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按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》,。普通可控硅的型號采用如下格式標(biāo)注:圖片1額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級,，1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V,，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K，從P2層引...

可控硅電源前級不可控全橋整流,，不會在整流段引起波形的變形,，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象,，并且用大電容濾波，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小,?？煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻。相當(dāng)于一個(gè)二極管,，G為正極,、K為負(fù)極。江蘇品牌可控硅電...

結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動(dòng)作快、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個(gè)電極。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。寶山區(qū)出口可控硅電源陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50...

雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,。閔行區(qū)可控硅電源結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以...

目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單,、進(jìn)出料靈活,、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn),；2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少，效率高,，鍛件質(zhì)量好,；3.工件加熱長度,、速度,、溫度等可精確控制；4.工件加熱均勻,、芯表溫差小,，控制精度高；可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用。崇明區(qū)貿(mào)易可控硅電源綜上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅...

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間可以用剛才演示用的示教板電路。普陀區(qū)什么是可控硅電源(2)如果主電極T2仍加正向電壓...

反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基...

結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動(dòng)作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,。山東新時(shí)代可控硅電源這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的...

因此效率較高、功率因數(shù)較高,。所以有明顯的節(jié)電效果,，加熱每噸棒料用電341度。中文名可控硅電源類 型電源可控硅電源前級不可控全橋整流,，不會在整流段引起波形的變形,，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小,。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感...

結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié),，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動(dòng)作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1。六合區(qū)進(jìn)口可控硅電源常用的有阻容移相橋...

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,，要使晶閘管導(dǎo)通,，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導(dǎo)通后,，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”,。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通,。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,，卻不能使它關(guān)斷,。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么,，在電壓過零時(shí),，晶閘管會自行關(guān)斷。為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異...

(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。建鄴區(qū)可控硅電源也就是人們常說的普通晶閘管，它是...

由圖可見,，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時(shí),，我們稱為正向電壓,，并用符號U21表示,。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí)，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21,，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示...

控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。雨花臺區(qū)貿(mào)易可控硅電源...

常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路,、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等,?？煽毓璧闹饕獏?shù)有：1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1...

可控硅電源前級不可控全橋整流,，不會在整流段引起波形的變形,，沒有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象，并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對電網(wǎng)的干擾小,。可控硅電源較高頻的優(yōu)勢：隨著我國工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,?？煽毓璺娇申P(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,。制作可控硅電源...

分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動(dòng)作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極。,。,。。,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,。制作可控硅電源特點(diǎn)雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱...

在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。北京哪里可控硅電源因此效率較高,、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效...

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流,，具有無火花、動(dòng)作快,、壽命長,、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個(gè)電極,。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種。特色可控硅電源規(guī)格尺寸常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管...

目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡單,、進(jìn)出料靈活、自動(dòng)化程度高,，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn),；2.工件加熱速度快、氧化脫碳少,，效率高,，鍛件質(zhì)量好；3.工件加熱長度,、速度,、溫度等可精確控制；4.工件加熱均勻,、芯表溫差小,，控制精度高；如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,。天津制作可控硅電源常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路...

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡稱為可控硅SCR,。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C(jī)電設(shè)備,，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用,?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火...

但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示。它的型號,，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下，面對標(biāo)有字符的一面),。市場上最常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。金山區(qū)進(jìn)口可控硅電源常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路...

以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),。閔行區(qū)出口可控硅電源（四）按電流容量分類：可控硅按...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用,。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高,，成本低等等。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級K，從P2層引...

(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b),，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式,。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式,。 (4)兩個(gè)主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后,，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式,。而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管?；窗部煽毓桦娫淳C上所述,，小結(jié)如下:(1)可控硅一般做成螺...

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。可控硅開關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea,。六合區(qū)出口可控硅電源（四）按電流容量分類：可控...

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通,。山西多層可控硅電源為了能夠直觀地認(rèn)...

反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于...

可控硅有多種分類方法,。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,?？煽毓栝_關(guān)（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,。智能化可控硅電源商家沒有關(guān)斷角...