環(huán)境溫度對高分子ptc熱敏電阻的影響 高分子ptc熱敏電阻是一種直熱式,、階躍型熱敏電阻,，其電阻變化過程與自身的發(fā)熱和散熱情況有關，因而其維持電流（ihold）,、動作電流（itrip）及動作時間受環(huán)境溫度影響,。當環(huán)境溫度和電流處于a區(qū)時,，熱敏電阻發(fā)熱功率大于散熱功率而會動作；當環(huán)境溫度和電流處于b區(qū)時發(fā)熱功率小于散熱功率,，高分子ptc熱敏電阻由于電阻可恢復,，因而可以重復多次使用。圖6為熱敏電阻動作后,，恢復過程中電阻隨時間變化的示意圖,。電阻一般在十幾秒到幾十秒中即可恢復到初始值1.6倍左右的水平，此時熱敏電阻的維持電流已經(jīng)恢復到額定值,，可以再次使用了,。面積和厚度較小的熱敏電阻恢復相對較快；而面積和厚度較大的熱敏電阻恢復相對較慢,。黃浦區(qū)海水加熱熱敏電阻產(chǎn)品介紹,。熱敏電阻公司

表面銀漿、焊接銀漿性能指標： 1. 耐高壓大電流能力：無電極拉??； 2. 室溫存放1000小時△R/R：≤2%； 3. 水煮24小時△R/R：≤7%,； 4. 附著力：垂直拉力≥1.5Kg,； 5. 方阻（mΩ/□）：≤5 虹口區(qū)熱敏電阻價格熱敏電阻通常為一款高阻抗、電阻性器件,，因該器件可以簡化其中的一個接口問題,。

熱敏電阻的主要分類：

臨界溫度熱敏電阻CTR（CritiCal Temperature Resistor）若進一步還原為三氧化二釩,，則急變消失．產(chǎn)生電阻急變的溫度對應于半玻璃半導體物性急變的位置，因此產(chǎn)生半導體-金屬相移．CTR能夠作為控溫報警等應用．熱敏電阻的理論研究和應用開發(fā)已取得了引人注目的成果．隨著高,、精,、尖科技的應用，對熱敏電阻的導電機理和應用的更深層次的探索,，以及對性能優(yōu)良的新材料的深入研究,，將會取得迅速發(fā)展．后期會逐漸和大家進行分享；

基本特性：熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時的電阻值,、Ro：溫度T0,、（K）時的電阻值、B:B值,、*T(K)=t(ºC)+273.15,。實際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的,，其變化大小因材料構成而異,，比較大甚至可達5K/°C。因此在較大的溫度范圍內(nèi)應用式1時,，將與實測值之間存在一定誤差,。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數(shù)計算時,，則可降低與實測值之間的誤差,，可認為近似相等。上海子譽電子陶瓷有限公司主營熱敏電阻,，期待您的來電,。

熱敏電阻的主要問題是：要確定熱敏電阻周圍的溫度，您可以借助Steinhart-Hart公式：T=1/(A0+A1(lnRT)+A3(lnRT3))來實現(xiàn),。其中,，T為開氏溫度；RT為熱敏電阻在溫度T時的阻值,；而 A0,、A1和A3則是由熱敏電阻生產(chǎn)廠商提供的常數(shù)。熱敏電阻的阻值會隨著溫度的改變而改變,，而這種改變是非線性的,，Steinhart-Hart公式表明了這一點。在進行溫度測量時,，需要驅動一個通過熱敏電阻的參考電流,，以創(chuàng)建一個等效電壓，該等效電壓具有非線性的響應,。如有熱敏電阻需求,，歡迎致電上海子譽電子陶瓷有限公司,。閔行區(qū)熱敏電阻價格

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鈦酸鋇半導瓷的PTC效應起因于粒界（晶粒間界）．對于導電電子來說,，晶粒間界面相當于一個勢壘．當溫度低時，由于鈦酸鋇內(nèi)電場的作用,，導致電子極容易越過勢壘,，則電阻值較小．當溫度升高到居里點溫度（即臨界溫度）附近時,，內(nèi)電場受到破壞,，它不能幫助導電電子越過勢壘．這相當于勢壘升高，電阻值突然增大,，產(chǎn)生PTC效應．鈦酸鋇半導瓷的PTC效應的物理模型有海望表面勢壘模型,、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢壘模型，它們分別從不同方面對PTC效應作出了合理解釋．熱敏電阻公司

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