沒(méi)有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象,，并且用大電容濾波,，因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小?？煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢(shì)：隨著我國(guó)工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問(wèn)題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,?？梢杂脛偛叛菔居玫氖窘贪咫娐贰Ｉ轿鞫ㄖ瓶煽毓桦娫?/p>

電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。湖北多層可控硅電源可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率,，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用,。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花,、無(wú)噪音；效率高,，成本低等等,。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見(jiàn)圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。

中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn)：1.生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單,、進(jìn)出料靈活,、自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn),；2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少，效率高,，鍛件質(zhì)量好,；3.工件加熱長(zhǎng)度、速度,、溫度等可精確控制,；4.工件加熱均勻、芯表溫差小,，控制精度高,；5.感應(yīng)器可按客戶(hù)要求精心制作。6.***節(jié)能優(yōu)化設(shè)計(jì),，能耗低,、效率高，比燒煤生產(chǎn)成本低,；7.符合環(huán)保要求，污染小,，同時(shí)還減少了工人的勞動(dòng)強(qiáng)度,。縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問(wèn)題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,?？煽毓璺娇申P(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由,。

由圖可見(jiàn),，雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),，我們稱(chēng)為正向電壓,，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低,，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的,， 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí)，叫做反向電壓,，并用符號(hào)U12表示,。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí)，圖3（b）觸發(fā)導(dǎo)通,，這時(shí)的電流為I12,，其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,，如圖4中第三象限所示,。四種觸發(fā)方式而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。特色可控硅電源什么價(jià)格

BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。山西定制可控硅電源

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們，要使晶閘管導(dǎo)通,，一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,，松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài),。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”,。但是，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,，晶閘管就不能導(dǎo)通,?？刂茦O的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源（圖3中的開(kāi)關(guān)S）或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱(chēng)為維持電流）,。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,，那么，在電壓過(guò)零時(shí),，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷,。山西定制可控硅電源

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