物理結(jié)構(gòu)是在發(fā)光二極管的結(jié)間安置一層具有光活性的半導(dǎo)體,，其端面經(jīng)過(guò)拋光后具有部分反射功能,，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下,，LED結(jié)發(fā)射出光來(lái)并與光諧振腔相互作用,，從而進(jìn)一步激勵(lì)從結(jié)上發(fā)射出單波長(zhǎng)的光，這種光的物理性質(zhì)與材料有關(guān),。在VCD機(jī)中,，半導(dǎo)體激光二極管是激光頭的**部件之一，它大多是由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構(gòu)成的,，是一種近紅外半導(dǎo)體器件,，波長(zhǎng)為780～820 nm，額定功率為3～5 mw,。另外,，還有一種可見(jiàn)光(如紅光)半導(dǎo)體激光二極管，也廣泛應(yīng)用于VCD機(jī)以及條形碼閱讀器中,。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示,。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)類(lèi)型有三種，如圖11所示。細(xì)胞在破膜后仍能保持較高的活性和正常的生理功能,，有利于后續(xù)對(duì)細(xì)胞進(jìn)行長(zhǎng)期的觀察和研究,。美國(guó)一體整合激光破膜

PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過(guò)染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視,。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有4000余種,，而PGS只能檢查胚胎23對(duì)染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常，無(wú)法覆蓋所有疾病,。因?yàn)镻GS取材有限,，只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞，雖然不會(huì)影響胚胎的正常發(fā)育,，但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團(tuán)遺傳構(gòu)成并非完全相同,，故對(duì)于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明,，也沒(méi)有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎,，但是胚胎移植后,，生命發(fā)育任何一個(gè)階段胎兒由于母體原因、環(huán)境等因素,，染色體都有可能出現(xiàn)異常變化,。所以選擇PGS成功受孕后，孕婦仍然需要進(jìn)行常規(guī)的產(chǎn)前檢查,。PGS不可替代產(chǎn)前篩查,。若常規(guī)產(chǎn)前檢查發(fā)現(xiàn)胎兒異常，或孕婦本人具有進(jìn)行產(chǎn)前篩查的指征,，強(qiáng)烈建議孕婦選擇羊水穿刺等產(chǎn)前篩查方式進(jìn)行確認(rèn),。美國(guó)二極管激光激光破膜ZILOS-TK激光破膜儀采用1480nm 的紅外線(xiàn)固態(tài)激光二極管 ，屬于 Class 1 級(jí)激光,，確保了使用過(guò)程中的安全性,。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物,，在1550nm波段內(nèi),，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟,，國(guó)際上*少數(shù)幾家廠(chǎng)商可提供商用產(chǎn)品,。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW,。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu),。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設(shè)計(jì)，如：波紋坡度可調(diào)分布耦合,、復(fù)耦合,、吸收耦合、增益耦合,、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu),，提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中,，金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝,。MOCVD可精確控制外延生長(zhǎng)層的組分、摻雜濃度,、薄到幾個(gè)原子層的厚度,，生長(zhǎng)效率高，適合大批量制作,，反應(yīng)離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性,，電子束產(chǎn)生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開(kāi)始大量用于622Mb/s,、2.5Gb/s光傳輸系統(tǒng)設(shè)備,，對(duì)波長(zhǎng)的選擇使DFB-LD在大容量、長(zhǎng)距離光纖通信中成為主要光源,。同一芯片上集成多波長(zhǎng)DFB-LD與外腔電吸收調(diào)制器的單芯片光源也在發(fā)展中,。研制成功的電吸收調(diào)制器集成光源，采用有源層與調(diào)制器吸收層共用多QW結(jié)構(gòu),。調(diào)制器的作用如同一個(gè)高速開(kāi)關(guān),，把LD輸出變換成二進(jìn)制的0和1,。

發(fā)展上世紀(jì)60年代發(fā)明的一種光源,，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫(xiě),。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結(jié)GaAs 激光二極管,。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結(jié)激光二極管,，1970年制成室溫下連續(xù)工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光二極管,。此后，激光二極管迅速發(fā)展,。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上,。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長(zhǎng)波長(zhǎng)DH激光二極管也取得重大進(jìn)展，因而推動(dòng)了光纖通信和其他應(yīng)用的發(fā)展,。此外還出現(xiàn)了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠(yuǎn)紅外波長(zhǎng)激光二極管,。卵胞漿內(nèi)單精子注射技術(shù)（ICSI）中,，激光破膜儀能夠精確處理卵子膜，便于精子注入,，提升受精率,。

20年前，我國(guó)育齡人群中的不孕不育率*為3%,，處于全世界較低水平,。2009中國(guó)不孕不育高峰論壇公布的《中國(guó)不孕不育現(xiàn)狀調(diào)研報(bào)告》顯示，全國(guó)不孕不育患者人數(shù)已超過(guò)5000萬(wàn),，以25歲至30歲人數(shù)**多,，呈年輕化趨勢(shì)。平均每8對(duì)育齡夫婦中就有1對(duì)面臨生育方面的困難,，不孕不育率攀升到12.5%~15%,，接近發(fā)達(dá)國(guó)家15%~20%的比率。**為嚴(yán)峻的是,，這一發(fā)生比例還在不斷攀升,，衛(wèi)生組織**預(yù)估中國(guó)的不孕不育率將會(huì)在近幾年攀升到20%以上。衛(wèi)生組織**認(rèn)為,，精神和環(huán)境的雙重壓力讓付出沉重的“生命代價(jià)”不孕不育已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題,。如何有效幫助不孕不育患者解決生育難題，對(duì)于社會(huì),，醫(yī)院及大夫都提出了更高的要求。胚胎異常是體外受精**終失敗的主要原因之一,。英國(guó)研究人員開(kāi)發(fā)出一種可篩查胚胎質(zhì)量的新技術(shù),，有望提高試管嬰兒的成功率。 [2]在這種背景下,，試管嬰兒技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,。試管嬰兒技術(shù)是將卵子與精子分別取出后，置于試管內(nèi)使其受精,，受精卵發(fā)育為胚胎,，后移植回母體子宮發(fā)育成胎兒的技術(shù)。試管嬰兒技術(shù)作為有效的輔助生殖手段成為大多數(shù)不孕不育夫婦的重要選擇,，平均成功率為20-30%,。儀器通常配備自動(dòng)化系統(tǒng)和直觀的操作界面，操作人員能夠很快上手以便完成各種操作任務(wù),。歐洲1460 nm激光破膜XYRCOS

激光破膜儀可以通過(guò)鼠標(biāo)或腳踏板啟動(dòng)激光發(fā)射,。美國(guó)一體整合激光破膜

導(dǎo)電特性圖7 激光二極管二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入,，負(fù)極流出,。下面通過(guò)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)說(shuō)明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中,，將二極管的正極接在高電位端,，負(fù)極接在低電位端，二極管就會(huì)導(dǎo)通,，這種連接方式,，稱(chēng)為正向偏置。必須說(shuō)明,，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí),，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過(guò)二極管的正向電流十分微弱,。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱(chēng)為“門(mén)檻電壓”,，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后,，二極管才能直正導(dǎo)通,。導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V）,，稱(chēng)為二極管的“正向壓降”,。美國(guó)一體整合激光破膜