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    可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)(小的觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。 普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來測(cè),。大家知道,,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),,相當(dāng)于一個(gè)二極管,,G為正極、K為負(fù)極,,所以,,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,,測(cè)它的正,、反向電阻,電阻小時(shí),,萬(wàn)用表黑表筆接的是控制極G,,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S,,按一下按鈕開關(guān)SB,,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的,。 關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率 當(dāng)負(fù)載電流增大,,電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,,這種情況**易在感性負(fù)載的情況下...

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    IT(AV)--通態(tài)平均電流 VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流 ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流 VTM--通態(tài)峰值電壓 IGT--門極觸發(fā)電流 VGT--門極觸發(fā)電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率 di/dt--通態(tài)電流臨界上升率 Rthjc--結(jié)殼熱阻 ⅥSO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結(jié)溫 VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 IRRM--反向重復(fù)峰值電流 IF(AV)--正向平均電流 PGM--門極峰值功率 PG----門極平均功率 關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率 當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),,在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí),,雙向...

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    可控硅開關(guān) (四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝,。 (五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅,。 (六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),,必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),,導(dǎo)通可控硅,。 (七)非過零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),,即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),,來改變輸出百分比。 萱鴻科技--追求優(yōu)良品質(zhì),,提供完美服務(wù),,創(chuàng)造超...