2012年**季度,，中國鋼鐵廠開工率較低,，只有到10月份以后鋼廠增加了開工率,，對原料和耐火材料的消耗才略有增加,，消耗了部分庫存。據(jù)海關(guān)統(tǒng)計顯示：2012年全年,，中國碳化硅出口16.47萬噸,，同比下降23.83%，出口2.75億美元,，同比下降44.28%,，出口平均價格1671.53美元/噸,，同比下降26.84%,。出口量價大幅度下降。全年領(lǐng)證量合計17.1萬噸,，占全年出口量的104%,。生產(chǎn)的碳化硅主要的出口國家有美國、日本,、韓國,、及某些歐洲國家,。從出口的20個省市分析,，比2011年增加了一個新疆,。出口數(shù)量在萬噸以上的省市分別依次為寧夏,、河南、江蘇,、北京,、遼寧和山東，合計出口量11.8萬噸,，占出口總量的71.64%,，市場份額分別為18.21%、12.99%,、12.71%、11.4%,、9.72%和6.61%，六個省市出口數(shù)量均呈下滑態(tài)勢,，其中寧夏同比下滑幅度較高，為32.62%,；從出口單價看，同比下滑幅度較大的是遼寧,，達35.3%,，寧夏和江蘇的單價同比下滑也高于全國平均數(shù)。在半導(dǎo)體高功率元件的應(yīng)用上,，不少人試著用它來取代硅,。上海碳化硅直銷公司有哪些

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件,，更高效,，更節(jié)能,，更輕便,！隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及,，需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，對二極管操作進行各種耐久性測試,，以評估其性能,。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件,，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展,。而新型碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料更是不負眾望,，它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳,、開關(guān)速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小,。因此，碳化硅開關(guān)也成為設(shè)計人員的新寵,。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出,。黃浦區(qū)碳化硅廠碳化硅大多用于加工抗張強度低的材料,，如玻璃、陶瓷,、石材、耐火材料,、鑄鐵和有色金屬等,。

盡管當(dāng)前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ,，但生產(chǎn)SiC器件的技術(shù)仍處于學(xué)習(xí)曲線的早期階段,。因此,，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是,，對于給定的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓,，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規(guī)硅MOSFET顯著更少。因此,，它將具有較小的電容和較低的柵極電荷,，這轉(zhuǎn)化為較低的開關(guān)損耗和較高的效率。較高的導(dǎo)熱率反映為較低的熱阻,。SiC MOSFET的面積相等時,，其熱阻要低得多，從而可以降低工作結(jié)溫,。盡管先前描述了所有優(yōu)點,，但以前SiC晶體管的高成本使其只能用于優(yōu)越工業(yè)市場（例如，石油鉆探電源,，電源系統(tǒng)等）的專門用應(yīng)用中,。影響其成本的主要因素歸因于諸如SiC襯底的成本較高和可用性較低,，SiC制造工藝的成本較高以及生產(chǎn)率較低（主要歸因于襯底的缺陷密度較高）等因素。

SiC 主要應(yīng)用于微波領(lǐng)域,，非常適合在雷達發(fā)射機中使用,；使用它可明顯提高雷達發(fā)射機的輸出功率和功率密度，提高工作頻率和工作頻帶寬度,，提高雷達發(fā)射機的環(huán)境溫度適應(yīng)性,，提高抗輻射能力。和普通硅（Si）功率器件相比,，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優(yōu)勢非常明顯,。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段，但其應(yīng)用前景廣大,，發(fā)展速度迅猛,，在“低碳”經(jīng)濟理念的推動下，必將加快其發(fā)展步伐,。航天電子產(chǎn)品對其重量,、體積、功耗和抗輻射程度都有嚴(yán)格的要求,，碳化硅功率器件的出現(xiàn)及進一步推廣,，必將對今后航天電子產(chǎn)品的開發(fā)產(chǎn)生深遠影響。碳加硅會形成一種新的化合物—碳化硅（SiC）,，俗稱金剛砂,。

對比熱數(shù)據(jù)，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻,。這是由于與Si相比,，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴散能力：在此布局中,，4個SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個硅二極管,。SiC器件更低的熱阻是特別重要的，因為在這種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積,，而全SiC模塊只用了10 cm2,。與硅模塊的通態(tài)損耗相比，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高,。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣,。全SiC模塊的動態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍,。 我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,，均為六方晶體.楊浦區(qū)碳化硅哪個品牌好

碳化硅的體積密度，體積密度保證了產(chǎn)品粒度均勻,、成分均勻的穩(wěn)定,。上海碳化硅直銷公司有哪些

隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地,?；诘墸℅aN）的功率半導(dǎo)體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù),。硅的帶隙為1.1 eV,。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV,，GaN的帶隙為3.4 eV,。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中,，專門的SiC襯底被開發(fā)出來,，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導(dǎo)體,。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競爭技術(shù)都是專門用晶體管,，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域,，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制,。 上海碳化硅直銷公司有哪些

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