),，假設(shè)壓縮前后氣泡內(nèi)氣體質(zhì)量保持不變，氣泡壓縮一次后溫度增量δt可以用下面的方程式表達(dá)：δt＝q/(mc)＝βwm/(mc)＝βsx0p0ln(x0)/(mc)(3)其中,，q是機械功轉(zhuǎn)換而來的熱能,，β是熱能與聲壓所做的總機械功的比值，m是氣泡內(nèi)的氣體質(zhì)量,，c是氣體的比熱系數(shù),。將β＝，s＝1e-12m2,，x0＝1000μm＝1e-3m(壓縮比n＝1000),，p0＝1kg/cm2＝1e4kg/m2，氫氣的質(zhì)量m＝,，c＝(kg0k)代入方程式(3),，那么δt＝℃。一次壓縮后氣泡內(nèi)的氣體溫度t1可以計算得出：t1＝t0+δt＝20℃+℃＝℃(4)當(dāng)氣泡達(dá)到**小值1微米時,，如圖5b所示,。在如此高溫下，氣泡周圍的液體蒸發(fā),，隨后,，聲壓變?yōu)樨?fù)值,，氣泡開始增大。在這個反過程中,，具有壓強pg的熱氣體和蒸汽將對周圍的液體表面做功,。同時。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢,？開封半導(dǎo)體晶圓好選擇

半導(dǎo)體制程重要輔助設(shè)備,。遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度,。所謂的回字型,，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的,，以便簡化設(shè)計。在另一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的,。在更一實施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的,。舉例來說,，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同,?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當(dāng)中,，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖,。圖11b所示的實施例,，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。本申請所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于,，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強該一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu),，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個數(shù),。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖,。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形,、矩形,、橢圓形、圓形,。遂寧半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊不斷壯大,，現(xiàn)有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊，各種專業(yè)設(shè)備齊全,。致力于創(chuàng)造***的產(chǎn)品與服務(wù),，以誠信、敬業(yè),、進(jìn)取為宗旨,，以建SUMCO,ShinEtsu,SK產(chǎn)品為目標(biāo)，努力打造成為同行業(yè)中具有影響力的企業(yè),。公司堅持以客戶為中心、半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料,、電子設(shè)備、機械設(shè)備及配件,、機電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品,、電子材料、針紡織品,、玻璃制品,、五金制品、日用百貨,、勞保用品,、化工產(chǎn)品及原料（不含危險化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動） 許可項目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動,，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項目：固體廢物治理,；非金屬廢料和碎屑加工處理；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）市場為導(dǎo)向,，重信譽,，保質(zhì)量，想客戶之所想,，急用戶之所急,，全力以赴滿足客戶的一切需要。自公司成立以來,，一直秉承“以質(zhì)量求生存,，以信譽求發(fā)展”的經(jīng)營理念，始終堅持以客戶的需求和滿意為重點,，為客戶提供良好的晶圓,，wafer，半導(dǎo)體輔助材料,，晶圓盒,，從而使公司不斷發(fā)展壯大。