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玄武區(qū)多層開關電源

來源: 發(fā)布時間:2025-04-05

開關電源不同于線性電源,開關電源利用的切換晶體管多半是在全開模式(飽和區(qū))及全閉模式(截止區(qū))之間切換,,這兩個模式都有低耗散的特點,,切換之間的轉(zhuǎn)換會有較高的耗散,,但時間很短,因此比較節(jié)省能源,,產(chǎn)生廢熱較少,。理想上,開關電源本身是不會消耗電能的,。電壓穩(wěn)壓是通過調(diào)整晶體管導通及斷路的時間來達到,。相反的,,線性電源在產(chǎn)生輸出電壓的過程中,晶體管工作在放大區(qū),,本身也會消耗電能。開關電源的高轉(zhuǎn)換效率是其一大優(yōu)點,,而且因為開關電源工作頻率高,可以使用小尺寸,、輕重量的變壓器,因此開關電源也會比線性電源的尺寸要小,重量也會比較輕,??刂破鞯闹饕康氖潜3州敵鲭妷悍€(wěn)定,,其工作過程與線性形式的控制器很類似。玄武區(qū)多層開關電源

玄武區(qū)多層開關電源,開關電源

同時在開關過程中還會激起電路分布電感和寄生 電容的振蕩,,帶來附加損耗,因此,,硬開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關頻率不能太高。軟開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關管,,在開通或關斷過程中,或是加于其上的電壓為零,,即零電壓開關(Zero-Voltage-Switching,ZVS),,或是通過開關管的電流為零,即零電流開關(Zero-Current·Switching,,ZCS)。這種軟開關方式可以***地減小開關損耗,,以及開關過程中激起的振蕩,,使開關頻率可以大幅度提高,,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件。功率場效應管(MOSFET)是應用較多的開關器件,,它有較高的開關速度玄武區(qū)多層開關電源后兩種工作模式多用于開關穩(wěn)壓電源。

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功率開關管的電壓和電流定額相同時,,轉(zhuǎn)換器的輸出功率通常與所用開關管的數(shù)量成正比,。所以開關管數(shù)越多,DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出功率越大,,四管式比兩管式輸出功率大一倍,,單管式輸出功率只有四管式的1/4。非隔離式轉(zhuǎn)換器與隔離式轉(zhuǎn)換器的組合,,可以得到單個轉(zhuǎn)換器所不具備的一些特性。按能量的傳輸來分,,DC/DC轉(zhuǎn)換器有單向傳輸和雙向傳輸兩種。具有雙向傳輸功能的DC/DC轉(zhuǎn)換器,,既可以從電源側向負載側傳輸功率,,也可 以從負載側向電源側傳輸功率,。

顧名思義,開關電源就是利用電子開關器件(如晶體管,、場效應管、可控硅閘流管等),,通過控制電路,,使電子開關器件不停地“接通”和“關斷”,讓電子開關器件對輸入電壓進行脈沖調(diào)制,,從而實現(xiàn)DC/AC,、DC/DC電壓變換,,以及輸出電壓可調(diào)和自動穩(wěn)壓。開關電源一般有三種工作模式:頻率,、脈沖寬度固定模式,頻率固定,、脈沖寬度可變模式,,頻率、脈沖寬度可變模式,。前一種工作模式多用于DC/AC逆變電源,,或DC/DC電壓變換;后兩種工作模式多用于開關穩(wěn)壓電源,。另外,,開關電源輸出電壓也有三種工作方式:直接輸出電壓方式、平均值輸出電壓方式、同樣,,前一種工作方式多用于DC/AC逆變電源,,或DC/DC電壓變換;后兩種工作方式多用于開關穩(wěn)壓電源,。

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控制器的主要目的是保持輸出電壓穩(wěn)定,,其工作過程與線性形式的控制器很類似。也就是說控制器的功能塊,、電壓參考和誤差放大器,,可以設計成與線性調(diào)節(jié)器相同。他們的不同之處在于,,誤差放大器的輸出(誤差電壓)在驅(qū)動功率管之前要經(jīng)過一個電壓/脈沖寬度轉(zhuǎn)換單元,。開關電源有兩種主要的工作方式:正激式變換和升壓式變換。盡管它們各部分的布置差別很小,,但是工作過程相差很大,,在特定的應用場合下各有優(yōu)點。功率器件上的伏安乘積就是功率半導體器件上所產(chǎn)生的損耗,。從而實現(xiàn)DC/AC,、DC/DC電壓變換,以及輸出電壓可調(diào)和自動穩(wěn)壓,。遼寧品牌開關電源

小,、薄、低噪聲,、高可靠,、抗干擾的方向發(fā)展。開關電源可分為AC/DC和DC/DC兩大類,。玄武區(qū)多層開關電源

軟開關DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關管,,在開通或關斷過程中,或是加于其上的電壓為零,,即零電壓開關(Zero-Voltage-Switching,,ZVS),或是通過開關管的電流為零,,即零電流開關(Zero-Current·Switching,,ZCS)。這種軟開關方式可以***地減小開關損耗,,以及開關過程中激起的振蕩,,使開關頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造了條件,。功率場效應管(MOSFET)是應用較多的開關器件,,它有較高的開關速度,,但同時也有較大的寄生電容。它關斷時,,在外電壓的作用下,, 其寄生電容充滿電,如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,,則將消耗于器件內(nèi)部,,這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗玄武區(qū)多層開關電源

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