以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管,，簡(jiǎn)稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損耗***增加,，允許通過的平均電流相降低，此時(shí),，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,。BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。多層可控硅電源廠家現(xiàn)貨

但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號(hào)，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào),、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下，面對(duì)標(biāo)有字符的一面),。市場(chǎng)上最常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示,。品牌可控硅電源誠信合作可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,。

以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花、無噪音,；效率高,，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2,、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,，從N2層引出陰級(jí)K,，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件,。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管,，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T,，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面,，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦砸话惆?安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。

按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:圖片1額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè),，如表1一5所示,。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí),。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志,，如表1-6所示,。通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示,，如表1一所示,。例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅,。為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。山西多層可控硅電源

第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,。多層可控硅電源廠家現(xiàn)貨

這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,，要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓,。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān),，去掉觸發(fā)電壓,，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管特點(diǎn)“一觸即發(fā)”,。但是,，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通,?？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷,。那么,，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的最小值（稱為維持電流）,。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,，那么，在電壓過零時(shí),，晶閘管會(huì)自行關(guān)斷,。多層可控硅電源廠家現(xiàn)貨

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