加在功率晶體管上的伏安乘積是很小的（在導(dǎo)通時(shí)，電壓低，電流大,；關(guān)斷時(shí),，電壓高，電流小）/功率器件上的伏安乘積就是功率半導(dǎo)體器件上所產(chǎn)生的損耗。開關(guān)電源伯特圖與線性電源相比，PWM開關(guān)電源更為有效的工作過(guò)程是通過(guò)“斬波”,，即把輸入的直流電壓斬成幅值等于輸入電壓幅值的脈沖電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的,。脈沖的占空比由開關(guān)電源的控制器來(lái)調(diào)節(jié)。一旦輸入電壓被斬成交流方波,，其幅值就可以通過(guò)變壓器來(lái)升高或降低,。通過(guò)增加變壓器的二次繞組數(shù)就可以增加輸出的電壓值。***這些交流波形經(jīng)過(guò)整流濾波后就得到直流輸出電壓,。功耗小,、效率高：功率晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)，所以晶體管上的功耗小,。建鄴區(qū)開關(guān)電源

軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管,，在開通或關(guān)斷過(guò)程中，或是加于其上的電壓為零,，即零電壓開關(guān)（Zero-Voltage-Switching,，ZVS），或是通過(guò)開關(guān)管的電流為零,，即零電流開關(guān)（Zero-Current·Switching,，ZCS）。這種軟開關(guān)方式可以***地減小開關(guān)損耗,，以及開關(guān)過(guò)程中激起的振蕩,，使開關(guān)頻率可以大幅度提高，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件,。功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是應(yīng)用較多的開關(guān)器件,，它有較高的開關(guān)速度，但同時(shí)也有較大的寄生電容,。它關(guān)斷時(shí),，在外電壓的作用下， 其寄生電容充滿電,，如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,，則將消耗于器件內(nèi)部山西制作開關(guān)電源3、直流：開關(guān)電源輸出的是直流而不是交流 ,。

1、體積小,、重量輕：由于沒(méi)有工頻變壓器,，所以體積和重量只有線性電源的20～30%。2,、功耗小,、效率高：功率晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)，所以晶體管上的功耗小,，轉(zhuǎn)化效率高,，一般為60～70%，而線性電電源只有30～40%。 [1]3,、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,、可靠性高：維修方便，電流紋波率可以很容易的做到比較低,?？刂破鞯闹饕康氖潜３州敵鲭妷悍€(wěn)定，其工作過(guò)程與線性形式的控制器很類似,。也就是說(shuō)控制器的功能塊,、電壓參考和誤差放大器，可以設(shè)計(jì)成與線性調(diào)節(jié)器相同,。他們的不同之處在于,，誤差放大器的輸出（誤差電壓）在驅(qū)動(dòng)功率管之前要經(jīng)過(guò)一個(gè)電壓/脈沖寬度轉(zhuǎn)換單元。

式DC/DC轉(zhuǎn)換器在實(shí)現(xiàn)輸出與輸入電氣隔離時(shí),，通常采用變壓器來(lái)實(shí)現(xiàn),，由于變壓器具有變壓的功能，所以有利于擴(kuò)大轉(zhuǎn)換器的輸出應(yīng)用范圍,，也便于實(shí)現(xiàn)不同電壓的多路輸出,，或相同電壓的多種輸出。在功率開關(guān)管的電壓和電流定額相同時(shí),，轉(zhuǎn)換器的輸出功率通常與所用開關(guān)管的數(shù)量成正比,。所以開關(guān)管數(shù)越多，DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出功率越大,，四管式比兩管式輸出功率大一倍,，單管式輸出功率只有四管式的1/4。非隔離式轉(zhuǎn)換器與隔離式轉(zhuǎn)換器的組合,，可以得到單個(gè)轉(zhuǎn)換器所不具備的一些特性,。頻率固定、脈沖寬度可變模式,，頻率,、脈沖寬度可變模式。

以及開關(guān)過(guò)程中激起的振蕩,，使開關(guān)頻率可以大幅度提高,，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是應(yīng)用較多的開關(guān)器件,，它有較高的開關(guān)速度,，但同時(shí)也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時(shí),，在外電壓的作用下,， 其寄生電容充滿電,，如果在其開通前不將這一部分電荷放掉，則將消耗于器件內(nèi)部,，這就是容性開通損耗,。為了減小或消除這種損耗，功率場(chǎng)效應(yīng)管宜采用零電壓開通方式（ZVS）,。絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar tansistor,，IGBT）是一種復(fù)合開關(guān)器件開關(guān)電源一般有三種工作模式：頻率、脈沖寬度固定模式,。哪里開關(guān)電源設(shè)計(jì)

走出有色的產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合發(fā)展之路,，為我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展做出貢獻(xiàn)。建鄴區(qū)開關(guān)電源

同時(shí)在開關(guān)過(guò)程中還會(huì)激起電路分布電感和寄生 電容的振蕩,，帶來(lái)附加損耗,，因此，硬開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率不能太高,。軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)管,，在開通或關(guān)斷過(guò)程中，或是加于其上的電壓為零,，即零電壓開關(guān)（Zero-Voltage-Switching,，ZVS），或是通過(guò)開關(guān)管的電流為零,，即零電流開關(guān)（Zero-Current·Switching,，ZCS）。這種軟開關(guān)方式可以***地減小開關(guān)損耗,，以及開關(guān)過(guò)程中激起的振蕩,，使開關(guān)頻率可以大幅度提高，為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件,。功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）是應(yīng)用較多的開關(guān)器件,，它有較高的開關(guān)速度建鄴區(qū)開關(guān)電源

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