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近期,，基板質(zhì)量的進步已經(jīng)導(dǎo)致SiC器件的良率和可靠性的顯著提高,。襯底的這種可用性以及更高的可用性極大地提高了這些晶體管的效率和制造成本,，從而促進了它們在諸如車載充電器和牽引逆變器之類的電動汽車系統(tǒng)中的普遍采用。憑借SiC晶體管可實現(xiàn)更高效率和更高的開關(guān)頻率，從而減小了磁性元件的尺寸，WBG材料推動了SiC在工業(yè)市場上許多功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的采用，這是汽車應(yīng)用所獲得的收益,。碳化硅（SiC）是碳和硅的化合物，碳化硅單晶材料目前采用物相輸運（PVT）法,，在超過2000℃的高溫下,，將碳粉和硅粉通過高溫分解成原子，通過溫度控制沉積在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶體,。 碳化硅除作磨料用外,，還有很多其他用途。上海碳...

目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光,、磁流變拋光,、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）,、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）,、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等,。化學機械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段,，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法,，是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術(shù)。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應(yīng)速率決定,。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響,，結(jié)果表明：旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大,。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速,，雖然增加拋光壓力...

碳化硅的分類和應(yīng)用：1.分類：根據(jù)碳和硅原子比例的不同,，碳化硅可以分為三種類型：低度碳化硅（SiC-I）、中度碳化硅（SiC-II）和高純度碳化硅（SiC-III）,。其中,，低度碳化硅主要用于耐磨材料和涂層，中度碳化硅主要用于電子和電力領(lǐng)域,，高純度碳化硅則主要用于光伏和半導(dǎo)體領(lǐng)域,。2.應(yīng)用：碳化硅因其優(yōu)異的物理和化學性質(zhì)被廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。在半導(dǎo)體行業(yè),，它被用作芯片制造過程中的散熱片,、絕緣層和保護層。在光伏行業(yè),，碳化硅可以提高太陽能電池板的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,。此外，碳化硅在汽車,、航空航天和陶瓷等領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用,。一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形,。長寧區(qū)碳化...

隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地,?；诘墸℅aN）的功率半導(dǎo)體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù),。硅的帶隙為1.1 eV,。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV,，GaN的帶隙為3.4 eV,。SiC是一種基于硅和碳的復(fù)合半導(dǎo)體材料。在生產(chǎn)流程中,，專門的SiC襯底被開發(fā)出來,，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導(dǎo)體,。許多基于SiC的功率半導(dǎo)體和競爭技術(shù)都是專門用晶體管,，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領(lǐng)域,，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制,。 用以制成的耐火材料，耐熱震,、體積小,、重量輕而...

電動汽車的電動機是有源負載,，其轉(zhuǎn)速范圍很寬，且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,，工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,，因此，其驅(qū)動系統(tǒng)是決定電動汽車性能的關(guān)鍵所在,。隨著電動汽車的發(fā)展,，對電力電子功率驅(qū)動系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕,、更緊湊,、更高效、更可靠,。常用的半導(dǎo)體材料,，尤其是各種電子產(chǎn)品中的處理器、存儲器等芯片,，通常都是基于硅晶體(單晶硅或多晶硅)制造出來的,。而實際上還有一類半導(dǎo)體是基于化合物晶體制造的，SiC(碳化硅)半導(dǎo)體就是其中之一,。由于天然含量甚少,，碳化硅主要多為人造。黃浦區(qū)碳化硅價格怎么樣 碳化硅二極管,，較初的二極管非常簡單,，但隨著技術(shù)的發(fā)展，逐漸出現(xiàn)了升級的JFET,、MOSFET和...

但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同,。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英,、石油焦等為原料,，輔助回收料、乏料,，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑,，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設(shè)備是專門用的碳化硅電爐,，其結(jié)構(gòu)由爐底,、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側(cè)墻,、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心,，一般為圓形或矩形,。其兩端與電極相連）等組成,。碳化硅具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體,，高溫時能抗氧化,。上海碳化硅費用開關(guān)頻率高于20KHz時，全SiC模...

加工制砂,、微粉生產(chǎn)企業(yè)300多家,，年生產(chǎn)能力200多萬噸。2012年,，中國碳化硅產(chǎn)能利用率不足45%,。約三分之一的冶煉企業(yè)有加工制砂微粉生產(chǎn)線。碳化硅加工制砂微粉生產(chǎn)企業(yè)主要分布在河南,、山東,、江蘇、吉林,、黑龍江等省,。中國碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達到水平,。黑,、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬。中國碳化硅與世界先進水平的差距主要集中在四個方面：一是在生產(chǎn)過程中很少使用大型機械設(shè)備,，很多工序依靠人力完成,，人均碳化硅產(chǎn)量較低；二是在碳化硅深加工產(chǎn)品上,，對粒度砂和微粉產(chǎn)品的質(zhì)量管理不夠精細,，產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性不夠；三是某些前端產(chǎn)品的性能指標與發(fā)達國家同類產(chǎn)品相比有一定差距,；四是冶煉過程中一氧化碳...

SiC的硬度只次于金剛石,，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進行機械加工主要是利用金剛石砂輪磨削,、研磨和拋光,，其中金剛石砂輪磨削加工的效率較高，是加工SiC的重要手段,。但是SiC材料不只具有高硬度的特點,，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,，且產(chǎn)生較為嚴重的表面與亞表層損傷,，影響加工精度。因此，深入研究SiC磨削機理與亞表面損傷對于提高SiC磨削加工效率和表面質(zhì)量具有重要意義,。在任何已能達到的壓力下,，它都不會熔化，且具有相當?shù)偷幕瘜W活性,。青浦區(qū)碳化硅介紹 由于二極管是基于10A額定電流進行比較的,，考慮不同供應(yīng)商的器件之間有時不同的額定電流定...

碳化硅二極管，較初的二極管非常簡單,，但隨著技術(shù)的發(fā)展,，逐漸出現(xiàn)了升級的JFET、MOSFET和雙極晶體管,。碳化硅肖特基二極管優(yōu)勢明顯,，它具有高開關(guān)性能、高效率和高功率密度等特性,，而且系統(tǒng)成本較低,。這些二極管具有零反向恢復(fù)時間、低正向壓降,、電流穩(wěn)定性,、高抗浪涌電壓能力和正溫度系數(shù)。新型二極管適合各種應(yīng)用中的功率變換器,，包括光伏太陽能逆變器,、電動車（EV）充電器、電源和汽車應(yīng)用,。與傳統(tǒng)硅材料相比,，新型二極管具有更低的漏電流和更高的摻雜濃度。硅材料具有一個特性,，就是隨著溫度的升高,，其直接表征會發(fā)生很大變化。而碳化硅是一種非常堅固且可靠的材料,，不過碳化硅仍局限于小尺寸應(yīng)用,。 具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而...

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）,、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等,，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為： 一代元素半導(dǎo)體材料：如硅（Si）和鍺(Ge),； 第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）,、磷化銦（InP）等,； 第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）,、氮化鋁（ALN）,、氧化鎵（Ga2O3）等。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景較明朗的半導(dǎo)體材料,，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。碳化硅可以稱為金鋼砂或耐火砂,。黃浦區(qū)碳化硅廠家定制 碳化硅...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主,，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共出口到59個國別和地區(qū),，比2011年增加了6個,。出口數(shù)量在千噸以上的國別和地區(qū)依次為日本、美國,、韓國,、、泰國,、新加坡,、印度、土耳其,、墨西哥和德國,，這10個國家和地區(qū)的合計出口數(shù)量為15.26萬噸，占出口總量的92.64%,。其中位列前四名的國別和地區(qū)出口數(shù)量占比分別為30.55%,、23.25%、15.5%和13.63%,，四個國別和地區(qū)的出口量之和占出口總量的82.93%,。除韓國出口數(shù)量同比增長85.5%外，土耳其和德國的數(shù)量同比增長引人注目,，但主銷國別和地區(qū)數(shù)量同比還是有較大程度下滑,，其中對日本和...

對比熱數(shù)據(jù)，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻,。這是由于與Si相比,，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴散能力：在此布局中，4個SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個硅二極管,。SiC器件更低的熱阻是特別重要的,，因為在這種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積，而全SiC模塊只用了10 cm2,。與硅模塊的通態(tài)損耗相比,，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣。全SiC模塊的動態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍,，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍,。 它與微波輻射有很強的耦合作用，并其所有之高升華點,，使其可實際應(yīng)用于加熱金屬,。黃浦區(qū)碳化硅種類...

從出口的123家出口企業(yè)分析，出口數(shù)量在2000噸以上的企業(yè)有29家,，這29家出口量之和為11.77萬噸,，占出口總量的71.4%；這29家主營企業(yè)除2家出口價格有所上升外,，其他均有大幅下滑,，單價降幅較高的達73.6%；出口數(shù)量在1000-2000噸位之間的企業(yè)有12家,，出口量之和為1.6萬噸,，占比為9.79%；另有32家企業(yè)出口數(shù)量在100噸以下,，32家出口量之和只占出口總量的0.27%,。中國產(chǎn)地：長白山脈、河南,、河北石家莊靈壽縣,、青海、甘肅,、寧夏,、新疆、四川,、哈爾濱,、湖南、貴州,、湖北丹江口等地,。 具有的耐高溫性、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一,。黃浦區(qū)碳化硅制造商哪家好 目前...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管,、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度,。碳化硅是熱的良導(dǎo)體, 導(dǎo)熱特性優(yōu)于任何其它半導(dǎo)體材料,。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導(dǎo)率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作,。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體器件散熱片體積的對比,，可看出,，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV,，一般包含兩套水冷系統(tǒng),，一套是引擎冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約105℃,，另一套是電力電子設(shè)備的冷...

第三代半導(dǎo)體材料有非常獨特優(yōu)異的性能優(yōu)勢,。寬禁帶，單個器件可以承載上萬伏電壓;熱導(dǎo)率高,，工作可靠性強;載流子遷移率高,、工作頻率大，省電節(jié)能;把這些優(yōu)異性能全部整合在碳化硅材料之上,，其性能就會指數(shù)級地提升，用途也會更為普遍,。碳化硅晶片是5G芯片較理想的襯底,。而5G通訊即將帶來的生活的便捷高效，帶來物聯(lián)方式的變革,，將推動整個經(jīng)濟社會的大變革,。碳化硅材料應(yīng)用還可以推動碳達峰、碳中和,。比如未來新能源汽車對燃油汽車的替代等,，都會帶來極大的市場變革。具有的耐高溫性,、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一,。金山區(qū)碳化硅直銷公司有哪些 從出口 13個關(guān)別分析，天津港走貨量高達9.16萬噸,，占出口總量的...

碳化硅MOSFET和碳化硅二極管用于太陽能,，UPS，工業(yè),，汽車等應(yīng)用：主要集中在光伏儲能中的逆變器,，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的UPS電源，智能電網(wǎng)充電站等需要轉(zhuǎn)換效率較高的領(lǐng)域,。但是隨著近些年電動和混合動力汽車（xEV）的發(fā)展,，SiC也在這個新領(lǐng)域迅速崛起，輻射的產(chǎn)業(yè)包括能源（PV,，EV充電,，智能電網(wǎng)等）、汽車（OBC,逆變器）,、基礎(chǔ)設(shè)施（服務(wù)器）等,。與常規(guī)硅相比,，WBG材料具有相對較寬的能帶隙（在價帶和導(dǎo)帶之間）。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是當今使用較普遍的WBG材料,。表1顯示了WBG和Si基材料的主要特性,。 在任何已能達到的壓力下，它都不會熔化,，且具有相當?shù)偷幕瘜W活性,。楊浦區(qū)碳化硅廠家電話...

碳化硅器件的極限工作溫度有望達到 600℃以上, 而硅器件的較大結(jié)溫只為 150℃。碳化硅器件抗輻射能力較強,在航空等領(lǐng)域應(yīng)用可以減輕輻射屏蔽設(shè)備的重量,。碳化硅器件對電動車充電模塊性能的提升主要體現(xiàn)在三方面： （1）提高頻率,，簡化供電網(wǎng)絡(luò)； （2）降低損耗,，減少溫升,。 （3）縮小體積，提升效率,。較大的增長機會在汽車領(lǐng)域,，尤其是電動汽車?；赟iC的功率半導(dǎo)體用于電動汽車的車載充電裝置,，而這項技術(shù)正在進入系統(tǒng)的關(guān)鍵部分——牽引逆變器。牽引逆變器為電動機提供牽引力,，以推動車輛前進,。SiC正在進軍車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器,。車載充電器通過電網(wǎng)為車輛充電,。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含...

目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光,、化學機械拋光（CMP）,、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）,、摩擦化學拋光（TCP,，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（***）等?；瘜W機械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導(dǎo)體加工的重要手段,，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑較有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的實用技術(shù),。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應(yīng)速率決定,。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結(jié)果表明：旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大,；溫度和拋光液pH值的影響不大,。為提高材料的拋光速率應(yīng)盡量提高轉(zhuǎn)速,，雖然增加拋光壓力...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩(wěn)定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術(shù),。之前,，這項技術(shù)只掌握在美國人手里，且長期對我國技術(shù)封鎖,。過去,，我國的半導(dǎo)體材料長期依賴國外進口，由此帶來的問題就是半導(dǎo)體材料價格昂貴,、渠道不穩(wěn),，隨時都可能面對禁運的風險，而且產(chǎn)品的質(zhì)量也難以得到有效保證,，國人備受半導(dǎo)體材料和重要技術(shù) “卡脖子”之痛,。碳化硅晶體的生長條件十分嚴苛，不只需要經(jīng)歷高溫還需要壓力精確控制的生長環(huán)境,，同時這些晶體的生長速度很緩慢,，生長質(zhì)量也不易控制。在生長的過程中即便只出現(xiàn)一絲肉眼無法察覺的管洞,，也可能影響這個晶體的生長質(zhì)量。碳化硅晶體的生長過程就如同“蒙眼繡花”一樣,，因為溫度太高,，難以進...

利用碳化硅具有耐腐蝕、耐高溫,、強度大,、導(dǎo)熱性能良好、抗沖擊等特性,，碳化硅一方面可用于各種冶煉爐襯,、高溫爐窯構(gòu)件、碳化硅板,、襯板,、支撐件、匣缽,、碳化硅坩堝等,。另一方面可用于有色金屬冶煉工業(yè)的高溫間接加熱材料，如豎罐蒸餾爐,、精餾爐塔盤,、鋁電解槽、銅熔化爐內(nèi)襯,、鋅粉爐用弧型板,、熱電偶保護管等,；用于制作耐磨、耐蝕,、耐高溫等高級碳化硅陶瓷材料,；還可以制做火箭噴管、燃氣輪機葉片等,。此外,，碳化硅也是高速公路、航空飛機跑道太陽能熱水器等的理想材料之一,。煉得的碳化硅塊,，經(jīng)破碎、酸堿洗,、磁選和篩分而制成各種粒度的產(chǎn)品,。黃浦區(qū)碳化硅批發(fā)多少錢 碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率...

在開關(guān)電源系統(tǒng)中，二極管一般被用作整流,、續(xù)流保護等,。用做整流時，經(jīng)常會因為整流二極管的反向恢復(fù)時間過長,，進而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低,，發(fā)熱增加。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復(fù)問題,，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V）,，再加上降額設(shè)計，不適合高壓應(yīng)用,。而用碳化硅（SiC）制作的肖特基二極管耐壓可達1200V,，反向恢復(fù)電流幾乎可忽略不計，因而能有效減小器件的開關(guān)損耗,，同時,，還可簡化開關(guān)電源電路中的保護電路，是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓撲結(jié)構(gòu)開關(guān)電源的簡化,。 綠碳化硅含SiC約97%以上,，自銳性好、鈦合金和光學玻璃,，用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具,。...

SiC 主要應(yīng)用于微波領(lǐng)域，非常適合在雷達發(fā)射機中使用,；使用它可明顯提高雷達發(fā)射機的輸出功率和功率密度,，提高工作頻率和工作頻帶寬度，提高雷達發(fā)射機的環(huán)境溫度適應(yīng)性,，提高抗輻射能力,。和普通硅（Si）功率器件相比,，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優(yōu)勢非常明顯。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段,，但其應(yīng)用前景廣大,，發(fā)展速度迅猛，在“低碳”經(jīng)濟理念的推動下,，必將加快其發(fā)展步伐,。航天電子產(chǎn)品對其重量、體積,、功耗和抗輻射程度都有嚴格的要求,，碳化硅功率器件的出現(xiàn)及進一步推廣，必將對今后航天電子產(chǎn)品的開發(fā)產(chǎn)生深遠影響,。純碳化硅是屬于無色透明的晶體,。崇明區(qū)碳化硅供應(yīng)商 碳化硅MOSFET和碳化硅二...

碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種，都屬α-SiC,。①黑碳化硅含SiC約95%,，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強度低的材料,，如玻璃,、陶瓷、石材,、耐火材料,、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上,，自銳性好，大多用于加工硬質(zhì)合金,、鈦合金和光學玻璃,，也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅,，它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,，用以制作的磨具適于軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米,。 通常將未反應(yīng)料和一部分氧碳化硅層料作為乏料收集,，將氧碳化硅層的另一部分料與無定形物。虹口區(qū)碳化硅哪個好 碳化硅由于化學性能穩(wěn)定,、導(dǎo)熱...

綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑,，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉,。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應(yīng)用上成為較佳的半導(dǎo)體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率器件,，其主要特性及與硅(Si)和砷化鎵(GaAs)的對比如下,。由于碳化硅的寬能級, 以其制成的電子器件可在極高溫下工作，這一特性也使碳化硅可以發(fā)射或檢測短波長的光, 用以制作藍色發(fā)光二極管或幾乎不受太陽光影響的紫外線探測器,。純碳化硅是屬于無色透明的晶體,。碳化硅報價多少錢 SiC 主要應(yīng)用于微波領(lǐng)域，非常適合在雷達發(fā)射機中使用,；使用它可明...

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景較明朗的半導(dǎo)體材料,，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年,，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物,，這就是碳化硅初次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后,，特別是進入21世紀以后,，人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點和特性，并利用碳化硅特性,，做出各種新器件,，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍,；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍,；電子飽和漂移速率為硅的2倍,。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,，耐大電流的高頻大功率的器件,。β-碳化硅，立方晶系結(jié)構(gòu),，與鉆石相似,，則在低于2000 °C...

與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍,，導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍,，非常適合于高壓應(yīng)用，如電源,、太陽能逆變器,、火車和風力渦輪機。另外,，SiC還用于制造LED,。碳化硅材料各項指標均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達600℃,，遠高于硅器件工作溫度,。技術(shù)成熟度較高，應(yīng)用潛力較大,。碳化硅器件具有更低的導(dǎo)通電阻,。在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導(dǎo)通 電阻只有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。在高擊穿電壓 (約 5kV 下）,比導(dǎo)通電 阻提高到 25.9mΩ, 卻是硅同類器件的約 1/300,。 更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小...

2012年全年中國黑碳化硅產(chǎn)能沒有正常釋放,，一方面是成交緩慢，庫存消耗慢,占壓資金量大,，另一方面是下游玩業(yè)消費商回款時間長,，欠款現(xiàn)象嚴重，導(dǎo)致某些企業(yè)資金鏈緊張,。2012年中國黑碳化硅的主產(chǎn)地為寧夏和甘肅,，青海和新疆的原有產(chǎn)能逐漸被淘汰，加上湖北丹江口弘源的冶煉產(chǎn)能,，共計76.9萬噸,， 2012年總產(chǎn)量約為34萬噸，黑碳化硅冶煉企業(yè)的產(chǎn)能利用率約為44.5%,。中國綠碳化硅冶煉的主產(chǎn)地是甘肅,、青海、新疆和四川,。四川主要靠水力發(fā)電站供電,，受到枯水期電力短缺的影響，一年的生產(chǎn)時間只在4-10月份,，較長能堅持6個月的生產(chǎn),，但四川的冶煉爐幾乎沒有正常開工，主要因為市場需求疲軟,，庫存難以消耗,。煉得的碳化...

由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造,。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦,，加入食鹽和木屑,，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫,，經(jīng)過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉,。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般的磨料。例如,，它所具有的耐高溫性,、導(dǎo)熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一，它所具有的導(dǎo)電性使其成為一種重要的電加熱元件等,。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料,，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂,。要制成碳化硅微粉還要經(jīng)過水選過程,，要做成碳化硅制品還要經(jīng)過成型與結(jié)燒的過程。松江區(qū)碳化硅廠商 綠...

碳化硅半導(dǎo)體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優(yōu)于硅基器件,，更高效,，更節(jié)能，更輕便,！隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的日益普及,，需要在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，對二極管操作進行各種耐久性測試,，以評估其性能,。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件,，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展,。而新型碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料更是不負眾望，它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳,、開關(guān)速度更高,，而且可以使器件尺寸做到更小。因此,，碳化硅開關(guān)也成為設(shè)計人員的新寵,。碳化硅二極管主要為肖特基二極管。一款商用碳化硅肖特基二極管十多年前就已推出,。碳化硅具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,，是一種半導(dǎo)體，高溫時能抗氧化,。碳化硅公司哪家好 碳化硅是全球較先進的第三代半導(dǎo)體材料,。和...

在10A的額定電流下，硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出較低的正向壓降,，SiC肖特基二極管的Vf更高,，而快速硅二極管展現(xiàn)出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大：快速硅二極管具有負的溫度系數(shù),，150°C下的Vf比25°C下的Vf低,。對于12A以上的電流,，CAL的溫度系數(shù)為正，SiC肖特基二極管即使電流為4A時,，溫度系數(shù)也為正,。由于二極管通常并聯(lián)以實現(xiàn)大功率器件，需要具有正溫度系數(shù)以避免并聯(lián)二極管中的電流不平衡和運行溫度不均勻,。這里,，SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能。但與常規(guī)硅二極管相比,，SiC肖特基二極管的靜態(tài)損耗較高,。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)...