所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58,，所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56,，通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動(dòng)，可使所述螺套58間歇性升降移動(dòng),，進(jìn)而可使所述第五連桿56帶動(dòng)所述第四連桿54間歇性往返左右移動(dòng)，從而可使所述移動(dòng)塊53帶動(dòng)所述海綿52間歇性往返左右移動(dòng),，則可使所述海綿52在所述切割片50上升時(shí)向所述切割片50移動(dòng)并抵接,，以及在所述切割片50下降時(shí)向所述移動(dòng)腔13方向打開，通過所述冷卻水腔14內(nèi)的冷卻水,，可保證所述海綿52處于吸水狀態(tài),。另外，在一個(gè)實(shí)施例中,，所述傳動(dòng)腔55的上側(cè)開設(shè)有皮帶腔60,，所述皮帶腔60的底壁上轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)有豎軸12，所述第二螺桿57向上延伸部分伸入所述皮帶腔60內(nèi),，所述第二螺桿57與所述豎軸12之間傳動(dòng)連接設(shè)有皮帶傳動(dòng)裝置59,，所述豎軸12向下延伸部分伸入所述動(dòng)力腔26內(nèi)，且其底面固設(shè)有***齒輪20,，位于所述動(dòng)力腔26內(nèi)的所述***螺桿17外周上固設(shè)有第二齒輪19,，所述第二齒輪19與所述***齒輪20嚙合，通過所述第三電機(jī)25的運(yùn)轉(zhuǎn),，可使所述***螺桿17帶動(dòng)所述豎軸12往返轉(zhuǎn)動(dòng),，進(jìn)而可使所述皮帶傳動(dòng)裝置59傳動(dòng)來(lái)動(dòng)所述第二螺桿57往返轉(zhuǎn)動(dòng)。另外,，在一個(gè)實(shí)施例中,，所述夾塊49分為上下兩部分。半導(dǎo)體晶圓研磨技術(shù),？成都半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

    為了能將花籃內(nèi)部的圓形空間靈活地分隔為半圓形,、不同角度扇形等不同形狀，以適用于相應(yīng)形狀的晶圓,，推薦地,，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽,，豎直擋板與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間,。進(jìn)一步推薦地，所述豎直擋板上設(shè)置有一組通孔,，以便清洗液在所分隔的不同空間中流動(dòng),。為了適用于不同規(guī)格的晶圓清洗,，推薦地，所述一組平放花籃中包括多個(gè)具有不同半徑圓形底盤的平放花籃,。推薦地,，所述提把的上端帶有掛鉤，以便在清洗時(shí)將整個(gè)治具懸掛在清洗槽邊緣或掛桿上,。為了便于公眾理解,，下面通過一個(gè)實(shí)施例并結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明：如圖1、圖2所示,，本實(shí)施例的治具包括提把1和一組不同尺寸規(guī)格（例如對(duì)應(yīng)于**常見的4寸,、5寸、6寸晶圓的尺寸）的平放花籃2,；所述提把1沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口11（本實(shí)施例的連接端口為5個(gè),，相鄰端口間的高度差為5cm），提把1的頂端還設(shè)置有用于懸掛清洗治具的掛鉤,；所述平放花籃2由圓形底盤21和設(shè)置在圓形底盤21邊緣的一圈鏤空側(cè)壁22組成,，圓形底盤21上設(shè)置有一組通孔。淄博半導(dǎo)體晶圓誠(chéng)信為本國(guó)內(nèi)哪家做半導(dǎo)體晶圓比較好,？

    在半導(dǎo)體晶圓制造過程中,，光阻層的涂敷、曝光和成像對(duì)元器件的圖案制造來(lái)說是必要的工藝步驟,。在圖案化的***(即在光阻層的涂敷,、成像、離子植入和蝕刻之后)進(jìn)行下一工藝步驟之前,，光阻層材料的殘留物需徹底除去,。至今在半導(dǎo)體制造工業(yè)中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分,；第二步利用緩蝕劑組合物濕蝕刻/清洗工藝除去且清洗掉剩余的光阻層,，其步驟一般為清洗液清洗/漂洗/去離子水漂洗。在這個(gè)過程中只能除去殘留的聚合物光阻層和無(wú)機(jī)物,，而不能攻擊損害金屬層如鋁層,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明旨在提供了一種用于半導(dǎo)體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液。本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種用于半導(dǎo)體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機(jī)溶劑44-50份,、氟化物8-15份、氯化物10-12份,、甲基丙烯酸甲酯4-8份,、有機(jī)胺5-10份、氨基酸12-15份、胍類12-18份,、苯并三氮唑4-7份,、有機(jī)羧酸18-20份、硫脲22-25份和水60-72份,。所述有機(jī)溶劑為選自亞砜,、砜、咪唑烷酮,、吡咯烷酮,、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種,。所述氟化物為氟化氫,、或氟化氫與堿形成的鹽。

    在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度降至室溫t0或達(dá)到時(shí)間段τ2后(在時(shí)間段τ2內(nèi),，設(shè)置電源輸出為零),，電源輸出恢復(fù)至頻率f1及功率水平p1,。在步驟15270中,，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復(fù)步驟15210-15260,。或者,，可能不需要在每個(gè)周期內(nèi)檢查清潔度,，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗(yàn)確定,。參考圖15d所示,，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫t0，但是**好使溫度冷卻至遠(yuǎn)低于內(nèi)爆溫度ti,。此外,，在步驟15250中，只要?dú)馀菖蛎浟Σ黄茐幕驌p壞圖案結(jié)構(gòu)15034,，氣泡的尺寸可以略大于圖案結(jié)構(gòu)15034的間距w,。參考圖15d所示，步驟15240的持續(xù)時(shí)間可以從圖7e所示的過程中經(jīng)驗(yàn)地獲得為τ1,。在一些實(shí)施例中,，圖7至圖14所示的晶圓清洗工藝可以與圖15所示的晶圓清洗工藝相結(jié)合。圖16a-16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝,。該晶圓清洗工藝與圖7a-7e所示的相類似,，除了圖7d所示的步驟7050。在氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度達(dá)到內(nèi)爆溫度ti之前或者在τ1達(dá)到根據(jù)公式(11)計(jì)算出的τi之前，設(shè)置電源輸出為圖16a所示的正的直流值或是圖16b和圖16c所示的負(fù)的直流值,。結(jié)果,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度開始降低。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,。

    圖7d揭示了根據(jù)本發(fā)明的***個(gè)實(shí)施例的避免氣泡內(nèi)爆的詳細(xì)工藝步驟,。工藝步驟從步驟7010開始，在步驟7010中,，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近,。在步驟7020中，將清洗液,，可以是化學(xué)液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙,。在步驟7030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉(zhuǎn)或振動(dòng),。在步驟7040中,，頻率為f1，功率水平為p1的電源被應(yīng)用于聲波裝置,。在步驟7050中,，在氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度達(dá)到內(nèi)爆溫度ti之前，或在時(shí)間τ1達(dá)到通過方程式(11)所計(jì)算出的τi之前,，設(shè)置電源輸出為0,，因此，由于清洗液的溫度遠(yuǎn)低于氣體溫度,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽溫度開始冷卻,。在步驟7060中，當(dāng)氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度降低至室溫t0或時(shí)間達(dá)到τ2(在τ2時(shí)間段內(nèi),，設(shè)置電源輸出為0)后,，電源輸出恢復(fù)到頻率為f1，功率水平為p1,。在步驟7070中,，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復(fù)步驟7010-7060,。或者,，可能不需要在每個(gè)周期內(nèi)檢查清潔度,，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗(yàn)確定,。參考圖7d所示,，在步驟7050中，為了避免氣泡內(nèi)爆，時(shí)間段τ1必須比時(shí)間段τi短,，可以通過公式(11)計(jì)算出τi,。在步驟7060中。晶圓的基本工藝有哪些,？北京半導(dǎo)體晶圓誠(chéng)信推薦

國(guó)外半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品品質(zhì)怎么樣,？成都半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

    目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050,。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi),，電源的頻率增至f2,，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050,。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi),，電源的頻率增至f2,，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050,。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中,，在時(shí)間段τ2內(nèi),，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2,。由于頻率f2高于頻率f1,，因此，聲波能量對(duì)氣泡的加熱不那么強(qiáng)烈,，功率水平p2可略高于功率水平p1,，但是不能太高，以確保在時(shí)間段τ2內(nèi),，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低,，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中,，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。參考圖15a所示。成都半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司屬于能源的高新企業(yè),，技術(shù)力量雄厚,。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家一人有限責(zé)任公司企業(yè),。公司業(yè)務(wù)涵蓋晶圓,，wafer，半導(dǎo)體輔助材料,，晶圓盒,，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證,，深受廣大客戶的歡迎,。創(chuàng)米半導(dǎo)體自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化,、專業(yè)化路線,，得到了廣大客戶及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。