結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,,共有三個PN結,,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,,其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,,以小電流控制大電流,,具有無火花、動作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點。從外表上看,,雙向可控硅和普通可控硅很相似,,也有三個電極。但是,,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極可控硅方可關斷。當然,,如果Ea極性反接。湖南進口可控硅電源
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,,等等,。可控硅的主要參數有:1,、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓,??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數值,。3,、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,,不能超過手冊給出的這個參數值。雨花臺區(qū)可控硅電源BG1將產生基極電流Ib1,,經放大,,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。
反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,,處于反向關斷狀態(tài)時,,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,,不能超過手冊給出的這個參數值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,,陽極---陰極間加有一定電壓時,,可控硅從關斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,,可以用正觸發(fā)信號使其導通,,用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。
注意陽極A是接電源的正極,,陰極K接電源的負極,,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,,應接在3V直流電源的正極),。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓,。合上電源開關S,小燈泡不亮,,說明晶閘管沒有導通,;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發(fā)電壓,,小燈泡亮了,,說明晶閘管導通了,。。,。,。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1。
沒有關斷角的削波現象,,并且用大電容濾波,,因此諧波數小對電網的干擾小??煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢:隨著我國工業(yè)化進程的飛速發(fā)展,感應加熱領域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價,用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價格和經濟上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設備.功率因數低耗費著大量的電能.隨著金融危機的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應加熱經驗,成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea,。嘉定區(qū)特色可控硅電源
可控硅一經觸發(fā)導通后,,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,。湖南進口可控硅電源
由于在雙向可控硅的主電極上,,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,,它都能被觸發(fā)導通,,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(圖5a),。雙向可控硅觸發(fā)導通后,,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,,這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的,,又因為觸發(fā)信號是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),,這時雙向可控硅觸發(fā)導通后,,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。湖南進口可控硅電源
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